锑化铟薄膜的制造方法：首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb+Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In层，最后对上述元件在高纯氮气保护下进行结晶化处理，这种InSb薄膜的制造方法有效地保证了制得InSb膜层中In和Sb的配比接近理论值，大大提高了所制得InSb薄膜的电子迁移率，使之在霍尔元件制造中具有实用价值。
化合物半导体锑化铟薄膜真空蒸镀方法，其特征在于它采用单电源双蒸发舟的加热蒸镀技术，把蒸镀装置中的两个蒸发舟并联连接后接到同一加热电源上，使加到两个蒸发舟两端的电压始终相等，同时，在制作蒸发舟时，使两个蒸发舟的电阻之比为１／１０～４／５之间。用本发明方法，其蒸镀装置结构简单，成本低，易操作控制，大大提高了真空镀膜的质量。它既能同时同步调节蒸发舟功率，又能保证两蒸发舟功率之比有良好的重复性。
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