铟锡氧化膜的制造方法：提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10-3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10-3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理。成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。
氧化铟锡膜用浸蚀液：提供一种ITO膜用浸蚀液，该浸蚀液含有浸蚀氧化铟锡的有机酸以及吸附于氧化铟锡膜表面、具有使表面电位为负电位的性质且分子内部不含有苯环的阴离子型表面活性剂。该浸蚀液使得对ITO膜进行快速浸蚀成为可能，并且能够在不增加水质负荷的情况下进行废水处理。
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