硅晶体管/锗晶体管/半导体晶体管/高压晶体管/多栅极晶体管/晶体管逆变器专利技术7

1. 双极型晶体管及高频放大电路
2. 具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法
3. 双向晶体管及其方法
4. 图形化有机薄膜的方法、晶体管及制造方法、显示装置
5. 晶体管、其制造方法及电光学装置用基板
6. 使用物理改性层的晶体管及其操作和制造方法
7. 射频开关和将双栅晶体管修改成射频开关的方法
8. 双极性晶体管及相关的制造方法
9. 晶体管反熔丝器件
10. 含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法
11. 具有减少晶体管数的电流驱动的数据驱动器
12. 增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法
13. U形晶体管及相应制造方法
14. 用于开关压控晶体管的电路
15. 具有纳米管晶体管存取装置的存储器
16. 为MOS晶体管形成沟槽接触的方法
17. 纳米线隧穿晶体管
18. 具有势垒的隧道晶体管
19. NMOS晶体管及其形成方法
20. 集成电路内双极晶体管性能的调整方法及其制造方法
21. 高压MOS晶体管
22. 高压金属氧化物半导体晶体管
23. 沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法
24. 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法
25. 晶体管结构及其制作方法
26. 寄生NPN晶体管制造方法及结构
27. 应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构
28. 具有扩展的栅极顶部的半导体晶体管
29. 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
30. 非对称金属氧化物半导体晶体管及制造方法及用其的元件
31. 制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法
32. 半导体异质结及其发光晶体管
33. 绝缘栅型晶体管以及逆变器电路
34. 一种沟槽型功率晶体管的制造方法
35. 沟渠式功率晶体管的制备方法
36. 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
37. 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
38. 一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法
39. 一种自旋晶体管
40. 一种逆变弧焊机的绝缘栅双极晶体管驱动及保护装置
41. 绝缘栅型晶体管以及逆变器电路
42. 临场修补等离子体损害基底的方法与晶体管元件的制造方法
43. 金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
44. 具有Y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺
45. 一种形成位线接触插塞的方法与晶体管结构
46. 一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
47. 具有厚氧化物输入级晶体管的深亚微米MOS前置放大器
48. 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
49. 制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法
50. P型功率晶体管控制电路
51. 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
52. 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
53. 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构
54. 凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法
55. 复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
56. 电子镇流器中的双极晶体管的驱动调节方法与装置
57. 制作半导体晶体管元件的方法
58. 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
59. 可调式晶体管体偏置电路
60. 一种制备晶体管T型纳米栅的方法
61. 一种晶体管T型纳米栅的制作方法
62. 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法
63. MOS晶体管失配特性的测量方法、版图图案及其形成方法
64. 用于MOS晶体管的隔离结构及其形成方法
65. 晶体管及其制造方法
66. 晶体管
67. 具有三维排列的存储单元晶体管的与非型闪存器件
68. 晶体管开关
69. 一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路
70. 电压型晶体管自激式高频电源
71. 改进的晶体管堆栈封装结构
72. 晶体管芯片
73. 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
74. 一种晶体管T型纳米栅的制备方法
75. 制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法
76. 修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构
77. 具有凹陷沟道的晶体管及其制造方法
78. 具有EDMOS晶体管的半导体器件及其制备方法
79. 微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及生产方法
80. 减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法
81. 存储器件,特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件,以及用于制造存储器件的方法
82. 电源转换器的晶体管驱动电路
83. 一种辅助开关电源专用的开关晶体管
84. 一种主开关电源专用的开关晶体管
85. 横向MOS晶体管及其制造方法
86. 高压晶体管和存储器的形成方法
87. 不对称多栅极晶体管及其形成方法
88. 四端晶体管衬底电阻网络模型
89. 具有沟槽晶体管的半导体器件以及制造这种器件的方法
90. 带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法
91. 晶体管及存储单元阵列
92. MOS晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法
93. 半导体器件结构及基于晶体管密度的应力层的形成方法
94. 利用了单分子膜的有机晶体管
95. 具有异或门功能的磁性晶体管
96. 代表“0”与“1”二进制的磁性晶体管线路
97. MOS晶体管体区的掺杂方法
98. 一种准双栅MOS晶体管及其制备方法
99. 具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
100. 有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器
