硅晶体管/锗晶体管/半导体晶体管/高压晶体管/多栅极晶体管/晶体管逆变器专利技术5

1. p沟道MOS晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺
2. 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
3. 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
4. 晶体管和半导体电路的制造方法
5. 用于降低的接地泄漏电流和晶体管保护的可变频率驱动系统装置和方法
6. U栅晶体管和制造方法
7. 存储器的晶体管结构及其制造方法
8. 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
9. 晶体管阵列及其制造方法、以及图像处理器件
10. 可集成的高压VDMOS晶体管结构
11. 一种晶体管
12. 半导体器件的晶体管及其制造方法
13. 具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法
14. 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
15. 制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法
16. 双极结型晶体管及其制造方法
17. 超高压金属氧化物半导体晶体管元件
18. 存储器件，晶体管，存储单元，以及其制造方法
19. 纵向双极型晶体管及其制造方法
20. 具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
21. 一种晶体管及其制造方法
22. 在存储器件中制造三沟道晶体管的方法
23. 具有减小的栅极-源极/漏极电容的半导体晶体管
24. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法 
25. 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
26. 具有最小寄生现象的晶体管结构及其制造方法
27. 间隙壁的移除方法及金属氧化物半导体晶体管的制造方法
28. 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
29. 将应力施加到PFET和NFET晶体管沟道的结构和制造方法
30. 晶体管及其形成方法
31. 用于制造半导体装置的晶体管的方法
32. 6F*存取晶体管配置和半导体存储器件
33. 调整晶体管的浅沟渠隔离结构应力的方法
34. 互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法
35. 晶体管及其制造方法
36. 高电压晶体管元件及其制造方法
37. 金属氧化物半导体晶体管和其制造方法
38. 一种以适配体作为分子识别元件的碳纳米管晶体管生物传感器及其用于检测靶材料的方法
39. 晶体管器件的改良凹槽式漏极延伸
40. 具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法
41. 单一晶体管动态随机存取记忆体记忆胞的制造方法
42. 具混成应变诱导层的应变晶体管及其形成方法
43. 晶体管模块组装方法及其治具
44. 可集成的高压P型LDMOS晶体管结构
45. 可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法
46. 具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法
47. 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
48. 超薄SOI纵向双极型晶体管及其制造方法
49. 一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
50. 调整负载中晶体管跨导变化范围用的偏置补偿电路
51. 集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法
52. 用来提高晶体管沟道中的应变效应的方法和设备
53. 半导体结构以及形成半导体晶体管的方法
54. 形成ONO型记忆胞与高低压晶体管的闸介电层的方法
55. 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
56. 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
57. 直接计算金属氧化物半导体场效晶体管界面缺陷量的方法
58. 具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法
59. 高压PMOS晶体管
60. 晶体管、制造其的方法、及包括其的发光显示器
61. 在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法
62. 漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法
63. 可集成的高压P型LDMOS晶体管结构及其制备方法
64. 单元晶体管的制造方法
65. 制造平面双栅晶体管的方法
66. 改进CMOS晶体管中的掺杂剂分布的系统和方法
67. 互补的横向氮化物晶体管
68. 半导体器件和晶体管的制造方法
69. 一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法
70. 制造晶体管的方法
71. 具有彩色滤光片整合晶体管结构的液晶显示器
72. 用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法
73. 具有减小的密勒电容的MOS栅控晶体管
74. 全npn晶体管的与绝对温度成正比的电流源
75. 改善ESD晶体管源漏结电容的方法
76. 全N型晶体管高端电流镜
77. 制造有机晶体管的自动对准方法
78. 具有埋入衬底的栅的动态随机存取存储器晶体管及其形成方法
79. 用于具有经设计的拐角的三栅极晶体管的通用系统
80. 自对准外延生长的双极型晶体管
81. 形成具有双层电介质的晶体管的方法
82. 形成具有多层电介质的溶液加工晶体管的方法
83. 具有垂直U形晶体管的DRAM单元
84. 具有用于阵列晶体管的外延SiC和/或碳化的沟道的低暗电流图像传感器
85. 设计带隙的MOS栅功率晶体管
86. 由MOS晶体管进行开关的电容器阵列
87. 用于通过预确定的部分块的组合构造具有不同功率的垂直的功率晶体管的方法
88. 用于形成晶体管的方法
89. 晶体管开关保护电路
90. 自旋晶体管及其制造方法
91. 金刚石晶体管及其制作方法
92. 制作应变硅晶体管的方法
93. 横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
94. 制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
95. 金属氧化物半导体晶体管元件
96. 高压晶体管LDD离子注入的方法
97. 测试晶体管寿命的方法
98. 一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法
99. 一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法
100. 一种横向PNP晶体管及其制造方法
