还原法制备氧化亚铜纳米线的方法：将水溶于树脂聚乙二醇或丙烯酸脂和氯化铜溶于去离子水中，经搅拌完全溶解后，在搅拌条件下向该溶液中滴加的氢氧化钠溶液，彻底而全部生成兰色的氢化化铜沉淀，然后在恒定搅拌速率下向兰色的氢氧化铜沉淀溶液中滴加水合肼溶液。待兰色的氢氧化铜沉淀全部被还原成红色的氧化亚铜沉淀后，用去离子水洗涤红色的氧化亚铜数次，然后过滤，减压干燥即得。本发明方法实验过程简单，不需要复杂的工艺条件，便于工业化生产。
利用氧化铝模板生长锗纳米线的方法：包括首先采用阳极氧化的方法制备纳米多孔氧化铝模板，模板上的纳米孔径的孔为六角柱形并与模板面垂直呈有序并行排列，然后在纳米多孔氧化铝模板的背面生长一层金膜作为催化剂，再把镀金的纳米多孔氧化铝模板放入化学气相沉积装置的生长室，以高纯锗烷为生长气源，氮气为保护气体，在500～800℃温度下反应生长锗纳米线。用本发明方法生长纳米锗线的直径和长度可控，并可以得到阵列化的纳米锗线。
合成不同晶型二氧化锰一维单晶纳米线的方法：以二价锰盐与过硫酸铵(高锰酸钾、次氯酸钠)为原料，以硫酸铵为原料添加剂，在密闭反应器中，于100～220℃的温度下进行水热反应，通过控制反应温度、反应时间和原料，可合成出不同晶型、不同长径比的一维二氧化锰单晶纳米线，即可选择性合成不同晶型二氧化锰(如 α、β)一维单晶纳米线。该方法原料廉价易得，工艺简单，成本低，产品质量稳定，易于实现控制且工艺重复性好；可广泛用于锂离子电池、分子筛等以及相关领域的基础理论研究。
氧化锆纳米线的合成方法：涉及一种纳米陶瓷材料的制备工艺。该方法是以氧氯化锆(ZrOCl#-[2]·8H#-[2]O)、草酸(H#-[2]C#-[2]O#-[4]·2H#-[2]O)为原料，在室温下，分别配制氧氯化锆(ZrOCl#-[2])与草酸(H#-[2]C#-[2]O#-[4])水溶液，并在不断搅拌氧氯化锆(ZrOCl#-[2])溶液的情况下，将草酸(H#-[2]C#-[2]O#-[4]) 水溶液慢慢加入到氧氯化锆ZrOCl#-[2]溶液中，然后继续不断地搅拌，得到锆溶胶；然后将多孔氧化铝膜浸入到所得的锆溶胶中，待10分钟后，在压力为1.3MPa情况下加压 5小时；将经处理过的膜从溶胶中取出，在红外灯下烘干，再在500℃、氩气氛下常压焙烧 5小时，即得到氧化锆纳米线阵列。该方法工艺简单，原料易得，可合成出直径为50～300 纳米，长度大于 10微米的氧化锆纳米线。本发明可望在催化、涂料、氧传感器、陶瓷增韧、固体氧化物燃料电池等诸多领域中得到广泛的应用。
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