2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
1. 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
2. 缓变晶格外延层的生长
3. 氮化镓外延层的制造方法
4. 生长非常均匀的碳化硅外延层
5. 在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备
6. 在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
7. 硅锗外延层的制造方法
8. 包含硅和碳的外延层的形成和处理
9. 锗硅HBT雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流模型
10. 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
11. 氮化镓外延层的制造方法
12. 硅外延层的形成方法
13. 一种用于形成如图 5所示具有衬底(2)、带有至少一个沟槽(52)的电压维持外延层(1)、以及邻接并环......
14. 厚外延层上进行投影光刻的方法
15. 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
16. 形成外延层的方法和设备
17. 通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器
18. 一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法
19. 氮化物半导体外延层的生长方法
20. 用于较高雪崩电压操作的具有外延层的瞬态电压抑制器
21. GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
22. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
23. 能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置
24. 控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法
25. 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
26. 厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法
27. 氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法
28. 生长非常均匀的碳化硅外延层
29. 一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法
30. 利用微影区域迭对测量仪监控硅单晶外延层层错状况的方法
31. 在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件
32. 重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法
33. 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
34. MOVCD生长氮化物外延层的方法
35. GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
36. 通过使用外延层减小三维晶体管的外电阻的方法和结构
37. GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
38. 一种氮化镓外延层转移方法
39. 分离外延层与衬底的方法
40. 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法
41. 一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法
42. 硅碳外延层的选择性形成
43. 用于硅外延层生长的有源气体流量控制装置
44. 控制外延层形成期间形态的方法
45. 具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法
46. 含硅外延层的形成
47. 能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置
48. 外延覆层金属带及其制造方法
49. 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
50. 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
51. 用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备
52. 多层外延砷化镓的双源法和装置
53. 绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
54. 具有外延掩埋层的沟槽电容器
55. 带有外延隐埋层的沟槽式电容器
56. 带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器
57. 第Ⅲ族元素氮化物层的单步骤悬挂和侧向外延过生长
58. 包含梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构
59. 用于通过氢化物气相外延法制造自支撑半导体衬底的半导体衬底和掩模层及所述自支撑半导体衬底的制造方法
60. 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
61. 在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜
62. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
63. 用于外延涂层的金属带及其制造方法
64. 具有外延的C-硅化钛（TiSi）层的半导体装置及其制造方法
65. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
66. 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
67. 包括基底以及于其上异质外延沉积的硅和锗的层的多层结构及其制造方法
68. 外延生长层的制造方法
69. 制造外延生长层的方法
70. 通过外延成长且高介电常数的应变层使MOSFET具有机械性应力的通道
71. 通过在牺牲层上的异质外延制造包含Ⅲ-氮化物的自承基材的方法
72. 有至少一个具有光催化性能的叠层/所述层的异质外延生长的下层的基材，特别地玻璃基材
73. 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法
74. 具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法
75. 基于氮化铝缓冲层的硅基C-碳化硅异质外延生长方法
76. mm薄层外延工艺
77. 利用桶式外延炉进行BICMOS电路的埋层外延方法
78. 具有不规则且高低起伏多层量子井的发光元件外延结构
79. 包括外延生长在单晶衬底上的石墨烯层的器件
80. 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
81. 在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法
82. 用于外延膜层形成的集束型设备
83. 在支撑衬底上通过外延获得的非晶材料中制造包括至少一个薄层的结构的方法和根据该方法获得的结构
84. 空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法
85. 形成含碳外延硅层的方法
86. 液相外延用双层石英管反应器