硅晶体管/锗晶体管/半导体晶体管/高压晶体管/多栅极晶体管/晶体管逆变器专利技术6

1. 减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法
2. 用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
3. 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
4. 基于晶体管栅极氧化物击穿的组合现场可编程门阵列
5. 输出晶体管的限流器
6. 具有可伸缩二晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备
7. 在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法
8. 一种基于绝缘栅双极性晶体管的中功率低压变频器
9. 具有介质应力产生区的晶体管及其制造方法
10. 具有优化的边缘结构的DMOS晶体管
11. 包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其读取和编程方法
12. 移除间隙壁的方法、金氧半导体晶体管元件及其制造方法
13. 横向双极结型晶体管
14. 形成金属氧化物半导体晶体管的方法
15. 半导体晶体管元件及其制作方法
16. 半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管
17. 晶体管电平移位电路
18. 自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法
19. 横向双扩散的MOS晶体管及其制造方法
20. 写操作期间使用恢复晶体管以防止非选定元件的干扰
21. 具有较好短沟道效应控制的MOS晶体管及其相应制造方法
22. 具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通电阻晶体管
23. p沟道MOS晶体管和半导体集成电路装置
24. 具有连接到高电势的降压晶体管的电路装置
25. 晶体管的制造
26. 横向绝缘栅双极型晶体管
27. 自驱动LDMOS晶体管
28. 通过使用外延层减小三维晶体管的外电阻的方法和结构
29. 具有内部器件的模块化晶体管外形罐
30. 用于高电压输入的上拉晶体管的栅极控制电路
31. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
32. 包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其读取和编程方法
33. 一种MOS晶体管及其制作方法
34. 一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
35. 晶体管阵列和有源矩阵基板
36. 使用低压晶体管的高压电源开关
37. 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
38. 具有凹沟道结构单元晶体管的半导体器件及其制造方法
39. 通过倾斜式预非晶化而减少受应变的晶体管中的晶体缺陷的技术
40. 采用Ⅲ族-N源极/漏极区的拉伸应变NMOS晶体管
41. 一种部分耗尽的SOI MOS晶体管及其制作方法
42. 金属基极纳米线晶体管
43. 包括具有与应力层相邻的有源区的晶体管结构的电子器件以及用于形成该电子器件的工艺
44. 具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管
45. 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
46. 在薄SOI晶体管中嵌入的应变层以及其形成方法
47. 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
48. 复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法
49. 晶体管器件及其制造方法
50. 制造倒T形沟道晶体管的方法
51. 在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件
52. 具有多重栅极晶体管的压控振荡器及其方法
53. 晶体管结构及具有该结构的控制单元
54. 晶体管控制电路和控制方法、以及使用该电路的有源矩阵显示设备
55. 晶体管元件，显示装置和它们的制造方法
56. 晶体管、有机半导体元件及它们的制造方法
57. 用于形成NMOS与PMOS晶体管中的凹陷的受应变的漏极/源极区的技术
58. 具有侧栅控和顶栅控读出晶体管的双端口增益单元
59. 半导体纳米线晶体管
60. 包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元
61. 一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法
62. 凹陷沟道阵列晶体管及其制造方法
63. 一种晶体管的制备方法及依该方法获得的组合改良结构
64. 金属基极有机晶体管及其制备方法
65. 用于改进高K栅介质MOS晶体管性能的衬底处理方法
66. LDMOS晶体管
67. 具有包括遮光部分的晶体管的薄膜电路
68. 具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法
69. 用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列
70. 源晶体管配置和控制方法
71. 制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
72. LDMOS晶体管
73. 图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素及其制造方法
74. 由低压VCC供电的差分晶体管对电流开关
75. 具有改进的尖端轮廓的晶体管及其制造方法
76. 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构
77. 用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法
78. 以有机晶体管为基础的印刷电路单元
79. 具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法
80. 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
81. 一种混合传播式MOS晶体管电学统计模型的建模方法
82. 双极结型晶体管SPICE模型的建模方法
83. 用于DRAM单元和外围晶体管的方法及所产生的结构
84. 高压MOS晶体管的制作方法
85. MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法
86. P型MOS晶体管及其形成方法
87. 内含单一类型晶体管的逻辑电路及相关应用电路
88. 用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
89. 利用选择外延构造NPN晶体管的方法
90. 晶体管及其驱动方法
91. 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
92. 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
93. 高压PMOS晶体管及其制造方法
94. 用于射频晶体管输出匹配的方法和系统
95. 具有平面触点的超级可缩放垂直MOS晶体管
96. 横向PNP晶体管及其制造工艺方法
97. 金刚石晶体管及其制造方法
98. 晶体管制造的改进
99. 可提升静电放电耐受力的晶体管与其布局方法
100. 具有启动控制元件的晶体管
101. 作为启动控制元件的耗乏型晶体管
102. 高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法
103. 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法
104. 具有纳米管浮动栅极的非易失性存储晶体管
105. 在同一芯片上建置全耗尽和部分耗尽晶体管
106. 用于紧密间距存储器阵列线的晶体管布局配置
107. 金属氧化物半导体晶体管控制
108. 晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列
109. 晶体管结构及其制造方法
110. 横向PNP晶体管制作方法
111. 采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法
112. 薄膜晶体管基板
113. 用于制造设有一或多根量子导线以能形成一个或多个晶体管通道的微电子装置的结构和方法
114. 晶体管电子节能长命灯
115. 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
116. 改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法
117. 沟槽型MOS晶体管的制造方法
118. 一种大功率晶体管变频电源
119. 使用高介电常数电介质层的量子阱晶体管
120. 整流器和逆变器的晶体管配置
121. 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法
122. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
123. 具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
124. 具有被包围通道晶体管的半导体器件
125. 静电放电保护装置的栅极接地晶体管
126. EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法
127. 晶体管矩阵转换式磁阻变速电动机驱动器
128. 晶体管输出的短路、过载保护装置
129. 金属氧化物半导体晶体管元件
130. 磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法
131. 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验设备
132. LDMOS晶体管
133. 栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法
134. 金属氧化物半导体晶体管的制作方法
135. 具有鳍形通道晶体管的半导体器件
136. 具有凹陷通道晶体管的半导体器件
137. 压缩性氮化物层的制造方法和形成晶体管的方法
138. 一种沟渠步阶通道单元晶体管及其制造方法
139. 有机半导体元件的接面结构及有机晶体管及其制造方法
140. 用低电压晶体管实现的电子设备
141. 半导体结构及N型金属氧化物半导体晶体管的形成方法
142. MOS晶体管特性曲线仿真方法
143. 带偏置线圈的汽油发动机晶体管点火器
144. 贴片式超高频晶体管
145. 一种晶体管的组合改良结构
146. 可提升传输速率的晶体管
147. 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验设备
148. 具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器
149. 可降低晶体管高频讯号噪声的控制结构
150. 内嵌式电路的晶体管结构
151. 可提升耐电压等级的功率晶体管散热装置
152. 晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法
153. 晶体管
154. 晶体管器件及其制造方法
155. 半导体器件的晶体管及其制造方法
156. 窄宽度金属氧化物半导体晶体管
157. 使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
158. 半导体器件的晶体管的制造方法
159. 包括浮体晶体管无电容器存储单元的存储器件及相关方法
160. 用多误差放大电路的晶体管驱动电路、恒定电压电路及方法
161. 具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法
162. 位线选择晶体管布局结构
163. 利用超薄氧扩散阻挡层防止晶体管中的横向氧化的联合方法和装置
164. 形成自对准晶体管的方法及其结构
165. 制造晶体管的方法和形成存储设备的方法
166. 五沟道鳍式晶体管及其制造方法
167. 闸流晶体管及其制造方法
168. 双极结型晶体管(BJT)及其形成方法
169. 晶体管输出的短路、过载保护装置
170. 碳纳米管晶体管及形成碳纳米管器件的方法
171. 具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法
172. 采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
173. 晶体管的电极结构和包括该结构的像素结构及显示装置 
174. 输出匹配晶体管
175. 晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置
176. 基于肖特基SiGe异质结晶体管
177. 金属氧化物半导体晶体管单元及半导体装置
178. 具有介质应力产生区的晶体管及其制造方法
179. 具有用于施加平面内剪切应力的介质应力产生区的晶体管及其制造方法
180. 高电压高侧晶体管驱动器
181. 晶体管阵列面板
182. 包括横向延伸的有源区的晶体管及其制造方法
183. 使用反向体偏压操作晶体管的方法和设备
184. 晶体管及其形成方法
185. 垂直PNP晶体管及其制造方法
186. 包括具有隔离体的一个MOS晶体管的存储单元
187. 微细结构、微机械、有机晶体管、电器及其制造方法
188. 应变沟道晶体管及其制造方法
189. 具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器
190. 栅极、包含此栅极的金属氧化物半导体晶体管及制造方法
191. 用于高电压输入的上拉晶体管的栅极控制电路
192. 具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
193. 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
194. 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
195.金氧半导体晶体管及其间的自我对准接触以及其制造方法
196.双栅极晶体管 
197.晶体管结构及电子设备
198.包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法
199.MOS晶体管、CMOS集成电路器件及相关制造方法
200.半导体元件,有机晶体管,发光器件,和电子器件

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