利用水热技术制备高光致发光效率CdTe纳米晶的方法：涉及一种高光致发光效率CdTe半导体纳米晶的制备方法，包括制备水溶性CdTe前驱体溶液、前驱体溶液在反应釜内的晶化生长等两个步骤。水溶性CdTe纳米晶前驱体溶液合成阶段所用原料为镉盐、离子型碲源、巯基小分子。镉盐可以是CdCl#-[2]等；离子型碲源可以是NaHTe等；巯基小分子可以是巯基乙酸、巯基丙酸、巯基甘油等。镉盐、离子型碲源、巯基小分子的摩尔比率为1∶ 0.1～0.8∶2.4。CdTe前驱体溶液在不锈钢反应釜中在100～200℃温度内加热，加热时间的不同可以得到不同发光颜色的CdTe纳米晶。用本发明方法所制备的纳米晶具有澄清、透明、发光效率高、荧光峰峰宽较窄的特点。
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