场效应晶体管/绝缘栅极场效应晶体管/鳍型场效应晶体管/翅片场效应晶体管及电路专利技术1

1. 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
2. 制造垂直场效应晶体管的方法和场效应晶体管
3. 制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管
4. 场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路
5. 场效应晶体管,特别是双扩散场效应晶体管,及其制造方法
6. 场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法
7. 用于形成有机叠层膜的涂液、场效应晶体管的制造方法、及场效应晶体管
8. 场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法
9. 制造用于以阵列布置的垂直碳纳米管场效应晶体管的方法和由该方法形成的场效应晶体管及
10. 纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法
11. 场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管
12. 场效应晶体管的制造方法以及用该方法制造的场效应晶体管
13. 高压场效应晶体管和制造高压场效应晶体管的方法
14. 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
15. 鳍片场效应晶体管及制造鳍片场效应晶体管的方法
16. 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
17. 使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法
18. 场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法
19. 场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
20. 场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法
21. MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
22. 结型场效应晶体管电阻式差动放大器
23. 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
24. 包含互补场效应晶体管的集成电路
25. 场效应晶体管组成的集成电路和一种可编程序的只读存贮器
26. 带有绝缘栅场效应晶体管及线圈的电路
27. 双注入场效应晶体管
28. 电阻—氧化物—半导体场效应晶体管
29. 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
30. 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
31. 场效应晶体管比较器电路
32. 一种金属－半导体场效应晶体管
33. 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路
34. 场效应晶体管限制器电路
35. 一种钯栅场效应晶体管
36. 带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管
37. Δ－掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法
38. 一种场效应晶体管的功率开关
39. 钯栅场效应晶体管
40. 功率纵向场效应晶体管及其制造方法
41. 高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法
42. 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
43. 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
44. 电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管
45. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
46. 制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法
47. 新型绝缘栅场效应晶体管
48. 浮式金属氧化物半导体场效应晶体管
49. 驱动场效应晶体管的方法
50. 高压金属氧化物硅场效应晶体管结构
51. 动态随机存取存储器件中的场效应晶体管及其存储单元结构
52. 金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件
53. 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管
54. 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
55. 阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法
56. 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
57. 制造金属氧化物场效应晶体管的方法
58. 一种薄膜型绝缘栅场效应晶体管的制造方法
59. 互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
60. 互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
61. 在同一衬底上具有N和P型场效应晶体管的半导体器件
62. 互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
63. 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
64. 制造场效应晶体管的方法
65. 绝缘栅场效应晶体管
66. 绝缘栅场效应晶体管的制造方法
67. 场效应晶体管和使用该晶体管的固态天线开关
68. 减少了延迟变动的场效应晶体管
69. 场效应晶体管放大器
70. 无中频输出电桥微波场效应晶体管平衡混频器
71. 可用氢离子改变其阈值电压的场效应晶体管的制造工艺
72. 硅/锗硅垂直结型场效应晶体管及其制造方法
73. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
74. 隔离棚场效应晶体管的制造方法
75. 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
76. 用于场效应晶体管放大器的偏压电路
77. 亚四分之一微米级硅--绝缘体的MOS场效应晶体管
78. 带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法
79. 通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路
80. 具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法
81. 具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法
82. 具有改善了注入剂的场效应晶体管及其制造方法
83. 减少寄生电阻和电容的场效应晶体管
84. 射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
85. 真空场效应晶体管
86. 具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法
87. 绝缘体基硅场效应晶体管及其形成工艺和绝缘体基硅网络
88. 加强埋置沟道P场效应晶体管性能和可靠性的深麻点掩模
89. 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
90. 场效应晶体管及其控制方法和混频器装置
91. P沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构
92. 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
93. 高分子半导体场效应晶体管
94. 用于制造包括一个非对称场效应晶体管的半导体器件的方法
95. 铁电存储器场效应晶体管器件及其制作方法
96. 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
97. 具有部分隔离的源/漏结的场效应晶体管结构及其制造方法
98. 面结型场效应晶体管及其制造方法
99. 横向结型场效应晶体管
100. 双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
