1、以下所有专利技术资料集成在一起提供(电子文档，可以打印)。★什么是专利全文,点击这里查看专利说明书样板!
2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
| 1.多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法 2.形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 3.形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 4.形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法 5.用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件 6.制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具 7.多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件 8.多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备 9.多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 10.多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 11.制备多晶硅膜层的激光退火装置及形成多晶硅膜层的方法 12.形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法 13.一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法 14.制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管 15.薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 16.用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液 17.多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管 18.一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 19.绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法 20.在多晶硅上具有平滑界面的集成电路 21.一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺 22.用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法 23.具有多晶硅薄膜的半导体器件 24.多晶硅膜微压传感器 25.引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开-多晶硅CMOS工艺 26.注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法 27.在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法 28.在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置 29.多晶硅的制造方法和装置 30.多晶硅电阻及其制造方法 31.用多晶硅原料制备熔硅的方法 32.多晶硅表面金属杂质的清除 33.由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法 34.稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法 35.多晶硅棒及其制造方法 36.梯形多晶硅插塞及其制造方法 37.具有P*多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法 38.增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法 39.双层多晶硅CMOS数模混合集成电路及其制造方法 40.利用放热反应制备多晶硅的方法 41.具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法 42.利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法 43.一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法 44.具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法 45.可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层 46.多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置 47.具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法 48.用多晶硅炉料制备硅熔体的方法 49.多晶硅电阻器及其制造方法 50.三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法 51.形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法 52.多晶硅二极管的静电放电保护装置 53.改进的多晶硅-硅化物 54.高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法 55.多孔结晶硅酸盐的非原位固态磷活化 56.用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法 57.低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法 58.多晶硅化学气相沉积方法和装置 59.具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置 60.单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法 61.70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法 62.多晶硅化钨栅极的制造方法 63.使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程 64.用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺 65.由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置 66.玻璃衬底的预多晶硅被覆 67.多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 68.多晶硅棒及其加工方法 69.改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法 70.多晶硅、其生产方法及生产装置 71.利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法 72.具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件 73.耐高温多晶碳化硅纤维的制备方法 74.具多晶硅发射极双极性晶体管的制造方法 75.具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET 76.具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺 77.多晶硅界定阶跃恢复器件 78.用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术 79.多晶硅层的制作方法 80.用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元 81.用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法 82.光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件 83.一种功率型多晶硅发射极晶体管 84.一种多晶硅和石英玻璃的联合制备法 85.制作多晶硅薄膜的方法 86.薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器 87.多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法 88.多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法 89.多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法 90.利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法 91.填补多晶硅细缝的方法 92.形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法 93.多晶硅层的制作方法 94.利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法 95.在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤 96.多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置 97.用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法 98.降低多晶硅层洞缺陷的方法 99.多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法 100.低温多晶硅有机电激发光装置的制法 101.低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列 102.轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 103.一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器 104.分离栅极快闪存储单元的多晶硅间隙壁的制造方法 105.采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法 106.评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统 107.多晶硅膜的制造方法及评价装置 108.具有高介电常数的多晶硅栅间介电层的结构及其形成方法 109.多晶硅间介电层的制造方法 110.去除多晶硅残留的方法 111.去除多晶硅残留的方法 112.用于评估多晶硅薄膜的装置 113.多晶硅薄膜的制造方法 114.低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 115.陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池 116.多晶硅薄膜晶体管离子注入机 117.集成电路多晶硅电阻的制作方法 118.将非晶硅转换为多晶硅的方法 119.三维多晶硅只读存储器及其制造方法 120.形成多晶硅结构的方法以及半导体结构 121.多晶硅的蚀刻方法 122.低温多晶硅薄膜的制造方法 123.薄膜晶体管的多晶硅制造方法 124.多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法 125.在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构 126.形成多晶硅层的方法 127.多晶硅层的结晶方法 128.多晶硅薄膜的制造方法 129.多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法 130.形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法 131.于基板上形成多晶硅层的方法 132.多晶硅薄膜的制造方法 133.低温多晶硅薄膜晶体管的结构 134.多晶硅细脉熔丝 135.非晶硅（多晶硅）家用小型太阳能发、用电装置 136.低温多晶硅薄膜的制造方法 137.半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法 138.一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法 139.多晶硅的定向生长方法 140.制备多晶硅的方法 141.利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法 142.闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法 143.低温多晶硅显示装置及其制作方法 144.激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法 145.精密多晶硅电阻器工艺 146.多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法 147.制造多晶硅层的方法及其光罩 148.多晶硅薄膜及采用它制造的薄膜晶体管 149.超小粒径多晶硅的结构和方法 150.低温多晶硅薄膜晶体管及其沟道层的制造方法 151.多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法 152.低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 153.形成具有粗糙表面的多晶硅的方法 154.多晶硅化金属栅极结构及其制造方法 155.平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法 156.提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法 157.避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺 158.利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法 159.测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法 160.多晶硅液晶显示器件的制造方法 161.形成T型多晶硅栅极的方法 162.利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法 163.用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法 164.低温多晶硅薄膜晶体管基板 165.多晶硅膜的形成方法 166.应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法 167.形成多晶硅锗层的方法 168.形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法 169.多晶硅膜的形成方法 170.半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 171.低温多晶硅薄膜晶体管基板及其制作方法 172.一种制备多晶硅绒面的方法 173.制造双层多晶硅存储器元件的方法 174.一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 175.用于在衬底上淀积多晶硅层的装置 176.制造内层多晶硅介电层的方法 177.减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺 178.包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法 179.制造多晶硅层的方法 180.15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 181.底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法 182.多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管 183.一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法 184.具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置 185.具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对 186.具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对 187.硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜 188.低温多晶硅薄膜晶体管 189.低温多晶硅显示装置 190.低温多晶硅薄膜晶体管 191.多晶硅氢还原炉 192.多晶硅氢还原炉 193.无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅 194.包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法 195.用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法 196.制作低温多晶硅薄膜的方法 197.多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法 198.具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法 199.制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法 200.半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法 201.多晶硅薄膜晶体管制造方法 202.多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器 203.改善栅极多晶硅层电阻值的方法 204.制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法 205.以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案 206.彩色多晶硅微粒及其制备方法 207.化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构 208.多晶硅氢还原炉 209.激光薄膜多晶硅退火系统 210.激光薄膜多晶硅退火光学系统 211.双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法 212.一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺 213.一种在集成电路中使用α多晶硅的方法 214.多晶硅薄膜晶体管的形成方法 215.多晶硅的生产装置 216.多晶硅的制造方法 217.一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺 218.一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺 219.限定多晶硅图案的方法 220.多晶硅薄膜的制造方法以及由此获得的薄膜晶体管 221.一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺 |