2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
1. 发光二极管外延片电致发光无损检测方法
2. 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
3. 复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片
4. 外延片及其制造方法
5. A1GalnP系的发光二极管和用于制作该二极管的外延片
6. 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
7. 一种无掩膜半导体外延片制作方法
8. 硅外延片及其制造方法
9. 一种确认抛光外延片主参考面位置的方法
10. 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
11. 网格状分立的发光二极管外延片及其制造方法
12. 带有保护膜的硅抛光片与外延片
13. 发光二极管芯片和外延片光强测试仪
14. DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延片
15. 半导体外延片性能自动测试装置及其测试方法
16. 半导体外延片自动焊接装置及其焊接方法
17. 表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片
18. 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
19. GaP外延片及GaP发光元件
20. MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法
21. 以Ge-B共掺直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片
22. 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件
23. 用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
24. 5″功率MOS管用硅外延片的制造方法
25. 硅外延片的制造方法及硅外延片
26. MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法
27. 一种GaN基LED外延片及其制备方法
28. GaN基LED外延片及其制备方法
29. 发光二极管用外延片和发光二极管
30. 6″VDMOS管用硅外延片的制造方法
31. 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
32. 6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法
33. 一种IGBT硅外延片的制造方法
34. 半导体外延片的压焊方法
35. 半导体外延片的压焊结构
36. 硅外延片
37. 一种GaN基量子阱LED外延片及制备方法
38. 可同时发射不同波长光的GaN基LED外延片及其制备方法
39. 一种GaN基LED外延片及其制备方法
40. 硅反外延片的制造方法及其专用设备
41. LED芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置
42. 一种元胞形成方法和一种具有外延片的晶圆
43. 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5......
44. 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法
45. 外延片的制造方法
46. 介质隔离集成电路外延片及其制备方法
47. 硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮
48. 氮化镓外延片的快速检测方法
49. 实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统
50. 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法
51. 硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法
52. 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置
53. PIN开关管用硅外延片
54. 铟镓铝氮外延片的倒装焊结构
55. 一种应用于液相外延晶片的固定装置
56. 消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片
57. 形成具有洁净区的外延硅片的方法和装置
58. 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片
59. 用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件
60. 外延晶片及其制造方法以及具有增强亮度的发光二极管
61. 外延晶片及其制造方法
62. 用于红外发光二极管的外延生长晶片和红外发光二极管
63. 外延晶片、其制造方法和化合物半导体衬底的表面清洗方法
64. 红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件
65. 砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
66. 制作发光二极管外延晶片的方法
67. 基本无生长缺陷的外延硅片
68. 电阻率测量用外延晶片的制备工艺
69. 硅外延晶片及其制造方法
70. 一种具有内部吸杂的外延硅晶片及其制备方法
71. 有本征吸气的外延硅晶片的制造方法
72. 在沿<>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
73. 外延晶片及其制造方法
74. 外延晶片及其制造方法
75. 外延测试片的制备方法
76. 形成硅外延测试片的方法
77. 一种IC片外延的工艺方法
78. 用于制造p-掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
79. 在硅片低温外延生长前去除自然氧化层的方法
80. 在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法
81. 外延涂覆半导体晶片及其制造方法和装置
82. 基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片
83. Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
84. 传送晶片的工具和外延生长台
85. 尖晶石基片和在基片上进行III-V材料的多相外延生长
86. 外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
87. 用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片
88. 发光二极管用外延晶片
89. 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
90. 在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法
91. 钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法
92. 外延晶片及元件
93. 半导体外延晶片
94. 硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法
95. 内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法
96. 具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法
97. 外延基片的制备方法
98. 制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片
99. 高电阻硅晶片的制造方法以及外延晶片及SOI晶片的制造方法
100. 硅外延晶片的制造方法
101. 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片
102. GaAs基板的洗涤方法、GaAs基板的制造方法、外延基板的制造方法以及GaAs晶片
103. 半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件
104. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
105. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
106. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
107. 外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法
108. 半导体外延晶片及其制造方法
109. 晶体管用外延晶片及晶体管
110. 再循环外延施予晶片的方法
111. 对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法
112. 外延晶片以及制造外延晶片的方法
113. 硅片外延线性缺陷的测定方法
114. 多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
115. 共用Ⅲ-Ⅴ化合物半导体晶片上集成器件外延晶片的制造方法
116. 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
117. 外延膜形成装置及其用的基座、外延晶片及其制造方法
118. 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
119. 激光二极管用外延晶片及其制造方法
120. 制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片
121. 半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件
122. 一种镀膜外延圆硅片表面及边缘的处理方法
123. 一种破碎镀膜外延硅片表面及边缘的处理方法
124. 半导体外延结晶基板的制造方法
125. 切断方法以及外延晶片的制造方法
126. 具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法