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1. 栅极二极管非易失性存储器工艺
2. 具有扩散阻挡结构的栅极二极管非易失性存储器
3. 具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件
4. 栅极控制变容管结构及其生产方法
5. 新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠
6. 基于矩阵栅极式阴极的电解加工方法及阴极系统
7. 虚拟体接触的三栅极
8. 集成多栅极电介质成分和厚度的半导体芯片及其制造方法
9. 具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件及其制造方法
10. 通过全半导体金属合金转变的金属栅极MOSFET
11. 液晶显示装置及对第二栅极线的驱动方法
12. 可减少栅极驱动电路数量的电路及液晶显示装置
13. 栅极的制造方法
14. 一种可减小N型掺杂栅极电阻的栅极侧墙制作方法
15. 一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法
16. 整合于显示面板的栅极驱动电路及其制作方法
17. 包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法
18. 双栅极半导体的制造方法
19. 一种非易失性储存器件选择栅极的制作方法
20. 具有增强的容许过擦除的控制栅极方案的存储器结构
21. 栅极控制振荡的高频热合机电路
22. 滚珠栅极阵列型集成电路芯片用连接器
23. 滚珠栅极阵列型集成电路连接器
24. 太阳能充电仪栅极
25. 滚珠栅极阵列型集成电路晶片用连接器及端子结构
26. 多媒体电子枪第二栅极激光焊接机下模
27. 大功率场效应管的栅极驱动器
28. 彩色显像管电子枪中的第四栅极
29. 检测彩色显像管电子枪中的第五栅极顶上零件节距偏心规
30. 用于检测彩色显像管电子枪中的第五栅极顶下零件塞规
31. 显像管栅极脉冲发生器
32. 栅极驱动器和包括该栅极驱动器的显示装置
33. 具有能量恢复电路的栅极驱动器装置
34. 具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法
35. 具有凹入的栅极电极的半导体器件的集成方法
36. 在SONOS闪存中的双倍密度核心栅极
37. 分离栅极快闪内存单元的字符线结构及其制造方法
38. 用于提高MOS性能的引入栅极的应变
39. 制造有高介电常数栅极电介质半导体器件的选择刻蚀工艺
40. 使用镶嵌栅极工艺的应变硅沟道MOSFET
41. 分离栅极快闪存储单元及其制造方法
42. 在乏硅环境下使用等离子增强化学气相沉积制程的金属栅极的氮氧间隔体的形成方法
43. 提高快闪存储器元件中栅极耦合比的制造方法及结构
44. 制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法
45. 处理栅极结构的方法
46. 形成栅极结构的方法
47. 一种形成凹槽栅极结构的方法
48. 一种具有扩散阻障层的栅极结构及其制作方法
49. 分离栅极型非易失性存储器的制造方法
50. 使用风力涡轮发电机以产生且供应连续电力至远离功率栅极位置的方法与装置
51. 金属硅化物层设于源、漏区域上及栅极上的半导体器件及其制造方法
52. 具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法
53. 玻璃栅极结构的碳纳米管场致发射平面显示器及制作工艺
54. 抑制栅极氧化膜劣化的方法
55. 在半导体器件中形成栅极的方法
56. 具有金属栅电极和硅化物触点的FET栅极结构
57. 形成用于半导体器件的栅极结构的方法和半导体器件
58. 具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法
59. 液晶显示器的栅极驱动方法与电路
60. 栅极氧化物的选择性渗氮
61. 具有低栅极电荷和低导通电阻的半导体器件及其制造方法
62. 绝缘栅极型半导体装置及其制造方法
63. 液晶显示器的栅极驱动装置和方法
64. 制造凹式栅极结构的方法
65. 用于聚焦栅极的动态聚焦电压
66. 带有均匀掺杂沟道的低压高密度沟槽栅极功率器件及其边缘终止技术
67. 通过体偏压调节器减小的栅极电压限制
68. 用于改善等离子氮化栅极电介质层中氮分布的方法
69. 栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法
70. 集成电容器装置,尤其是集成栅极电容器组
71. 无栅极离子助镀器
72. 多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
73. 浮置栅极的形成方法
74. 半导体装置及其金属栅极的形成方法
75. 使用金属氧化物形成双重栅极氧化物器件的方法及其合成器件
76. 制造垂直栅极半导体器件的方法
77. 具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法
78. 不带栅极印刷电路板和软性印刷电路的液晶显示装置
79. 利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法
80. 利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法
81. 栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法
82. 具有开凹槽的栅极的FET及其制造方法
83. 形成凹槽栅极轮廓的方法
84. 具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法
85. 形成不同厚度的双栅极绝缘层的方法
86. 形成半导体栅极的方法
87. 半导体存储器件及其使用镶嵌栅极和外延生长的制造方法
88. 栅极结构及其制造方法及具此栅极结构的金氧半导体元件
89. 一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法
90. 高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元
