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| SiC作为第三代宽禁带半导体材料，与Si和GaAs相比，它具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，应用于航空航天、汽车电子等多精细领域。 生产器件要求晶片是抛光面，其表面的好坏，如缺陷、损伤等都直接影响器件的性能，有些缺陷是致命的，从而造成后道工序的成品率低。随着SiC材料的发展及高精尖领域的广泛应用，SiC材料加工精度要求也越来越高。对于抛光来说，SiC的硬度比较大，其莫氏硬度为9.2，常温下几乎不跟其他物质反应，其品体硬而脆，抛光困难。 目前晶体、芯片等的加工需要经过粗磨、精磨、精抛等多道抛光工序，采用的研磨液或抛光液主要分为油性液和水基液。油性抛光液浸润、黏附、润滑，但效率低，不易清洗，对后续工序造成影响。水基液相容性好，但是抛光效果有待提高。 普遍存研磨速率低，耗时长，抛光效果不佳，且研磨液无法应用于抛光工序等带来的工艺配制麻烦问题。 (1)乳化精磨液的分散性良好，粘度适中，加入特定的乳化剂，制成的乳化精磨液润滑性好，成膜性佳，可以隔绝外界的氧气、微尘粒子，精磨的均匀性良好，表面洁净、耐腐蚀、抛光度好。 (2)抛光效率大大提高，缩短了抛光时间，提高了精磨速率。 (3)具有良好的稳定性，且配伍后杀菌作用增强，大于其任意单一组分，表现出较强的防腐效果，可长期贮存。具有良好的润湿性，使在金属加工中具有良好的延展性，提高了研磨效果。 (4)同时适用于精磨和精抛，可达到良好的精磨、抛光效果，达到一配多用，节省了劳动力，多方面提高了抛光效率。 该产品具有清洗、冷却、润滑、防锈性能，在磨削过程中能保护砂轮，延长砂轮使用寿命。本品还能提高磨削加工面光洁度，使用周期长，无刺激性，无异味，不污染环境。 技术配方资料费380元。 |
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