纳米二氧化硅抛光剂制备方法：所说的抛光剂由ＳｉＯ#-[２]粉体、水、分散稳定剂、润湿调节剂、ｐＨ调节剂和表面处理剂组成，ＳｉＯ#-[２]的含量最高可达６０％（ｗｔ．），产品的粘度＜０．１Ｐａ．ｓ，重力沉降性能为一年以上，是一种性能优良的ＣＭＰ技术用的抛光材料，能用于硅片的粗抛和精抛以及ＩＣ加工过程，特别适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工，也可用于晶圆的后道ＣＭＰ清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多晶化模组、微电机系统、光导摄像管等的加工过程，其抛光质量和抛光速度均优于国内外同类产品。
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