在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法：公开的在硅衬底上制备硅基发光薄膜的方法，包括在经过清洗的硅片衬底上热氧化生长一层氧化硅薄膜，再在其上沉积一层掺有一种或多种金属元素如锰、钛、铈、铽、铱、钇、铅、镍、钴、钙、铒、铕、铪、锶、镧、镝等的锌或含锌化合物薄膜，最后通过高温热处理使锌或含锌化合物薄膜与氧化硅膜发生反应形成晶体结构的发光硅酸锌薄膜，其发光波长与掺杂元素的种类有关。本发明提出了制备高效、稳定的硅基发光薄膜的方法。它简单、易行，而且与硅集成电路器件工艺兼容。
采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法：传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀，孔径比较大，界面不平整，腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀方法也有自身的缺点，化学反应产物不能有效地快速扩散出来。而且以这些方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用超声的特性，在电化学腐蚀多孔硅的同时加上超声，更加优化了腐蚀条件。得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。
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