集成电路封装工艺电镀铜凸柱技术:一种先进的芯片尺寸封装技术中铜凸柱的新制备方法,重点包括:1.选用合适的材料做掩膜制具,该掩膜制具具有较高的机械强度、抗弯强度、化学惰性及良好的绝缘性能。2.根据集成电路(IC)的封装要求,制备形成铜凸柱的通孔,并做小角度的倒角。3.该掩膜制具含有套刻标记,可与集成电路晶圆光刻对准。在使用时,该掩膜制具被紧密贴放在需要形成铜凸柱的晶圆上,然后置于电镀液中进行电镀。待铜柱在圆孔中形成后,再将掩膜制具取下,进行高温回流(REFLOW)处理,最终形成所述芯片尺寸封装(CSP)用的铜凸柱。
钛合金电镀铜工艺方法,利用本方法可显着地提高钛合金镀铜的活化效果,且活化时间短,对零件无腐蚀,渗氢量小,环境污染轻。本发明通过下述技术方案予以实现:(1)用吹砂+化学活化对钛合金零件进行表面活化;在常温条件下,用金钢砂对零件进行喷砂处理,然后用含有盐酸和乌托品化学活化液进行活化;(2)在镀镍电镀溶液中对上述活化后的钛合金零件进行预镀镍;(3)在氰化镀铜溶液中,用0.5～0.8A/DM2的电流密度,对钛合金零件进行镀铜。
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