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1. 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
2. 外延衬底及其制造方法
3. 在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法
4. 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
5. 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
6. 通过外延形成半导体器件的方法
7. GaN半导体材料的异质外延方法
8. 超高真空化学气相淀积外延系统的张合式取放片机械手
9. 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统
10. 半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件
11. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
12. 蓝宝石基板、外延基板及半导体装置
13. 外延基底和半导体元件
14. 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
15. 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法
16. 集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器
17. 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
18. 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
19. 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
20. 双异质外延SOI材料及制备方法
21. 改进的侧向外延法
22. 固态半导体装置用的外延基板、固态半导体装置及其制法
23. 硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
24. 用于在SIC薄膜上外延生长适用表面的处理的方法
25. 外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
26. 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
27. 外延生长方法
28. 外延生长法
29. 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
30. 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
31. 垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构
32. 提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法
33. 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
34. 选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法
35. 化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法
36. 化合物半导体外延基板的制造方法
37. 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
38. 铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
39. GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法
40. 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
41. 利用固相外延再生长的具有降低的掺杂轮廓深度的半导体衬底及其制作方法
42. 外延沉积的源极/漏极
43. 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa-XN单晶薄膜
44. 使用固相外延法形成半导体器件接触的方法
45. 使用固相外延的半导体器件及其制造方法
46. 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
47. 利用固相外延再生长的具有降低的结泄漏的半导体衬底及其制作方法
48. 具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法
49. GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法
50. 具有外延生长量子点材料的太阳能电池
51. 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
52. 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
53. 减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷
54. 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法
55. 使用紫外线辐射使含硅薄膜低温外延生长的方法
56. 透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法
57. 固相熔剂外延生长法
58. 复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法
59. 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
60. 一种用于激光分子束外延设备中的衬底加热器
61. 硅-锗外延生长的产率改进
62. 砷化镓基微米量子阱结构及其外延生长方法
63. 利用原位掩膜进行外延生长氮化物单晶薄膜的方法
64. Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
65. 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
66. 稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法
67. 高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法
68. Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
69. 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
70. 混合外延支撑件及其制作方法
71. 蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜
72. Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
73. 具有控制定位的衬托器的外延反应器
74. 用于扩展外延生长晶格结构的修复方法
75. 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
76. 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法
77. 用于生长悬臂外延的衬底及其制造方法
78. 具有外延源区和漏区的金属栅晶体管
79. 一种重掺砷衬底的硅外延方法
80. 外延反应器冷却方法及由此冷却的反应器
81. 不需荧光粉转换的白光GaN发光二极管外延材料及制法
82. 具有用于阵列晶体管的外延SiC和/或碳化的沟道的低暗电流图像传感器
83. 自对准外延生长的双极型晶体管
84. 氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底
85. 具有选择性气体供应的选择性外延制程
86. 外延深水海域香螺养殖方法
87. 使用激光退火进行固相外延再结晶
88. 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统
89. 用于外延反应器的基座以及操作基座的工具
90. 高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法
91. 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
92. 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
93. 外延型软恢复二极管
94. 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
95. 在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢
96. 一种制作高压器件沟道的非外延方法
97. 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
98. 用于高密度、低能量等离子增强气相外延的系统和工艺
99. 一种利用外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法
100. 采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺
101. 外延炉尾气净化器
102. 垂直结构的半导体外延薄膜封装
103. 外延氧化物膜、压电膜、压电膜元件、使用压电膜元件的液体排出头、以及液体排出装置
104. LCD高压驱动电路的伪外延高压结构的制造方法
105. 一种外延阴极电化学共沉积技术制备金属、合金、金属氧化物和合金氧化物复合粉的方法
106. 采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺
107. 半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法
108. 一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
109. 外延薄膜形成的方法与装置
110. 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
111. 变容二极管用硅外延材料制备方法
112. 低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法
113. 氮化镓薄膜外延生长结构及方法
114. GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件
115. 一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
116. 化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法
117. 复合氮化物半导体结构的外延成长
118. 外延炉废气净化器
119. 外延图形漂移量的测量方法
120. 一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法
121. 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
122. 一种缩短外延尾气处理器维护时间的方法及装置
123. 一种外延尾气处理器快速维护的方法及装置
124. 一种采用液相外延法制备膜的方法
125. 一种氮化物材料外延装置
126. 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
127. 用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法
128. 测量外延生长中图形畸变的方法
129. 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
130. 一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟
131. 制备无排除区的外延用结构的工艺
132. 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)In
133. 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
134. 一种用于GaN外延的衬底的加工方法
135. 干式蚀刻以及外延沉积工艺及装置
136. 硅外延生长室预处理的方法
137. 校正外延反应腔温度的方法
138. 外延薄膜表面保护测试技术
139. 一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法
140. 外延基板及其制造方法及发光二极管装置的制造方法
141. 在形成外延膜期间使用的气体歧管
142. 用于减小场效应晶体管中的接触电阻的外延硅锗
143. 监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法
144. 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
145. 在硅上无金属合成外延半导体纳米线的方法
146. 一种氮化物薄膜外延生长的方法
147. 外延膜厚的测试方法
148. 半导体薄膜的选择性外延形成
149. 一种压力可控的外延顶笔装置
150. 测量外延生长中图形畸变的方法
151. 在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法
152. 硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法
153. 一种氮化物材料的外延方法
154. Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法
155. 蓝宝石衬底发光二极管芯片的外延生长方法
156. 选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法
157. 半绝缘外延的碳化硅及相关的宽带隙晶体管
158. 选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法
159. 静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺
160. 外延室中基板的预清洁
161. 化合物半导体外延基板及其制造方法
162. 用于外延制程的晶圆承载盘
163. 一种制取分子束外延级高纯度金属镓的方法
164. 由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
165. 对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的设备及操作方法
166. 具有自锁定功能的外延生产用可控压力顶笔装置
167. 具有自动警示功能的外延生产用可控压力顶笔装置
168. 一种氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法
169. -微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
170. 通过超快退火非晶材料外延硅碳替位固溶体
171. 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法
172. 生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法
173. 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法
174. 一种采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法
175. 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备
176. 外延钢筋骨架的建筑网板
177. 外延钢筋骨架的建筑钢丝网
178. 双模式控制的远红外延时照明开关
179. 红外延伸遥控装置
180. 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
181. MP机的外延播放设备
182. 无内胎轮胎腔内压缩气体外延冷却式车轮
183. 外延式钢楼承板
184. 箱体外延式汽车
185. 注塑机注射装置的外延式导杆
186. 高温超导带材化学溶剂法连续动态外延生长超导薄膜装置
187. 带来电信号输出插孔的手机及来电信号有线外延装置
188. 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
189. 外延炉尾气净化器