锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，所得载体材料适于无标记电学检测技术的基因芯片。通过使用锑掺杂氧化锡溅射靶材，利用磁控溅射法在普通玻片上制备出锑掺杂氧化锡薄膜，然后对薄膜进行羟基化、氨基硅烷化、醛基化修饰，制得醛基修饰的基因芯片用锑掺杂氧化锡薄膜载体材料。采用本发明制备的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低等特性，可以实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析，非常适用于作为无标记电学检测技术的基因芯片载体材料。本发明还具有制备工艺简单易行，成本低廉，易于实现工业化生产的特点。
一种基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料:一种钽掺杂氧化锡薄膜载体材料，它由普通玻片或单晶硅片基底材料、钽掺杂氧化锡薄膜及醛基活性修饰层组成，并且钽掺杂氧化锡薄膜的成分为下列质量百分含量：Ta 0.8～8.2％；Sn 70.9～78％；O 20.9～ 21.2％。所提供的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低以及生物相容性好等特性，能够实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析，该载体材料适于采用无标记电学检测技术的基因芯片。本发明还具有制备工艺简单易行，成本低廉，易于实现工业化生产等特点。
一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法，其特征在于：该薄膜材料的分子通式可表示为GaxInySn1-x-yO2，其中X的取值范围为0.09～0.15，y的取值范围为0.15～0.25，两者之比满足0.55≤X/y ≤0.65；采用下列制造步骤：1)以纯度皆为99.99％的锡、铟、镓为原料，用真空融炼法制作铟镓锡三元合金磁控溅射靶材；2)取上述靶材，按常规直流磁控溅射工艺，在普通玻璃上沉积铟镓锡合金薄膜；3)将上述合金薄膜置于空气或氧气中，在400℃～550℃的情况下热氧化1～2小时，形成铟镓共掺的P型二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：导电薄膜材料晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。
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