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1. 用于限制带有编码掩模的γ照相机出现解码伪像的装置
2. 用于制造显示设备的掩模
3. 非晶硅层的结晶方法及其光掩模
4. 形成掩模结构的方法和使用其形成微小图形的方法
5. 用于修补交替相移掩模的方法
6. 光掩模、曝光方法与仪器、图形制造、形成方法及半导体器件
7. 一种基于铝阳极氧化膜的复型纳米孔掩模板及其制备方法和应用
8. 光掩模、有源器件阵列基板及其制造方法
9. 用于基于全局优化的无掩模光刻光栅化技术的方法和系统
10. 图案形成用玻璃掩模及其制造方法和制造装置
11. 光掩模与曝光方法
12. 掩模保护膜去除装置及其方法
13. 一种两次曝光用长掩模版
14. 成膜装置的掩模对位机构以及成膜装置
15. 掩模保持机构以及成膜装置
16. 掩模夹具的移动机构以及成膜装置
17. 采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法
18. 硬掩模层与半导体元件的制造方法
19. 用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法
20. 一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法
21. 图像处理装置、掩模作成方法以及程序
22. 改变光掩模图案尺寸的方法
23. 掩模支撑座和蒸镀系统
24. 晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法
25. 光掩模盒
26. 一种采聚太阳能的掩模片
27. 支持机构及使用支持机构的掩模载台
28. 使用曝光掩模的曝光方法
29. 硅结晶化用的掩模、用其结晶化硅的方法及显示设备
30. 用于保存和使用光掩模的装置以及使用该装置的方法
31. 光刻设备和使用干涉测量和无掩模曝光单元的装置制造法
32. 滤色器掩模布局
33. 用于生成掩模的方法和设备
34. 灰度掩模、微透镜及其制造方法、空间光调制装置及投影机
35. 基于液晶掩模的激光冲击薄板无模成形的方法和装置
36. 抗蚀底膜的硬掩模层组合物及半导体集成电路装置的制造方法
37. 液晶面板、印制定向层的印刷掩模及定向层的制造方法
38. 光掩模的判定方法以及半导体器件的制造方法
39. 改进的CPL掩模及其制造方法和程序产品
40. 移相掩模
41. 使用接触型氮化物镶嵌掩模的局部镶嵌FinFET的制造
42. 半导体器件、布线图案形成方法和掩模布线数据产生方法
43. 用于PCB上器件的改进逸出的区域阵列布线掩模
44. 对碳基硬掩模进行开口的方法
45. TFT基板及其制造方法以及用于制造TFT基板的掩模
46. 记录数据生成方法、记录装置及掩模制造方法
47. 形成蚀刻掩模的方法
48. 曝光掩模、液晶显示装置及其制造方法
49. 激光诱导热成像掩模以及有机电致发光器件的制造方法
50. 液晶显示面板和用于制造该液晶显示面板的掩模
51. 灰调掩模及其制造方法
52. 灰调掩模及其制造方法
53. 具有补偿层的二元光掩模及其制造方法
54. 减反射硬掩模组合物
55. 可掩模编程的逻辑宏
56. 使用高选择性硬掩模形成沟槽的方法及使用该方法的半导体器件隔离方法
57. 器件制造方法、掩模和器件
58. 多晶薄膜的制造方法和掩模图案及显示装置的制造方法
59. 用于投影物镜像差检测的测试标记、掩模及检测方法
60. 曝光掩模
61. 曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法
62. 掩模、有机EL元件的制造方法及有机EL打印机
63. 制造能够改善图像质量的显示器基板的掩模
64. 掩模及其制法、成膜方法、电光学装置的制法及电子设备
65. 便于光掩模制造中的工艺集成的组合工具和方法
66. 双频率偏压化学气相沉积室和用其制造光掩模的方法
67. 掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法
68. 无掩模光刻实时图案光栅化和实现最佳特征表示的方法和系统
69. 聚焦确定法，器件制造法和掩模
70. 基于液晶掩模的氧化锌纳米晶体定向生长方法和装置
71. 在半导体器件上提供一致临界尺寸的光掩模及其制造方法
72. 集成电子电路的掩模形成
73. 半导体装置的硬质掩模用聚合物以及含有该聚合物的组合物
74. 形成用于离子注入的掩模图案的方法
75. 光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法
76. X射线光刻掩模版的制备方法
77. 将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法
78. 使用所选掩模的双大马士革铜工艺
79. 一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法
80. 掩模层与浅沟槽隔离结构的形成方法
81. 光学邻近校正法、光学邻近校正光掩模及导线结构
82. 用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法
83. 用于光掩模的大型玻璃基板及其制造方法、计算机可读记录介质以及母玻璃曝光方法
84. 用于彩色滤光片工艺的光掩模
85. 带膜部件的光掩模及膜部件
86. 灰色调掩模的缺陷校正方法
87. 显示装置、制造其的方法以及用于制造其的掩模
88. 掩模保持结构、成膜方法、电光学装置的制造方法、以及电子设备
89. 光掩模
90. 曝光方法和网目调型移相掩模
91. 用于定位掩模的方法和装置
92. 磁掩模保持器
93. 灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法
94. 光掩模及其制造方法、电子仪器的制造方法
95. 使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法
96. 激光结晶用的光掩模图案结构与阵列
97. 光掩模及其制造方法
98. 确定掩模布局中改善的辅助特征配置的方法和装置
99. 半色调掩模板及其制造方法
100. 电路结构及用以定义此电路结构的光掩模
101. 对准及叠对的标记、及其掩模结构与使用方法
102. 可调节透射率的半色调掩模版及其制造方法
103. 半色调掩模版及其制造方法
104. 使用激光掩模结晶的显示器件
105. 一种修补聚合物掩模的方法
106. 在半导体加工中蚀刻金属硬掩模材料的组合物
107. 光掩模布局图
108. 曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模
109. 半色调掩模板结构及其制造方法
