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沸石/沸石分子筛/沸石吸附剂/沸石膜/沸石空心微球制备方法

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用于苯和丙烯合成异丙苯的新型沸石催化剂:以未经任何处理的含模板剂的钠型β沸石为主体粉料,先以氯化氨水溶液,在沸腾状态下处理,加入不同类型的黏合剂,以及一定量的硝酸铝后成型。烘制和焙烧后即得新型沸石催化剂。新型催化剂的制备方法简洁,将脱模板剂、脱铵和烧结成型过程一次同时完成,耗能少成本低,易于工业化;具有特定的B酸、强B酸量以及该两种酸的特定比例,具有特定的微孔分布。适用于鼓泡床工艺(气液固相反应)和液相法工艺(液固相反应),新型催化剂的加速老化寿命为现有工业催化剂的3-4倍,其它指标均均达要求,具有长的使用寿命。

沸石基纳米二氧化锡气敏材料制备方法:属于功能材料类,具体为一种用浸渍、焙烧方法制备的新型沸石基纳米二氧化锡气敏材料。该材料是将沸石分子筛浸渍在锡盐溶液中,然后蒸干、焙烧,在沸石表面形成二氧化锡纳米晶体而获得。该材料具有制备简便、价格低廉、气敏性能稳定等特点,适合工业化生产。

用于醋酸中去除碘化物的高载银量沸石吸附剂制备方法:现有技术成本高、价格贵、生产操作过程复杂。本发明吸附剂是由一种天然矿物沸石—辉沸石(中国代号CXN,英文代码STI,学名stilbite),通过改性及阳离子交换制成,银离子交换后其最高载银量可达26%。该吸附剂能有效去除醋酸中的有机碘化物,无机碘化物和分子碘。

制备高活性稳定性沸石分子筛的方法:其特征在于当沸石分子筛浆液进行铵盐交换后,过滤,对滤饼进行碱洗,并在滤饼中加入稀土溶液,搅拌均匀后进行水热处理。与常规水洗涤方法相比,本发明所制备的改性分子筛的结晶度保留率高,催化活性稳定性好,另外,该方法具有操作简便、成本低廉的特点。

气固相制备沸石空心微球的方法:主要解决以往技术中存在操作繁琐、合成的空心微球在除去聚苯乙烯核的过程中易破裂的问题。本发明通过采用以纳米沸石胶液作为吸附沉积液,以经聚阳离子电解质溶液浸泡处理的中孔氧化硅微球为模板核,利用纳米沸石与聚电解质之间的静电引力,将纳米沸石沉淀到中孔氧化硅微球上,然后用氨或有机胺和水蒸汽气固相处理,使内部的中孔氧化硅微球的硅源转化为沸石晶体的技术方案,较好地解决了该问题,可用于沸石空心微球的工业制备中。

多孔材料丝光沸石膜的合成方法:主要解决以往文献中丝光沸石膜制备成本高,制得的丝光沸石膜不致密,存在大量尖颈孔、裂纹等缺陷的问题。本发明通过采用以较稀的晶化母液,不使用模板剂,直接在多孔材料上合成丝光沸石膜的技术方案,较好地解决了该问题,可用于多孔材料膜的工业生产中。

含β沸石的抗氮型加氢裂化催化剂:通过选择适宜性质β沸石与特定性质的酸性无定形硅铝配合,使催化剂具有较高的活性、中油选择性,并且可以在无预精制段的情况下,直接处理高氮含量原料。本发明催化剂可以用于单段单剂的加氢裂化工艺,或先裂化后精制的加氢裂化工艺,或与其它类型的加氢裂化催化剂配合,用于最大量生产清洁燃料。

4A沸石的制造方法:在含有硅酸钠的铝酸钠溶液中,氧化铝、氧化钠、二氧化硅,通过添加4A沸石晶种,制得4A沸石。4A沸石的钙离子交换能力260-320mg/g,水吸附能力24-27wt.%。产品4A沸石与铝酸钠母液固分离后,母液中的残留二氧化硅不大于2g/l。

Y型沸石的制备方法:包括将一种原料Y型沸石与一种含水蒸汽的气氛接触,所述含水蒸汽的气氛含有一种气体混合物,该气体混合物由蒸汽、以氨、氯化氢和/或氟化氢及氯化铵和/或氟化铵的混合物形式存在的氨组分及氯和/或氟组分组成,以所述气体混合物为基准,氨的含量为50ppm至30重%,氯和/或氟的含量为50ppm至15重%,接触的温度为450-700℃,接触时间为1-10小时。

生产用作清洁剂助洗剂的沸石-A的工艺:包括:i)稀释从拜尔法中得到的作为母液的铝酸钠溶液,并调节Al#-[2]O#-[3]-Na#-[2]O摩尔比;ii)彻底混和碱、水和硅酸钠以获得SiO#-[2]-Na#-[2]O摩尔比在范围内,且H#-[2]O-Na#-[2]O在范围内的混合物;iii)在持续搅拌下,向室温的硅酸钠溶液加入温度在50-60℃范围内的热铝酸钠溶液,以得到合成混合物/结晶溶液,其组分的摩尔比为:SiO#-[2]-Al#-[2]O#-[3]在范围内,Na#-[2]O-SiO#-[2]在范围内,H#-[2]O-Na#-[2]O在范围内;iv)在持续搅拌条件下,在室温至95℃范围内的温度下对结晶溶液加热45-75分钟范围内的一段时间;V)通过过滤和洗涤回收沸石-A,然后干燥并粉化。

高硅丝光沸石制备方法:主要解决以往技术中涉及苯吸附值低的高硅丝光沸石及其制备方法的问题。本发明通过采用以水玻璃、硅溶胶或硅胶为硅源,铝盐或铝酸盐为铝源,以及无机酸、无机碱为原料,在附加试剂氨存在下,反应混合物的摩尔比:NH#-[3]/Al#-[2]O#-[3]=0.5~4、Na#-[2]O/Al#-[2]O#-[3]=1~10、SiO#-[2]/Al#-[2]O#-[3]=12~30、H#-[2]O/Al#-[2]O#-[3]=200~ 2000,在晶化温度为120~250℃,晶化时间为4~400小时下直接合成的技术方案,较好地解决了上述技术问题,可用于芳烃歧化与烷基转移的工业生产中。

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