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1. 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
2. 用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
3. 硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
4. 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
5. 液相外延生长薄膜的衬底夹具
6. 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
7. 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8. 光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法
9. 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
10. 屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法
11. 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
12. 用于穿通非外延型绝缘栅双极型晶体管的缓冲区的氢注入
13. 具有过热性质种膜作籽晶液相外延生长超导厚膜材料
14. GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
15. 应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法
16. 薄膜半导体外延衬底及其生产工艺
17. 一种外延反应器,基座和气流系统
18. 使用外延插值技术对具有目标的图象信号编码的方法及装置
19. 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
20. 用于半导体器件的外延膜生长方法
21. 作为半导体外延薄膜生长用衬底的方铁矿结构氧化物
22. 利用外延插值技术处理带有目标的图象信号的方法及装置
23. 化合物半导体的气相外延工艺
24. 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
25. 一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
26. 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
27. 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
28. 磷化镓液相外延方法及装置
29. 一种高发光效率的磷化镓外延材料
30. 砷化镓／磷化铟异质气相外延技术
31. 无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法
32. 外延沉积
33. 液相外延等电子掺杂工艺
34. 砷化镓衬底上的混合并质外延
35. 半导体气相外延的减压方法及系统
36. 同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
37. 通过液相外延生长的M-XNXTiAS-a<
38. 带外延反相声音道管音箱
39. 双外延导音管低音音箱
40. 一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
41. 冰箱功能外延伸用的蓄冷剂
42. 外延向上生长方法和器件
43. 用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
44. 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
45. 八音琴动力外延装置
46. GaN/AlO复合材料在Ⅲ－V族氮化物外延生长中做衬
47. 一种原位检测直接带隙AlxGa-xAs分子束外延薄膜材料组分方法和装置
48. 中枢神经系统轴突外延调节剂,以及包含和使用该调节剂的组合物,细胞和方法
49. 单晶外延沉积的方法和系统
50. 外延圆筒反应器用的冷却系统和操作方法
51. 利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
52. 超高真空化学气相淀积外延系统
53. 外延生长用气体的供给方法及其装置
54. 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
55. 钇钡铜氧高温超导双面外延薄膜
56. 临界温度典型值为K的钕钡铜氧高温超导外延薄膜
57. 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
58. 探测与监控薄膜外延生长和热退火的光反射差法及装置
59. 绝缘体基外延硅寄生双极效应的消除
60. 利用液相外延技术制作微型硅构件的方法
61. 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
62. 在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法
63. 用于求解有限域上方程系统的设备和用于逆运算外延域元素的设备
64. 用选择性面外延产生的垂直光学腔
65. 分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法
66. 从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
67. DH－Ga－xAlxAsLED液相外延材料结构优化设计
68. 用于一个外延反应器的反应腔
69. 在感应式外延反应器中用自调平真空系统处理衬底的装置与方法
70. 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法
71. 用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法
72. 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法
73. 接续氢化物汽相外延
74. 半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备
75. 开管式碲镉汞外延材料热处理方法
76. 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
77. 电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与技术
78. 在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法
79. 氮化铝外延生长法及所用生长室
80. 在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
81. III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件
82. 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
83. 一种激光外延定向凝固技术
84. 一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
85. 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
86. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
87. 一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法
88. 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
89. 有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法
90. 活性碳的选择性外延工艺
91. 表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜
92. 检测外延单晶正常成长的方法
93. 利用选择外延构造NPN晶体管的方法
94. 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
95. 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
96. 将反应气体引入反应室的设备及应用该设备的外延反应器
97. 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置
98. 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置
99. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
100. 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
101. 无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件
102. 一种防止母液粘舟的液相外延石墨舟
103. 在硅凹陷中后续外延生长应变硅MOS晶片管的方法和结构
104. 外延生长La-xCaxMnO单
105. 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
106. 一种氮化镓基外延膜的制备方法
107. 碳化硅二次外延结构
108. 液相外延生长薄膜的衬底夹具
109. 单板机直接数字控制外延设备
110. 外延圆弧曲面三角皮带轮
111. 磷化镓液相外延装置
112. 一种半导体气相外延反应管
113. 直立多片挤压式液相外延石墨舟
114. 带外延反相声音道管音箱
115. 双外延导音管低音音箱
116. 八音琴的外延轴
117. 带外延插孔的耳机插头
118. 红色发光磷化镓液相外延舟
119. 用光反射差法探测和监控薄膜外延生长的装置
120. 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器
121. 氧化膜外延设备
122. 多片立式旋转液相外延石墨舟
123. 外延双曲线螺旋杆
124. 用于外延生长的原位应力光学监控装置
125. 一种缩短外延尾气处理器维护时间的装置
126. 一种外延尾气处理器快速维护的装置
127. 用于校正外延基座位置的工具
128. 外延型软恢复二极管
129. 外延炉尾气净化器
130. 一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置
131. 氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法
132. 一种发光二极管外延结构
133. 基于外延的CMOS或BiCMOS工艺中提供三阱的方法
134. 利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法
135. 用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法
136. 从一个认证外延模块出发的数据认证程序和装置
137. 残肢骨端体外延伸直连假肢
138. 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法
139. 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
140. 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
141. 分子束外延生长设备和控制它的方法
142. 宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法
143. 利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜
144. 一种提高基站及外延设备高温工作能力的方法
145. 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
146. 用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体
147. 处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件
148. 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
149. 可保持图形完整性良好的厚外延方法
150. 碳化硅肖特基器件的外延边端及制造组合该边端的碳化硅器件的方法
151. 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
152. 用于带有向外延伸的存取板的模块化容器的支架
153. 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
154. 液相外延制备铁电厚膜的方法
155. 半导体存储器件及其使用镶嵌栅极和外延生长的制造方法
156. 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
157. 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件
158. 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
159. 具有向外延伸的加强凸缘的饮料罐端部
160. 外延生长用气体的供给装置
161. 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
162. 适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法
163. 金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
164. 外延生长基座与外延生长方法
165. 外延薄膜
166. 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
167. 在绝缘体上的外延半导体结构和器件
168. 绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法
169. 具有其内形成有空隙区的外延图形的集成电路器件及其形成方法
170. 用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件
171. 一种用于扩散、氧化、外延工艺的清洗溶液
172. 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
173. 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
174. 一种在金属基底上形成织构外延膜的方法
175. 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
176. 改善氢化物汽相外延法制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法
177. 带有外延生长控制装置的衬托器以及使用该衬托器的外延反应器
178. 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
179. 外延生长方法
180. 使用氧化、减薄和外延再生长的组合的SiGe晶格工程学
181. 无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件
182. 籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法
183. 应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法
184. 生长高阻氮化镓外延膜的方法
185. 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
186. 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
187. 稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法
188. 外延生长方法以及外延生长用衬底
189. 一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法
190. 单面抛光衬底外延薄膜厚度和光学参数的测量方法