场效应晶体管/绝缘栅极场效应晶体管/鳍型场效应晶体管/翅片场效应晶体管及电路专利技术2

1. 新型场效应晶体管和制造方法
2. 包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
3. 应变翅片式场效应晶体管的结构和方法
4. 双栅极场效应晶体管及其制造方法
5. 双栅极场效应晶体管及其制造方法
6. 使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法
7. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
8. 离子感应场效应晶体管及制造方法
9. 一种场效应晶体管
10. 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
11. 有机场效应晶体管和集成电路
12. 场效应晶体管
13. 碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法
14. 含有掺杂高-k侧壁隔片的场效应晶体管的漏极/源极延伸结构
15. 半导体衬底和场效应晶体管以及它们的制造方法
16. 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法和摄像装置及其制造方法
17. 具有改良的载流子迁移率的垂直双栅极场效应晶体管及其形成方法
18. 采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管
19. 具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管
20. 利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器
21. 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法
22. 双栅极场效应晶体管及其制造方法
23. 薄膜场效应晶体管的制造方法
24. 金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作方法
25. 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
26. 具有受应力沟道的场效应晶体管及其制造方法
27. 一种制备空洞层上的硅场效应晶体管的方法
28. 沟道有热、电通道的绝缘层上硅 金属-氧化物-半导体场效应晶体管制造工艺
29. 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
30. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
31. 低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法
32. 碳化硅沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
33. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
34. 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
35. 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
36. 场效应晶体管的制造方法
37. 应用于MOS场效应晶体管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法
38. 应用于MOS场效应晶体管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法
39. 一种具有纳米结的氮化碳和碳纳米管场效应晶体管的制备方法
40. 具有应变硅锗层外延的场效应晶体管结构及其制造方法
41. 场效应晶体管及其应用器件
42. 场效应晶体管器件
43. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
44. 一种组合栅场效应晶体管
45. 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法
46. 一种非对称栅场效应晶体管
47. 一种厚膜SOI场效应晶体管
48. 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
49. 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
50. 利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法
51. 沟槽绝缘栅场效应晶体管
52. 鳍型场效应晶体管及其制造方法
53. 多高度鳍片场效应晶体管及其制造方法
54. 具有增强的绝缘结构的场效应晶体管
55. 制造CMOS场效应晶体管的方法和设备
56. 形成鳍状场效应晶体管器件中的结构的方法
57. 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法
58. 集成的场效应晶体管和肖特基器件
59. 具有高灵敏度栅极的场效应晶体管
60. 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
61. 高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法
62. 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
63. 双栅结栅场效应晶体管
64. 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法
65. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
66. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
67. 分段场效应晶体管及其制造方法
68. 光强度调节的场效应晶体管及其制备方法
69. 场效应晶体管，集成电路以及形成集成电路的方法
70. 场效应晶体管、集成电路及制造方法
71. 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法
72. 半导体场效应晶体管器件及其形成方法
73. 场效应晶体管及其制造方法
74. 具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法
75. 横向结型场效应晶体管
76. 金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
77. 制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法
78. 准双栅场效应晶体管的制备方法
79. 准双栅场效应晶体管
80. 有凹进箝位二极管的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
81. 垂直鳍片场效应晶体管MOS器件
82. 金属镶嵌三栅极鳍状场效应晶体管
83. 具有减薄体的窄体金属镶嵌三栅极鳍状场效应晶体管
84. 图案化方法和场效应晶体管
85. 超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管
86. 场效应晶体管的制备方法
87. 用于场效应晶体管的超薄高K栅介质的制作方法以及超薄高K栅介质
88. 一种形成翅片场效应晶体管的方法
89. 形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法
90. 场效应晶体管的驱动电路
91. 一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法
92. 金属氧化物半导体场效应晶体管
93. 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法
94. 具有平行互补鳍片场效应晶体管对的集成电路
95. 场效应晶体管和单电子晶体管及利用它们的传感器
96. 具有增加的载流子移动率的场效应晶体管