101. 具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管
102. 高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
103. 用于场效应晶体管的偏置装置
104. 碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用
105. 互补偶载场效应晶体管及其片上系统
106. 用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法
107. 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
108. 带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管
109. 场效应晶体管控制之交直流电源转换电路及其应用
110. 双型薄膜场效应晶体管及其应用
111. 超导体场效应晶体管制造方法
112. 双场效应晶体管芯片以及安装该芯片的方法
113. 场效应晶体管及其制备用的材料和方法
114. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
115. 沟槽栅费米阈值场效应晶体管及其制造方法
116. 优化偏置级联金属氧化物半导体场效应晶体管射频器件的方法和装置
117. 碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
118. 用于温度补偿的单电源异质结场效应晶体管的装置和方法
119. 金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法
120. 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
121. 氮化铝和氧化铝/氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
122. 动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
123. 制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
124. 金属氧化物半导体场效应晶体管
125. 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法
126. 异质结场效应晶体管
127. 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
128. 改进工艺窗口制作全自对准薄膜场效应晶体管的方法
129. 具有分离栅的自对准双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
130. 减少了延迟变动的场效应晶体管
131. 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
132. 使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法
133. 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法
134. 沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
135. 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管
136. 金属半导体场效应晶体管及其制造方法
137. 横向耗尽结构的场效应晶体管
138. 具有静电放电保护的齐纳二极管的双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
139. 具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
140. 应变鳍型场效应晶体管互补金属氧化物半导体器件结构
141. 横型接合型场效应晶体管及其制造方法
142. 场效应晶体管数字量输出电路
143. 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法
144. 形成隔离层的方法和鳍片场效应晶体管
145. 由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管
146. 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反型层迁移率的方法
147. 场效应晶体管及其制作方法
148. 使用有机电介质的有机场效应晶体管
149. 应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
150. 负微分电阻场效应晶体管及其电路
151. 场效应晶体管半导体器件
152. 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
153. 具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管
154. 横向结型场效应晶体管
155. 场效应晶体管带通放大器
156. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
157. 在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及集成电路
158. 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法
159. 具有伸张应变的沟道层的场效应晶体管结构及其制造方法
160. 新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺
161. 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
162. 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
163. SOI金属氧化物半导体场效应晶体管
164. 调整多栅场效应晶体管操作点的电路
165. 场效应晶体管制造方法
166. 具两控制区的集成场效应晶体管及制造方法
167. 双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
168. 具有多个叠置沟道的场效应晶体管
169. 有机场效应晶体管
170. 鳍式场效应晶体管存储单元及其配置及其制造方法
171. 一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法
172. 具有注入漏漂移区的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
173. 场效应晶体管结构、其半导体存储单元及其制造方法
174. 具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和/或漏极的场效应晶体管
175. 双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路
176. 具有应变的多层结构及具有应变层的场效应晶体管的制法
177. 具有应变的多层结构及具有应变层的场效应晶体管的制法
178. 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
179. 场效应晶体管及其制造方法
180. 场效应晶体管类型发光器件
181. 包含有机半导体的场效应晶体管及其制造方法
182. 包含有机场效应晶体管的逻辑元件
183. 场电极金属半导体场效应晶体管
184. 纵向结型场效应晶体管及其制造方法
185. 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置 
186. 鳍型场效应晶体管及其制造方法
187. 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法
188. 有机薄膜场效应晶体管及其封装方法
189. 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅
190. 应力绝缘体上硅场效应晶体管及其制作方法
191. 应变补偿的场效应晶体管及其制造方法
192. 具有锗纳米棒的场效应晶体管及其制造方法
193. 一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法
194. 一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用
195. 一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法
196. 硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法

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