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1. 带有动态背栅极偏置和短路保护的自举二极管仿真器
2. 栅极驱动单元及具有该栅极驱动单元的显示装置
3. 一种用热解石墨材料制造大功率电子管栅极的方法
4. 带有三栅极发射体阴极控制电路的平板显示器及其制作工艺
5. 移位寄存器、具备其的栅极驱动电路和显示板及其方法
6. 用于在低电源电压操作中产生电压参考的浮动栅极模拟电压电平移位电路和方法
7. 蓄电池栅极板
8. 多阶分离栅极快闪存储器
9. 形成FinFET装置中的栅极以及薄化该FinFET装置的沟道区中的鳍的方法
10. 用于形成双金属栅极结构的处理过程
11. 形成通过加入硅来调整功函数的金属栅极结构的方法
12. 平面显示器与栅极驱动电路与栅极驱动方法
13. 带有双栅极发射体阴极控制结构的平板显示器及其制作工艺
14. 可控制栅极结构长度的刻蚀工艺
15. 多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
16. 单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法
17. 产生用于MOSFET沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的结构和方法
18. 具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件
19. 半导体器件及用于形成栅极结构的方法
20. 伞形栅极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
21. 使用调幅射频能量的栅极介电层的等离子体氮化方法和设备
22. 背栅极场发射显示器的一种阴极结构及其制备方法
23. 制作双层栅极介电层的方法
24. 具有减少栅极耗尽的掺杂栅极电极的FET及形成该FET的方法
25. 具有多个组件浮置栅极的电可擦可编程只读存储器
26. 利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
27. 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法
28. 闪存器件的栅极形成方法
29. 半导体装置与浮动栅极存储器
30. 具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法
31. 绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
32. 半导体装置与形成栅极间隔物的方法
33. 定制图像传感器中的栅极功函数
34. 液晶显示器的栅极控制信号产生装置及方法
35. 分裂栅极存储单元及制造其阵列的方法
36. 分裂栅极存储单元及制造分裂栅极存储单元阵列的方法
37. 整合具有不同功函数的金属以形成具有高K栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法
38. 用于高性能器件的金属替换栅极的结构和方法
39. 一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
40. 单个或多个栅极场板的制造
41. 栅极驱动器、栅极驱动器修复方法及显示面板
42. 混合双极-MOS沟槽栅极半导体器件
43. 栅极与具有此种栅极的快闪存储器的形成方法
44. 栅极介电层及其形成方法
45. 利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法
46. 移位寄存器电路与改善稳定的方法及栅极线驱动电路
47. 形成闪存存储器件的高电压区域的栅极氧化膜的方法
48. 具埋入式栅极总线的功率半导体器件及其制法
49. 内存装置以及使用正栅极应力以回复过度擦除存储单元的方法
50. 分离的多晶SiGe/多晶Si合金栅极堆叠
51. 用于驱动平板显示器中栅极线的设备和方法
52. 具有动态背栅极偏置的自举二极管仿真器
53. 沟槽栅极场效应器件
54. 栅极驱动电路
55. 自动对准镶嵌栅极
56. 用于垂直分离栅极NROM存储器的装置和方法
57. 使用自激栅极电路的调光控制技术
58. 控制金属栅极叠层中平带/阈值电压的方法及其结构
59. 多晶硅栅极掺杂方法
60. 沟槽栅极场效应器件
61. 具有带有有效栅极驱动的同步整流的未调整DC-DC转换器
62. 带有副栅极的背栅结构的平板显示器及其制作工艺
63. 三栅极器件及其加工方法
64. 纵型栅极半导体装置及其制造方法
65. 用于集成替换金属栅极结构的方法
66. 制造具有凹陷栅极结构的半导体器件的方法
67. 深沟槽内栅极氧化层上的脆弱点的消除
68. 具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法
69. 制造氮化氧化硅栅极介质的方法
70. 控制半导体装置栅极形成的方法
71. 多重栅极集成控制阵列结构的平板显示器及其制作工艺
72. 角形栅极阵列控制结构的平板显示器及其制作工艺
73. 具有双栅极双向HEMT的高效涌流限制电路
74. 用于电源开关器件的隔离式栅极驱动器电路
75. 栅极长度不取决于光刻法的纵向栅极CMOS
76. 减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法
77. 分离栅极快闪存储器及其制造方法
78. 具有低栅极电阻和缩小源极接触空间的高密度沟槽MOSFET
79. 非对称浮动栅极与非型快闪存储器
80. 用于半导体制造的栅极掺杂物激活方法
81. 立体多栅极元件及其制造方法
82. 于浮动栅极存储单元中用于低Vss电阻及减少漏极引发能障降低的结构及方法
83. 栅极驱动器,包括该栅极驱动器的电动机驱动装置,以及配备该电动机驱动装置的设备
84. 使用由栅极引起的接面泄漏电流的快闪存储器编程
85. 使用高K材料与栅极间编程的非易失性存储单元
86. 具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法
87. 液晶显示装置的栅极驱动器及其驱动方法
88. SONOS栅极结构及其形成方法
89. 用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法
90. 栅极驱动电路
91. 栅极驱动电路和带有该电路的显示设备
