高密度铟锡氧化物靶材制造方法：用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法，其特征为：具有较高的密度，相对密度大于98％；成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料，用化学共沉淀法制造ITO粉，然后将ITO粉经热压成型，得到的压块经加工研磨后，制成ITO靶材。这种靶材可以用来制造透明导电薄膜。
铟锡氧化物靶材的制备方法：包括铟锡混合盐溶液的制备、溶液的均相共沉淀、沉淀物的煅烧、氧化物脱氧、冷等静压、热等静压等步骤，其特征在于：所述的均相共沉淀的添加剂为柠檬酸或酒石酸；煅烧是将沉淀物在温度、氧气浓度的条件下，于隧道窑中进行；脱氧是在温度300-600℃，氢气流量1-3立方米/小时，反应时间15-60分钟，脱氧率控制6-20％的管式炉中进行；冷等静压二次成型的压力和保压时间分别是80-120MPa、1-5分钟和150-200MPa、5-10分钟；热等静压是将坯件置于具有隔离材料的包套中，在热等静压机中进行烧结。主要用于液晶显示。
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