110. 具有抗反射性和高碳含量的聚合物及含有该聚合物的硬掩模组合物以及形成图案化材料层的方法
111. 滤色器及其制造中所使用的光掩模
112. 光掩模图案的校正方法
113. 光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法
114. 光掩模充气柜结构
115. 掩模以及相关的光刻方法
116. 一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法
117. 使用间隔物作为蚀刻掩模制造半导体器件的方法
118. 光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法
119. 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
120. 掩模的布图方法
121. 为掩模设计执行数据准备的系统、方法和计算机可读媒体
122. 一种掩模版的制造方法
123. 光掩模充气柜结构
124. 带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜
125. 使用光纤对光敏材料进行图案化的无掩模方法与结构
126. 一种太阳敏感器光学掩模及其制造方法
127. 复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
128. 掩模图案以及其形成方法
129. 用以制造平面显示器的曝光方法和光掩模
130. 半导体器件中用硬掩模层的蚀刻斜坡形成精细图案的方法
131. 大尺寸光掩模基板的重复利用
132. 具有次解析度辅助特征的光掩模与其制造方法
133. 疏水性表面的掩模
134. 掩模的制造方法
135. 分解图案的方法、计算机可读介质、器件制造方法和掩模
136. 光掩模图案的校正方法
137. 光刻工艺监测标记用光掩模图案及其应用
138. 除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置及方法
139. 修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构
140. 无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法
141. 阵列基板制造用的光掩模、阵列基板及其制造方法
142. 掩模装置、其制造方法以及制造有机发光显示装置的方法
143. 低聚物探针阵列芯片、用于制造其的掩模以及使用其的杂交分析方法
144. 用于修复光掩模的桥接的方法
145. 制造光掩模的方法
146. 抑制混浊的光掩模及其制备方法
147. 用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法
148. 灰色调掩模的检查装置及制造方法、图案转印方法
149. 用于设计掩模的方法和设备
150. 中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法
151. 中心对称连续衍射元件掩模微结构图形转移方法
152. 快速完成掩模荫罩与工作荫罩紧密贴合的方法
153. 简易掩模版翻版夹具
154. 光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法
155. 一种用于制造光掩模的方法
156. 掩模装置及电子器件的制造方法
157. 用于半导体制造自动化的电子光掩模数据管理系统和方法
158. 彩色滤光片基板及图案化掩模
159. 用于光掩模刻蚀的终点检测
160. 掩模刻蚀工艺
161. 用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
162. 具有可变工艺气体分布的掩模刻蚀等离子体反应器
163. 具使蚀刻速度均匀分布的阴极的掩模蚀刻等离子体反应器
164. 印网掩模
165. 方法、对齐标记和硬掩模材料的使用
166. 用于检查交替相移掩模的方法和系统
167. 利用图案掩模的等离子体蚀刻法
168. 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法
169. 二元光学元件掩模的制作方法
170. 具有用于补偿掩模未对准的结构的薄膜晶体管基底
171. 用于降低的掩模偏置的分开的虚拟填充形状的方法和系统
172. 使用单一掩模形成图案的方法
173. 相移光掩模及其制造方法
174. 修复光掩模图案缺陷的方法
175. 刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法
176. 微型光学元件及其制造方法和光掩模
177. 形成半导体器件的硬掩模图案的方法
178. 掩模盒
179. 光掩模坯
180. 用于形成接触孔的掩模
181. 半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法
182. 基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法
183. 集成电路及形成集成电路的掩模组
184. 用于光刻装置的掩模对准标记及对准方法
185. 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
186. 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
187. 高清晰度掩模及其制造方法
188. 半导体器件的掩模图案及其制造方法
189. 显示面板、掩模及其制造方法
190. 多色调光掩模及其制法和基于此的薄膜晶体管基底的制法
191. 掩模制造方法、配线图案制造方法及等离子体显示器制造方法
192. 中间掩模、半导体芯片及半导体装置的制造方法
193. 器件和形成器件的方法以及掩模
194. 单掩模相变化存储元件
195. 半导体集成电路及其制造方法以及掩模
196. 掩模布局的形成方法及利用该方法所形成的布局
197. 使用层叠掩模制造用于垂直写极的环绕屏蔽件的方法
198. 用于检查制造集成电路器件中使用的掩模的设备和方法
199. 控制掩模轮廓以控制特征轮廓
200. 掩模图案生成方法
201. 在减少低-k介电材料损伤的同时去除掩模材料的方法
202. 掩模版装载工艺
203. 图案缺陷检查方法、光掩模制造方法和显示装置基板制造方法
204. 图案缺陷检查装置、图案缺陷检查方法及光掩模的制造方法
205. 光掩模和曝光方法
206. 采用在中央区域具有不变相位的相位掩模的改进调制传递函数的光学系统
207. 有机硅烷硬掩模组合物以及采用该组合物制造半导体器件的方法
208. 硬掩模叠层和图案化方法
209. 配线基板的制造方法和印刷用掩模
210. 图案形成方法以及灰阶掩模的制造方法