101. 使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构
102. 用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
103. 使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
104. 制作应变硅晶体管的方法
105. 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
106. 双极型晶体管及其制造方法
107. 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
108. 互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器及其制造方法
109. 具有用于改进速度并节省功率的正反馈高侧晶体管驱动器
110. 一种数字晶体管栅介质层工艺可靠性鉴定的测试结构
111. 采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法
112. 应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
113. 使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构
114. 用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构
115. 一种高压晶体管仿真模型
116. 具源极连接场板的宽能带隙高电子迁移率晶体管
117. 分别应变的N沟道和P沟道晶体管
118. 具有多个场板的宽能带隙晶体管
119. 热电子晶体管
120. LDMOS晶体管及其制作方法
121. 具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
122. 互补氮化物晶体管垂直和共用漏极
123. 沟槽栅晶体管及其制造
124. 三栅晶体管及其制造方法
125. 形成有均匀特征尺寸的有源图案的多栅极晶体管及其制造方法
126. 具有开关输出晶体管的被缓冲的电隔离器
127. n-沟道晶体管
128. 包括自对准栅电极的有机晶体管及其制造方法
129. 用于双极型晶体管产生的光的集成光学波导
130. 具有隔离晶体管的共射共基CMOS射频功率放大器
131. 晶体管制造
132. 具有温度补偿的晶体管装置和用于温度补偿的方法
133. 电机驱动电路的功率晶体管保护电路，电机驱动电路和半导体器件
134. 可用于高频电路的晶体管结构
135. 贴片晶体管封装框架
136. 具有外延源区和漏区的金属栅晶体管
137. 在相同工艺流程内被独立访问的双栅和三栅晶体管
138. 带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备
139. 金属源极功率晶体管及其制造方法
140. 形成突变的源漏金属栅晶体管
141. 具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法
142. 自偏压晶体管结构以及SRAM单元
143. 具有不同材料结构元件的半导体晶体管及其形成方法
144. 对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质
145. 制造具有盖层和凹进栅极的氮化物基晶体管的方法
146. 制作具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管的方法以及具有再生长欧姆接触区的氮化物基
147. 辅助晶体管栅极偏置控制系统和方法
148. 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
149. Ⅲ-V族高电子迁移率晶体管器件
150. 结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质
151. 集成晶体管模块及其制造方法
152. 用于低源漏电容的高频晶体管布局
153. LDMOS晶体管
154. 由XⅢ族元素氮化物层制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法
155. 使用低压CMOS晶体管的高压开关
156. 以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列
157. 一种晶体管散热结构
158. 在散热片上紧贴晶体管的装置
159. 一种汽油发动机的晶体管磁点火线圈
160. 晶体管测量仪
161. 栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置
162. 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
163. 具低电压触发双极性晶体管的静电放电防护单元
164. 晶体管及其制造和操作方法
165. 使用多路选通晶体管具有改良线性和频带的放大器电路
166. 包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
167. 高频开关晶体管和高频电路
168. 晶体管及其制造方法
169. 高电压晶体管及其制造方法
170. 具有非平面晶体管的固态图像传感器设备及其制造方法
171. 用于在集成电路区域上特别在晶体管的电极上制造接触垫的工艺
172. 降低源极/漏极的晶体管及其制造方法
173. 用于晶体管的保护电路
174. 具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
175. 包括LDMOS晶体管的半导体器件
176. 采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法
177. 晶体管阵列基板和显示面板
178. 具有可变形的栅极的MOS晶体管
179. 具有碳纳米管沟道的晶体管及其制造方法
180. 使用多个选通晶体管的具有改进线性的有源电路
181. 薄层化学晶体管及其制造方法
182. 碳纳米管及定位方法、晶体管及制造方法、半导体器件
183. 采用不对称传输晶体管的有源像素单元
184. 具双高K栅极介电CMOS晶体管及其制造方法
185. 自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器
186. 垂直晶体管及其制造方法
187. 印刷晶体管的制造方法
188. 具有击穿保护的晶体管结构
189. 晶体管及其制造方法
190. 降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
191. 形成自选通晶体管的方法以及用于其的结构
192. 具有嵌入式晶体管的有源像素
193. 用于操作开关晶体管的电路结构
194. 沟道中具浅锗注入区的晶体管
195. 源极及漏极中聚含掺质金属的晶体管
196. 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
197. 异质结双极型晶体管及其制造方法
198. 像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器
199. 包括高压晶体管的非易失性存储器件及其制造方法
200.以深碳掺杂区和掺杂施主的凸起源和漏区为特征的应变的NMOS晶体管

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