一种金属纳米晶薄膜的制备方法,该方法包括:A.在绝缘衬底上淀积一层金属薄膜;B.在惰性气体中高温快速退火,形成分离的金属纳米晶薄膜。利用本发明制备的金属纳米晶薄膜,具有很好的电荷俘获和存储特性,能够与传统的硅平面工艺兼容,非常适合于适于制作高性能的半导体存储器件。利用本发明提供的制备金属纳米晶薄膜的方法,大大简化了制备工艺,降低了制备成本,提高了工艺稳定性和制备效率,非常有利于本发明的广泛推广和应用。
金属包纳米晶复合粉的制备方法,属于电接触材料技术领域。对多种金属材料采用纳米技术和包覆法,其制备步骤是先将添加物粉如镍粉、氧化锡粉、碳化钨粉、石墨粉等制成纳米晶,其颗粒在13nm左右,然后在添加物粉表面覆盖一层金属,添加物粉的颗粒表面的原子与金属离子呈化学键结合。按照原子扩散方式对复合粉进行处理,便获得颗粒间呈金属键结合的银包氧化物纳米晶的复合粉体。这种复合粉制成的电接触材料,其性能如密度、硬度、电阻率和导电度均达到或超过国外同类材料水平,具有显著的经济效益。
制备金属单质纳米晶体材料的方法,适合铜、银、铅、钯、锡、锑等金属纳米晶体材料的制备。用熔融的复合碱金属氢氧化物溶剂,在常压和100～300℃下通过化学反应合成,所用的原料为可溶无机金属盐和锌粉或铁粉,合成过程中成本低,反应过程中的各种参数易于监测和控制,环境污染少,反应体系均匀性好,工艺简单,生产容易放大;而且所得到的金属晶体结晶好、表面洁净、尺寸均匀,适合对其进行本征性能的研究和最大限度发挥纳米晶体材料的功能。金属纳米晶体材料金属单质纳米材料具有金属性、电气和电子性能、磁性、化学性能、热性能及发光性等特性,广泛用于超导、化工、医学、光学、电子、电器等行业。
以上全套技术资料优惠价280元：包括所有项目的配方、工艺流程、施工规范等。