101. 晶体管及其制造方法
102. 高耐压沟槽MOS晶体管及其制造方法
103. 有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器
104. 具单一晶体管的冷阴极萤光灯管电源转换器
105. 高耐压晶体管、其制造方法以及使用其的半导体器件
106. 晶体管结构及其制造方法
107. 沟槽型MOS晶体管及其制造方法
108. 磁晶体管结构
109. 晶体管及半导体装置的制作方法
110. 鳍状晶体管的制造方法
111. 低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法
112. 一种制作准双栅MOSFET晶体管的方法
113. 一种制作FinFET晶体管的方法
114. 一种使红外发光二极管和光敏晶体管在水中使用的电路
115. 具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件
116. 集成晶体管器件和对应的制造方法
117. 制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件
118. 一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法
119. 晶体管排片预热机的送片器的抓手
120. 弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管
121. 鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法
122. 垂直双沟道晶体管及其制造方法
123. 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
124. 晶体管开关的布局方案和方法、半导体器件和方法
125. 晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路
126. 晶体管和存储单元阵列及其制造方法
127. 用于形成晶体管的方法
128. 具有模拟晶体管的半导体器件及其制造方法
129. 用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
130. 配线和有机晶体管及其制造方法
131. 可变光伸缩HID氙气灯半导体晶体管智能控制线组
132. 制造晶体管结构的方法
133. 异质结双极型晶体管及其制造方法
134. 晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法
135. 全硅化外基极晶体管
136. 带有晶体管衬底偏置的集成电路的抑制闩锁电路
137. 带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路
138. 具有旁路通路的双向晶体管及其方法
139. 形成MOS晶体管的方法及其结构
140. 一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法
141. 耗尽型晶体管的功率放大器偏置保护
142. 由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器
143. 双向双极型晶体管
144. 复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法
145. 高电压绝缘体上硅晶体管及其制造方法
146. 具有到扩散区侧面的互连的晶体管结构及相关方法
147. 闪存的位线晶体管结构
148. PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管
149. 金属高k晶体管及其制备方法
150. DMOS晶体管及其制造方法
151. 沟槽晶体管及其制造方法
152. 金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法
153. MOS晶体管及其制造方法
154. 用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法
155. MOS晶体管及其制造方法
156. 串联晶体管器件和反相器电路
157. 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
158. 积累层控制的绝缘栅双极型晶体管
159. 一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
160. 非易失存储器设备编程选择晶体管以及对其编程的方法
161. 半导体结构、双极型晶体管布置及制造半导体器件的方法
162. 有机晶体管及有源矩阵基板
163. 绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统
164. 垂直型MOS晶体管及其方法
165. 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
166. MOS晶体管的接触结构、毗连的接触结构及半导体SRAM单元
167. MOS结构的功率晶体管
168. 半导体装置的晶体管及其制造方法
169. 含有数据线位元切换传输晶体管的位元线感测放大器
170. 具有SOI结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
171. 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
172. 电磁炉功率晶体管的检测保护电路
173. 半导体晶体管的制造方法
174. 基于互补MOS晶体管的LCOS像素单元电路
175. 简易电力晶体管测试仪
176. 像素结构与其中的晶体管及其制造方法
177. 一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法
178. 一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管
179. 二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞
180. 含噻唑环合成物、聚合物、有源层、晶体管、器件及制法
181. 完全去耦化的高电压和低电压晶体管的制造方法
182. 增强沟道应力的晶体管结构和方法
183. 有机晶体管的驱动方法及电泳显示装置
184. 有机晶体管、其制造方法及电子设备
185. 高电压垂直晶体管的分段式柱布局
186. 用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线
187. 与高压垂直晶体管集成的感测FET
188. 在高压晶体管结构的端处的栅极回拉
189. 棋盘式高电压垂直晶体管布局
190. 制造鳍式晶体管防止旋涂玻璃绝缘层蚀刻损耗的方法
191. 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
192. MOS结构的功率晶体管及其制作方法
193. InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法
194. 半导体晶体管器件及其制造方法
195. 非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法
196. 高压晶体管及其制造方法

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