氮化铝单晶薄膜及其制备方法：采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法 ，将抛光的(100)γ-LiAlO2晶片置于流动或密封氨气气氛环境中，在室温至800℃的温度范围内，保温0.1至120 小时，对(100)γ-LiAlO2晶片表面进行氮化处理，在(100)γ-LiAlO2晶片表面获得一层高度c轴取向的(0001)氮化铝薄膜。这种表面覆盖有(0001)氮化铝薄膜的(100)γ-LiAlO2晶片的表面粗糙度明显降低，稳定性得到明显提高。用本发明方法制备的氮化(100)γ-LiAlO2晶片可作为衬底用于外延制备GaN、氮化铝、InGaN、 ZnO等宽禁带半导体薄膜、厚膜以及功能器件。
使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由W层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成c轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件具有在基板上顺序形成下部电极、压电体薄膜、上部电极的叠层结构，并且没有隆起、裂纹或剥离，其特征在于，下部电极由W的(111)面与基板面平行的取向性W层形成，而且压电体薄膜由摇摆曲线半价宽度(RCFWHM)为小于等于2.5°的c轴取向氮化铝薄膜形成。
刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法。具体包括如下步骤：(1)沉积氮化铝薄膜；(2)制备微掩模图形；(3)对氮化铝薄膜进行图形化：置入等离子体刻蚀真空腔中，产生氟基混合气体等离子体，利用物理轰击、化学反应或者两者综合作用对非图形区域的氮化铝薄膜进行刻蚀；(4)去除掩模层。本发明可以对微器件中的氮化铝薄膜进行高质量的图形加工，其优势在于图形质量高、对器件中的金属电极无腐蚀性、反应产物对环境友好。
集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al) 基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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