场效应晶体管/绝缘栅极场效应晶体管/鳍型场效应晶体管/翅片场效应晶体管及电路专利技术3

1. 场效应晶体管
2. 绝缘栅极场效应晶体管
3. 异质结构场效应晶体管
4. 超薄电介质及其在有机场效应晶体管中的应用
5. 包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法
6. 通过湿法化学沉积制造的场效应晶体管
7. 场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法
8. 场效应晶体管及其制造方法
9. 具有隔离结构的MOS场效应晶体管
10. 高频低功耗功率结型场效应晶体管
11. 包括场效应晶体管的半导体装置
12. 具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法
13. 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
14. 具有布线沟道的场效应晶体管(FET)及其制造方法
15. 异质结构沟道绝缘栅极场效应晶体管的制造方法及晶体管
16. 横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
17. N型碳纳米管场效应晶体管及其制备方法
18. 非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制法
19. 包括多-沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
20. 形成具有凹陷沟道区的场效应晶体管的方法
21. 功率结场效应晶体管结构及其制法
22. 功率结场效应晶体管结构及其制法
23. 超薄型本体超陡后退阱（SSRW）场效应晶体管器件
24. 具有隔离结构的MOS场效应晶体管及其制作方法
25. 具有基于沟槽的栅电极的场效应晶体管及其形成方法
26. 高压工作场效应晶体管、用于该晶体管的偏置电路以及高压电路
27. 高压工作场效应晶体管、其偏置电路以及高压电路
28. 垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置
29. 翅片场效应晶体管及电路
30. 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
31. 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法
32. 制造具有多个层叠沟道的场效应晶体管的磷掺杂方法
33. 至少五侧面沟道型鳍式场效应晶体管及其制造方法
34. 改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
35. 横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路
36. 在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路
37. 漏极和/或源极上带改进的植入物的结型场效应晶体管
38. 自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路
39. 具有再生长栅极的自对准沟槽场效应晶体管和具有再生长基极接触区的双极结型晶体管及其制造方法
40. 场效应晶体管及其制作方法
41. 具有栅极间隔结构和低电阻沟道耦接的场效应晶体管
42. 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法
43. 鳍型场效应晶体管的制造方法
44. 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
45. 在结处具有绝缘层的场效应晶体管结构
46. 低功率结型场效应晶体管的制造及其工作方法
47. 在半导体/电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管
48. 利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法
49. 具有倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管（FET）及其制造方法
50. 采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法
51. 有机半导体材料和有机场效应晶体管
52. 包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管
53. 功率场效应晶体管及其制造方法
54. 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
55. 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
56. 利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管
57. 场效应晶体管布置对称的像素
58. 沟栅场效应晶体管及其形成方法
59. 形成纳米间隙的方法、用于分子器件和生物传感器的纳米场效应晶体管的制造方法以及由该方法制得的分子器件和生物传感器
60. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
61. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
62. 一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
63. 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
64. 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
65. 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极接触与导路
66. 具有体接触的并联场效应晶体管结构
67. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
68. 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法
69. 金属氧化物半导体场效应晶体管
70. 结型场效应晶体管
71. 多重鳍状场效应晶体管及其制作方法
72. 一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法
73. 一种有机发光场效应晶体管
74. 一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
75. 金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路及其制造方法
76. 功率场效应晶体管静态参数的测试装置
77. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
78. 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
79. 一种复合型的场效应晶体管结构
80. 一种金属氧化物硅场效应晶体管制备工艺
81. 金属氧化物半导体场效应晶体管
82. 制造半导体器件的鳍式场效应晶体管的方法
83. 用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法
84. 一种复合型的场效应晶体管结构
85. 场效应晶体管及其形成方法
86. 一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
87. 制造旋转场效应晶体管的方法
88. 具有电容器和场效应晶体管的电路装置和利用它的显示设备
89. 制造带有掩埋沟道的鳍式场效应晶体管的结构和方法
90. 半导体结构及制造鳍式场效应晶体管器件的方法
91. 包括具有非对称结构的场效应晶体管的半导体器件和制造该器件的方法
92. 鳍片型场效应晶体管结构以及用于制造这种结构的方法
93. 高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件
94. 具有载流子俘获材料的单极纳米管及有其的场效应晶体管
95. 有机半导体材料和有机半导体元件以及场效应晶体管
96. 绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法
97. 欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置
98. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
99. 场效应晶体管及其应用器件
100. 具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管及其制造方法
101. 同质复合栅场效应晶体管
102. 双场板金属半导体场效应晶体管及其形成方法
103. 制造分离的双栅场效应晶体管的方法
104. 分离的双栅场效应晶体管
105. 高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物
