含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷液相烧结法：其特征在于所述的碳硼铝化合物相的组成为Al#-[8]B#-[4]C#-[7]。具体工艺是，首先按酚醛树脂溶液∶B#-[4]C粉∶Al比例的烧结助剂按α－SiC粉料的2～15％(质量)加入；其次，具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物∶SiC球∶无水乙醇；最后，在流动Ar气保护下，烧结材料，烧结温度为1800℃－1950℃，保温时间1－4小时，在烧结过程C－ B#-[4]C－Al烧结助剂反应合成Al#-[8]B#-[4]C#-[7]，从而生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。比常用的以B#-[4]C和C作为烧结助剂的热压工艺低200℃。
用水为分散剂以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法：采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆（料），采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯，用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法，调整生（素）坯的孔径分布和单位体积碳含量，生坯经干燥后，经１５５０～２１６５０℃真空下或１８５０～２０５０℃氩气气氛下渗硅烧结２小时，制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。
高强度碳化硅泡沫陶瓷制备方法：该泡沫陶瓷筋的相对密度大于90％，平均晶粒尺寸在10nm～10μm。其是以热解后能保持高残碳率的高分子材料为原料，以聚胺酯泡沫塑料为骨架，经挂浆、固化、热解、渗硅处理制备最终得到的。用本方法制备的碳化硅陶瓷泡沫体密度高、强度高，孔隙体积和尺寸易亍控制，并且制作成本较低。
高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法：其特征在于采用稀土氧化物和氮化铝为助烧结剂。可在1800℃-1900℃的较低温度下获得高性能的SiC陶瓷，其压痕硬度可达到20GPa以上，韧性可达到 6-8MPa.m#+[1/2]，显著提高了SiC陶瓷的性能。
酚醛树脂作为结合剂的碳化硅陶瓷常温挤压成形方法：其特征在于：包括11个工艺步骤；碳化硅粉料、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉；添加醇溶性、水溶性酚醛树脂，常温挤压成形，经烘干处理，得到具有一定强度的碳化硅冷端部成型坯体。用本方法制出的碳化硅坯体密度高，固化温度低，变形小、强度高，固化后可加工，节约能源，公害小，综合成品率达到90％以上。
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