用于生产结构陶瓷的共晶复合粉末烧结助剂制备方法：该烧结助剂由：Al2O3，M2O3，TMO2，SiO2和MgO中任一组合为开始材料，用高温熔融固化法制得的对应组合的共晶复合陶瓷，分别经压碎研磨而成的粒度为0.5-50μm、微结构为层状或棒状的共晶复合粉末。用本技术烧结的SiC等结构陶瓷，可相对降低烧结温度和烧结压力，提高陶瓷的密度、强度和硬度。
温度补偿型陶瓷组合物、烧结助剂系统及层压陶瓷组件：一种用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物，其包含式（Ⅰ）Ｂａ↓［ｗ］（Ｎｄ↓［ｘ］Ｓｍ↓［ｙ］）↓［２］Ｔｉ↓［ｚ］Ｏ↓［ｗ＋３ｘ＋３ｙ＋３ｚ］所代表的主陶瓷材料系统与式（Ⅱ）（Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｂ）Ｏ所代表的烧结助剂材料系统，其中式（Ⅰ）所代表的主陶瓷材料系统包含：１０－３０摩尔％的氧化钡，１０－３０摩尔％的氧化钕，０－２０摩尔％的氧化钐及４０－７０摩尔％的二氧化钛，式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统的含量为５－４０摩尔％，其中式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统包含：１－５重量％的氧化镁，１－５重量％的氧化铜，５－３０重量％的氧化锌，２０－６０重量％的氧化铋，５－１０重量％的氧化铝及１至２０重量％的氧化硼。本发明还涉及如上述的烧结助剂系统，以及一种层压陶瓷组件，其由用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物制得。
一种用预制的YAG纳米粉作为烧结助剂的碳化硅陶瓷生产工艺：是碳化硅陶瓷的液相烧结生产技术。本发明提供一种新的技术方案。本发明的技术方案是用预制的ＹＡＧ纳米粉作为烧结助剂。本发明提供的技术方案有助于避免因Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］等分布不均而带来的对产品品质的负面影响。本发明提供的技术方案还有助于降低烧结温度，提高碳化硅陶瓷产品的品质。
烧结助剂、陶瓷组合物、陶瓷、陶瓷电子部件和陶瓷电子部件的制备方法：用于添加在陶瓷基材中的、与上述陶瓷基材共同烧成而制备烧结陶瓷材料的烧结助剂。该烧结助剂含有氧化铜、氧化钛和氧化铌。在其组成用ｘＣｕＯ－ｙＴｉＯ↓［２］－ｚＮｂＯ↓［２．５］（ｘ、ｙ、ｚ是摩尔比，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）表示时的三成分组成图中，ｘ、ｙ和ｚ在点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ为顶点的四角形ＡＢＣＤ区域内：Ａ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５００，０．２５０，０．２５０）Ｂ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３００，０．２５０，０．４５０）Ｃ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．６４０，０．０４０，０．３２０）Ｄ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３８４，０．０４０，０．５７６）。使用该烧结助剂，抑制陶瓷基材特性劣化的同时能够得到烧成温度低的陶瓷材料。
以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法：一种采用氮化硅镁作为烧结助剂制备高热导、高强度氮化硅陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。本发明中高热导、高强度Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］陶瓷是由α－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］粉和ＭｇＳｉＮ↓［２］按１００∶９～３的质量比例混合，采用热压烧结技术制备的。在制备过程中，先将原料在２ＭＰａ压力下成型，然后装入石墨模具中，在１０～３０ＭＰａ、１７００℃～１８００℃、保温时间１～２０小时热压烧结。本发明制备的氮化硅陶瓷具备高的热导率的同时仍可保持高的强度，其中热导率可达１２５Ｗｍ↑［－１］Ｋ↑［－１］、三点抗折强度σ↓［ｂ］达８００ＭＰａ。
一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法，它是一种将磷酸盐引入氮化硅，并通过冷压后无压烧结的方法得到的氮化硅基复合陶瓷，包括氮化硅粉体和磷酸盐粉体，磷酸盐粉体包括磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的１０～２０％，原料的纯度均在９９％以上，粒径在１～２０μｍ。制备方法为：首先将氮化硅粉体和磷酸盐粉体按照质量比８∶２～９∶１配比混合，原料的纯度均在９９％以上，粒径在１～２０μｍ，其次是混合粉末的预压成型和冷等静压处理，最后对其进行无压烧结，其中，磷酸盐粉体为磷酸钙或磷酸铝，其质量占总质量的１０～２０％。本发明具有成本低，工艺简单，制成效率高等优点，而且还具有可以制备复杂形状构件的特点，适于制造航天防热等核心零部件。
采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法，属于陶瓷透氧膜功能材料领域。本方法是将固相法制备的钡钴铁铌粉体与助烧剂球磨混合均匀，经过干燥、造粒、压片等工序在高温炉中烧结而成。添加的烧结助剂在膜片的烧结过程中产生液相，产生的液相润湿固体颗粒，使颗粒间的间隙形成毛细管，在毛细管压力作用下，颗粒发生重排，填实并排除部分气孔，促进了透氧膜陶瓷膜片的致密化。本方法增大了合成致密钡钴铁铌膜片与材料融化温度的间隔，有利于管式透氧器件的烧成，有效解决了制备钡钴铁铌膜片在较低温度下不致密或高温下易熔化的问题，工艺过程简便，所需设备简单，助烧剂种类常见。
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