91. 功率组件的栅极驱动电路
92. 形成栅极结构及自对准接触孔结构的方法
93. 一种栅极电泳锆粉涂层的涂覆方法
94. 低阻T-栅极MOSFET器件及其制造方法
95. 可电擦只读存储器及减少栅极氧化物的损坏的方法
96. 自对准分离栅极与非闪存及制造方法
97. 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计
98. 具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法
99. 一种用于双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极解码器
100. 自行对准三分式栅极非挥发性存储元件的制造方法
101. 具有独立制作的垂直掺杂分布的栅极结构
102. 自我对准浮置栅极的浅沟渠结构制造方法
103. 用于在休眠状态下减轻栅极漏泄的方法和电路
104. 多重栅极结构及其制造方法
105. 具有T形栅极电极的半导体器件及其制造方法
106. 注入有金属物质的蚀刻阻挡层的金属栅极叠层构造
107. 栅极接触窗的形成方法
108. 具有栅极板的场发射显示器
109. 用于双栅极逻辑器件的中间制品
110. 具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
111. 栅极驱动电路
112. 磁隔离栅极驱动器
113. 通过利用原子氧氧化提高栅极活性的方法
114. 一种制造具有高k栅极电介质的半导体器件的方法
115. 三栅极器件及其加工方法
116. 微珠去栅极毛刺法
117. 闪存浮动栅极的制造方法
118. 形成不同栅极间隙壁宽度的方法
119. 具有使用凹切栅极的局部SONOS结构的闪存及其制造方法
120. 具有较低栅极电荷结构的沟槽MOSFET
121. 分离栅极式快闪存储器及其制造方法
122. 具有沟槽型选择栅极的快闪存储器及制造方法
123. 到栅极的自对准接触
124. 金属斜角蚀刻结构、源极/漏极与栅极结构及其制造方法
125. 浮置栅极存储单元及其制造方法
126. 具有位于基底内的选择栅极的闪存单元及其制造方法
127. 分离栅极快闪存储器单元及其制作方法
128. 电子管控制栅极
129. 具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法
130. 分离栅极闪存单元及其制造方法
131. 可升级的自对齐双浮动栅极存储单元阵列以及形成该阵列的方法
132. 用于LCD或OELD的具有多栅极结构的结晶硅TFT板
133. 堆叠栅极闪存阵列
134. 双功函数金属栅极结构及其制造方法
135. 在栅极电极上具有硅层的半导体器件
136. 纵型栅极半导体装置及其制造方法
137. 有机集成电路的具有无电势栅极的逻辑门
138. 栅极驱动器、具有该器件的显示装置及驱动该器件的方法
139. 晶片的清洗方法以及栅极结构的制造方法
140. 液晶显示栅极驱动电路及面板充电时间调整方法
141. 根据电性测试数据控制栅极绝缘层的性能及特征的方法以及执行方法的系统
142. 栅极绝缘膜的形成方法、存储介质、计算机程序
143. 用于产生栅极叠层侧壁隔片的方法
144. 三栅极器件及其加工方法
145. 半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法
146. 在闪存装置的栅极间形成介电层的方法
147. 制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法
148. 高度集成化栅极结构的平板显示器及其制作工艺
149. 双栅极结构的平板场致发射显示器及其制作工艺
150. 蚀刻金属氧化物半导体栅极构造的氮氧化方法
151. 利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
152. 利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
153. 形成T型多晶硅栅极的方法
154. 具有反射层与栅极的场发射显示器
155. 具有反射层与栅极的场致发射显示器构造
156. 具有深沟槽电容器的多栅极动态随机存取存储器及其制法
157. 一种用于填充球栅极阵列模板的设备和方法
158. 栅极驱动部分和具有该栅极驱动部分的显示设备
159. 使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法
160. 具有U字型栅极结构的半导体器件
161. 磨平栅极材料以改善半导体装置中的栅极特征尺寸的方法
162. 具有分离栅极的双栅极半导体装置
163. 多层堆栈栅极结构及其制作方法
164. 在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法
165. 双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法
166. 每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列
167. 金属硅化栅极及其形成方法
168. 具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法
169. 包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法
170. 电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法
171. 分裂栅极非易失存储器单元及其形成方法
172. 沟槽-栅极半导体器件的制造方法
173. 沟槽-栅极半导体器件的制造
174. 局部金属硅化的取代栅极
175. 使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法
176. 改进负偏压分配的浮置栅极非易失性存储器结构
177. 浮动栅极非易失性存储器及其制作方法
178. 用于减少CMOS图像传感器中的暗电流的接地栅极和隔离技术
179. 用于减少CMOS图像传感器中的暗电流的接地栅极和隔离技术
180. 包含栅极驱动器的液晶显示器面板
181. 一种能够提高电荷保存能力的浮动栅极
182. 改善栅极多晶硅层电阻值的方法
183. 分离式栅极快闪存储器及其制造方法