106. 结型场效应晶体管的制造方法
107. 场效应晶体管结构及其制作方法
108. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
109. 结型场效应晶体管及其制造方法
110. 双极有机薄膜场效应晶体管及其制造方法
111. 具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法
112. 半导体器件中的场效应晶体管及其制造方法
113. 具有长栅极和致密节距的场效应晶体管设计及其制造方法
114. 图案形成方法,有机场效应晶体管的制造方法,以及柔性印刷电路板的制造方法
115. 绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法
116. 半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
117. 多闸极场效应晶体管结构
118. 悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
119. 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
120. 一种双介质层有机场效应晶体管及其制作方法
121. 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟道式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
122. 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
123. 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法
124. 利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器
125. 鳍式场效应晶体管装置的制造方法
126. 背栅极电压发生器电路、四端背栅极开关场效应晶体管及其充电和放电保护电路
127. 光控场效应晶体管和使用它的集成光电检测器
128. 一种有机场效应晶体管及其制备方法
129. 一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
130. 具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构
131. 制造自对准鳍状场效应晶体管装置的方法
132. 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
133. 鳍式场效应晶体管及其形成方法
134. 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法
135. 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
136. 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
137. 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
138. 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
139. 一种场效应晶体管多层场板器件及其制作方法
140. 制备凹陷源漏场效应晶体管的方法
141. Ⅲ-Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法
142. Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
143. 一种低电压垂直型场效应晶体管
144. 包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法
145. 半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法
146. 一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法
147. 金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
148. 功率金属氧化物硅场效应晶体管
149. 具有薄栅极电极的场效应晶体管及其制造方法
150. ZnO基透明场效应晶体管
151. 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
152. 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
153. 用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺
154. 半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
155. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成
156. 具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构
157. 自旋存储器和自旋场效应晶体管
158. 自旋金属氧化物半导体场效应晶体管
159. 层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包
160. 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法
161. 鳍片型场效应晶体管及其设计方法
162. 一种利用外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法
163. 双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
164. 场效应晶体管、有机薄膜晶体管及有机晶体管的制造方法
165. 包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管
166. 场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法
167. 三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
168. 鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
169. 分段场效应晶体管的制造方法
170. 包括具有可调背栅电势的ESD保护场效应晶体管的半导体器件
171. 一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法
172. 一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
173. 一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
174. 形成场效应晶体管的方法
175. 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
176. 集成的场效应晶体管和肖特基器件及其制造方法
177. 一种基于硼碳氮纳米材料的场效应晶体管及其制备方法
178. 在栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子的方法
179. 使用场效应晶体管检测生物分子的方法
180. 绝缘栅型场效应晶体管的制造方法
181. 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
182. 制造场效应晶体管的方法以及半导体结构
183. 一种ZnO基透明场效应晶体管
184. 源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
185. 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
186. 场效应晶体管及其形成方法
187. 薄硅单扩散场效应晶体管及其制造方法
188. 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法
189. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
190. 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
191. 多栅极场效应晶体管结构及其制造方法
192. 高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装
193. 有机场效应晶体管及其制造方法
194. 图案形成方法,有机场效应晶体管的制造方法,以及柔性印刷电路板的制造方法
195. 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
196. 图案化方法和场效应晶体管

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