生长金红石晶体的方法：采用高频感应加热的单晶生长装置，通过射频发生器让射频线圈产生的涡流电磁场对生长原料加热使其缓慢熔化。围成圆筒的铜管和基座通水冷却，使生长原料外层形成一层未熔化的外壳，作为生长原料自身的坩埚。生长原料的主要原料是二氧化钛，加入块状体和粉末的金属钛作为引燃剂。同时加入两种稳定剂。因为加入的引燃剂是金属钛，这是属于同成分引燃，不会破坏钛氧八面体的配位结构，有效地避免了非同成分助熔剂所带来的散射颗粒。加入的第一种稳定剂能够减少和消除因氧空位产生的晶体色心缺陷。加入的第二种稳定剂能够有效地减少甚至消除小角晶界。总之，采用本发明的生长方法，提高了金红石晶体的完整性。
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