92. 凹向栅极型阵列结构的平板显示器及其制作工艺
93. 平面双栅极半导体器件
94. 利用熔丝测试栅极氧化物的方法与装置
95. 用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序
96. 移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
97. 分离式栅极快闪存储单元及其形成方法
98. 球面圆环型栅极调控结构的平板显示器及其制作工艺
99. 具有浮置栅极的非易失性存储器件以及形成其的相关方法
100. 平板电容结构和平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法
101. 多偏置多种栅极的模拟电路结构及相关方法
102. 形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法
103. 全硅化金属栅极
104. 形成栅极介电层的方法
105. 双栅极动态随机存取存储器及其制造方法
106. 高压MOS管栅极氧化膜结构及其生长方法
107. 闪存器件的浮置栅极的制造方法
108. 自对准浮置栅极阵列的形成方法及包括该阵列的闪存器件
109. 非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法
110. 去除栅极结构中硬膜层的方法
111. 用于优化射频放大器的栅极偏压的装置及其方法
112. 浮动栅极存储单元
113. 栅极驱动电路及其驱动方法
114. 栅极驱动电路及其驱动电路单元
115. 形成半导体器件的双栅极的方法
116. 非挥发性存储器与浮置栅极层的制造方法
117. 用等离子体处理改进包含高k层的栅极电介质叠层的方法和系统
118. 生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
119. 用于限制浮动栅极之间的交叉耦合的屏蔽板
120. 具有改进的内部栅极结构的半导体辐射检测器
121. 栅极驱动单元和具有该栅极驱动单元的显示装置
122. 具有周围栅极结构的半导体器件及其制造方法
123. 具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法
124. 双栅极非挥发性储存单元、阵列及制造方法与操作方法
125. 栅极驱动电路
126. 一种补偿MOS器件栅极漏电流的装置及方法
127. 具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法
128. 双栅极多位元半导体记忆阵列
129. 多晶-硅-锗栅极叠层及其形成方法
130. 双栅极CMOS的制造
131. 栅极叠层
132. 形成栅极图形的双重曝光双重抗蚀剂层工艺
133. 分离栅极式存储单元及其形成方法
134. 半导体器件栅极结构的制造方法
135. 栅极驱动电路、液晶显示装置以及电子装置
136. 具有球形凹陷栅极的半导体器件的制造方法
137. 绝缘栅极半导体器件及其生产方法
138. 多阶式栅极结构及其制备方法
139. 栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
140. 嵌壁式栅极结构及其制备方法
141. 栅极结构及其制造方法
142. 液晶显示装置及其栅极信号调变方法、栅极信号调变电路
143. 用于在CMOS器件中形成自对准双重全硅化栅极的方法
144. 液晶显示装置、栅极驱动电路及其驱动电路单元
145. 绝缘栅极型半导体装置
146. 带有均匀掺杂沟道的低压高密度沟槽栅极功率器件及其边缘终止技术
147. 栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法
148. 制作栅极与蚀刻导电层的方法
149. 用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极
150. 一种基于金属基板的场发射显示器栅极板及其制备方法和应用
151. 带自对准栅极的快闪存储单元的制造方法
152. 具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件
153. 具有相对于鳍以一角度延伸的控制栅极的非易失存储器
154. 逆变器的开关器件的自适应栅极驱动
155. 栅极驱动电路和具有该栅极驱动电路的显示装置
156. 在虚接地阵列中的浮动栅极单元的装置与制造方法
157. 栅极驱动电路及具有该栅极驱动电路的显示装置
158. 完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法
159. 在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构
160. 浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器
161. 制造具有高K栅极介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
162. 闪速存储器件的栅极的形成方法
163. 半导体器件中凹陷栅极的制造方法
164. 降低场效应管中漏极延迟和栅极延迟的体触点结构和方法
165. 具有凹陷栅极的半导体器件及其制造方法
166. 栅极导通电压发生器、驱动装置和显示设备
167. 存储器件分离栅极的制造方法
168. 闪存器件分离栅极的制造方法
169. 多栅极电晶体及其制造方法
170. 带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件
171. 通过利用穿过栅极介质电流的电化学处理的栅极叠层设计
172. 制造有较大栅极耦合比例的浮动栅极存储元件的装置及方法
173. 带有波浪形沟槽或栅极的半导体器件及其制造方法
174. 用于最大负载效率的栅极驱动器拓扑结构
175. 浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法
176. 浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法
177. 双边栅极驱动型的液晶显示器及其驱动方法
178. 栅极驱动器和具有所述栅极驱动器的显示装置
179. 栅极结构的制造方法
180. 栅极结构的制造方法
181. 分离栅极快闪存储装置及其制造方法
182. 栅极驱动电路
183. 制造氮化栅极电介质的方法