97. 包括场效应晶体管的天线开关
98. 具有绝缘沟槽栅电极的横向场效应晶体管
99. 鳍状场效应晶体管中栅极区域的多步骤化学机械研磨
100. 用于化学机械研磨平面化的双硅层鳍状场效应晶体管
101. P-沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路
102. 单电子晶体管、场效应晶体管、传感器、传感器的制造方法及检测方法
103. 包含隔离沟槽和场效应晶体管的集成电路装置及相关制造方法
104. 形成凹槽栅极场效应晶体管的结构和方法
105. 场效应晶体管、电气元件阵列以及它们的制造方法
106. 包含用于高频应用的场效应晶体管的电子器件
107. 包括场效应晶体管的半导体器件及其操作方法
108. 具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器
109. 三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法
110. 窄鳍片场效应晶体管
111. 应变沟道鳍片场效应晶体管
112. 具有弱耦合层状无机半导体的场效应晶体管
113. 金属氧化物半导体场效应晶体管
114. 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管
115. 接触探针储存场效应晶体管探测器
116. 接触探针储存场效应晶体管探测器和写入加热装置
117. 内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的半导体装置
118. 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
119. 薄膜场效应晶体管及其制造方法
120. 环绕栅极场效应晶体管
121. 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
122. 金属栅极场效应晶体管的栅极结构的制作方法
123. 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法
124. 浮栅闪存场效应晶体管
125. 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
126. 沟槽绝缘栅场效应晶体管
127. 晶体管装置、集成电路及运行场效应晶体管的方法
128. 垂直有机场效应晶体管
129. 均效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法
130. 用于集成VRM功率场效应晶体管的集成接口电路
131. 一种非平面沟道有机场效应晶体管
132. 场效应晶体管及其制作方法
133. 鳍型场效应晶体管及其制造方法
134. 双栅极鳍型场效应晶体管增益单元及其制造方法
135. 结型场效应晶体管
136. 具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
137. 具有内部隔片结构的金属镶嵌栅极场效应晶体管
138. 鳍型场效应晶体管二极管结构及其制造方法
139. 鳍型场效应晶体管结构
140. 低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器
141. 包括有机半导体层的场效应晶体管及其制造方法
142. MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置
143. 功率场效应晶体管驱动加速电路
144. 具有体接触窗的鳍状场效应晶体管及其制造方法
145. 具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
146. 宽能带隙半导体横向沟槽场效应晶体管及制造方法
147. 包括有机场效应晶体管的力传感器，以及基于所述力传感器的压力传感器，位置传感器和指纹传感器
148. 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
149. 具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效应晶体管
150. 包括离子敏感场效应晶体管的信号处理电路以及监控流体属性的方法
151. 绝缘栅极场效应晶体管
152. 测量场效应晶体管(FET)特性的方法
153. 增强模式Ⅲ族氮化物场效应晶体管
154. 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
155. 纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
156. 纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管
157. 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
158. 包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层
159. 形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法
160. 使用死区时间和场效应晶体管驱动控制的效率动态最优化
161. 具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
162. 用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的组合设备工具和方法
163. 形成具有不同类型的场效应晶体管的集成电路器件的方法
164. 鳍片场效应晶体管半导体结构及其制造方法
165. 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
166. 应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
167. 有机场效应晶体管及包含其的半导体装置
168. 由碳化硅制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法
169. 碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法
170. 制造隧穿纳米管场效应晶体管的方法
171. 双向场效应晶体管和矩阵转换器
172. 有机场效应晶体管门
173. 场效应晶体管器件及其制造方法
174. 无定形氧化物和场效应晶体管
175. 采用无定形氧化物的场效应晶体管
176. 垂直碳纳米管场效应晶体管
177. 用于单片集成具有隔离结构的MOS场效应晶体管
178. 制造场效应晶体管的方法以及由此制造的晶体管结构
179. 一种有机场效应晶体管及其制备方法
180. 自动选取金属氧化物半导体场效应晶体管的系统及方法
181. 具有源极连接的场板的宽带隙场效应晶体管
182. 场效应晶体管及其制造方法和使用其的电子设备
183. 在基于场效应晶体管的气体传感器中测量气体和/或最小化横向灵敏度的方法
184. 沟槽式场效应晶体管和其制造方法
185. 用于测量生物构造的场效应晶体管
186. 双极发光场效应晶体管
187. 包括半导体纳米管的垂直场效应晶体管
188. 纵向场效应晶体管及其制造方法
189. 增强-耗尽场效应晶体管结构及其制造方法
190. 双栅场效应晶体管及其形成方法
191. 通过湿法化学沉积制造的场效应晶体管
192. 异质结型场效应晶体管及其制造方法
193. 一种多栅极场效应晶体管元件及其制造方法
194. 一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
195. 一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法
196. 4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器

负责声明：我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。我站提供的专利技术全文资料仅供用于对行业技术先进性的了解、科学研究或实验。根据中国《专利法》第六十三条第四款：专为科学研究和实验而使用有关专利的，不视为侵犯专利权。用户若因此之外一切行为造成法律冲突或纠纷，本网概不负责！