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39. 在半导体表面制造T形栅极的方法
40. 用于电压驱动型功率开关器件的栅极驱动电路
41. 构成半导体器件栅极的方法
42. 用于产生电视机中阴极射线管栅极电压的电路
43. 具有改善性能特性的栅极电子管
44. 降低电荷泵电路内传输门的栅极电压的电路和方法
45. 利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
46. 形成快闪存储器的浮置栅极的方法
47. 制备多硅化物栅极的方法
48. 具有改进的第一栅极的彩色阴极射线管
49. 带有自对准单元的MOS栅极器件的制造方法
50. 带栅极的电子枪
51. 具有双栅极半导体器件的制造方法
52. CMOS中关断态栅极氧化层电场的减小
53. 硬激励栅极可关断可控硅的栅极单元
54. 堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法
55. 快闪存储器分离栅极结构的制造方法
56. 具有分离栅极与源极注射的快闪存储器及其制造方法
57. 显像管控制栅极电压的产生电路
58. 用于电压驱动开关元件的栅极控制电路
59. 栅极
60. 栅极
61. 具有用于避免反向电流的后栅极浮动型MOSFET的电动机驱动装置
62. 具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法
63. 用于减少栅极结构中掺杂剂向外扩散的方法和装置
64. 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
65. 非挥发性吸气材料涂敷的平面屏栅极的生产工艺及产品
66. 形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
67. 绝缘栅型半导体元件的栅极电路
68. 彩色显像管的免测量帘栅极校准
69. 栅极电路
70. 利用栅极感应漏极漏电流的快闪存储单元
71. 电压驱动开关元件的栅极驱动电路
72. 彩色显像管栅极脉冲发生器
73. 使用栅极电压控制的单端输入电压电平转换器
74. 碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件
75. 绝缘栅功率半导体的栅极驱动
76. 彩色显像管中电子枪的G栅极
77. 在金属镶嵌栅极工艺中形成自对准接触焊盘的方法
78. 带自对准栅极的快闪存储单元及其制造方法
79. 单侧镀铂的耐火金属板以及延展的金属栅极的制备方法
80. 制作包含顶部栅极型TFT的有源矩阵器件的方法和装置
81. 栅极偏置结构
82. 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
83. 用于在一个衬底上形成不同厚度的双栅极氧化层的方法
84. 低电阻率栅极导体的半绝缘扩散势垒
85. 一种激励液晶显示器栅极的方法
86. 多晶硅化钨栅极的制造方法
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89. 金属栅极形成方法
90. 以镶嵌工艺形成栅极的方法
91. 以C－V法测量等效栅极沟道长度的方法
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93. 制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法
94. 带栅极氧化物保护的快速高压电平移位器
95. 双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元及其操作方法
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97. 闪存中浮置栅极的制造方法
98. 具有双重栅极氧化物层的半导体组件的制造方法
99. 一种不同厚度栅极氧化层的制造方法
100. 改善分离栅极式闪存氧化层品质的方法
101. 分离栅极式闪存的制造方法
102. 双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法
103. 自我对准分离式栅极非挥发性存储单元及其制造方法
104. 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
105. 制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法
106. 热加强球型栅极阵列封装的金属芯基质印刷接线板及方法
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108. 双边栅极驱动式液晶显示器及像素结构
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110. 半导体器件栅极的制造方法
111. 半导体器件栅极的制造方法
112. 带栅极的气体传感器
113. 制造双栅极FET的方法
114. 移位缓存器、栅极驱动电路及具有倍帧频率的液晶显示器
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116. 增加控制栅极与浮动栅极间重叠面积的存储装置及其制法
117. 金属碳化物栅极结构和制造方法
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120. 一种用于高压漏极扩展NMOS的栅极耦合的防静电保护结构
121. 包括集成栅极驱动器的显示装置
122. 栅极侧壁层的形成方法
123. 半导体器件的栅极制造方法
124. 栅极侧壁层的形成方法
125. 形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法
126. 制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法
127. 半导体器件中凹陷栅极的制造方法
128. 评估栅极介质层电性参数及形成栅极介质层的方法
129. 防止相邻栅极相互影响的半导体器件及其制造方法
130. 具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法
131. 栅极驱动器、光电装置、电子设备以及驱动方法
132. 降低导电层与掩模层间应力的方法以及制造栅极的方法
133. 具有凹进式控制栅极的半导体存储器装置的操作方法
134. 具有不同阻挡特性的栅极电介质的半导体器件
135. 用于使用适应DV/DT控制的D类音频放大器的栅极驱动器
136. 浮置栅极的制造方法与非易失性存储器的制造方法
137. 栅极驱动电路、显示装置及改善显示装置的方法
138. 分离栅极闪存的故障检测方法
139. 自对准堆叠栅极及其制造方法
140. 制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法
141. 具有凹槽栅极的半导体器件的制造方法
142. 分离栅极快闪存储器的制造方法
143. 包括局部控制栅极的非易失性存储设备及相关方法和设备
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145. 栅极触点在有源区上的像素和形成所述像素的方法
146. 制造具有凹槽栅极的半导体器件的方法
147. 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
148. 制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法
149. 栅极及其制造方法
150. 半导体器件的栅极制造方法和半导体器件
151. 半导体器件的栅极制造方法
152. 金属氧化物半导体器件栅极的制造方法
153. 半导体器件的栅极制造方法和半导体器件
154. 栅极制作方法
155. 半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
156. 半导体器件栅极结构的形成方法及半导体器件
157. 栅极的制造方法
158. 栅极侧墙的制造方法
159. 制造具有球形凹陷栅极的半导体器件的方法
160. 栅极导通电压发生器、栅极截止电压发生器和液晶显示器
161. 液晶显示器及其栅极驱动电路
162. 补偿栅极驱动信号的延迟的液晶显示装置、系统和方法
163. 栅极氧化层制作方法
164. 栅极结构、包含栅极结构的器件及其制造方法
165. 栅极导体结构及其形成方法
166. 采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路
167. 半导体器件栅极的制作方法及调整方法
168. 半导体器件的栅极形成方法
169. 半导体器件的栅极形成方法
170. 浮置栅极的制造方法及存储器的制造方法
171. 浮置栅极的制造方法及存储器的制造方法
172. 用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法
173. 一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
174. 栅极电极及其形成方法
175. 栅极结构及其制造方法
176. 形成半导体器件栅极的方法
177. 制造具有栅极堆叠结构的半导体器件的方法
178. 半导体器件中形成金属图案和形成栅极电极的方法
179. 具有改良的槽沟道栅极的半导体器件及其制作方法
180. 具有栅极结构的半导体器件及其制造方法
181. 栅极驱动电路结构及显示面板
182. 具有不同厚度栅极氧化物的ESD结构
183. 栅极二极管非易失性存储器的操作