抛光浆料：该抛光浆料包括至少一种研磨颗粒、一种氧化剂和一种载体；该氧化剂是结合在金属有机大分子上的；还公开了该抛光浆料的用途和使用方法。本抛光浆料抛光衬底时可以保持高的研磨速率，抛光后的衬底表面无腐蚀、缺陷率低、平整度高。
铜的化学机械抛光所用的浆料和方法：铜抛光浆料可以通过将下列物质组合在一起而形成：螯合有机酸缓冲体系，如柠檬酸和柠檬酸钾；研磨剂，如胶体二氧化硅。这种铜抛光浆料在集成电路的制造中很有用，具体地说，在铜和铜扩散阻断层的化学机械抛光中很有用。另一种铜抛光浆料可通过进一步与氧化剂如过氧化氢，和/或腐蚀抑制剂如苯并三唑相组合而形成。按照本发明的浆料的优良性质包括：Cu的移除速率提高到＞3000埃每分钟。与现有技术相比，在获得这一较高的抛光速率的同时维持了局部pH的稳定性，并显著减少了整体和局部腐蚀。局部pH的稳定能够减少晶片内部的不均一性并减少腐蚀缺陷。而且，铜扩散阻断层，如钽或氮化钽，也可利用不包括氧化剂在内的此类浆料进行抛光。
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