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1. ZMS刻蚀后的干法去胶工艺
2. Silk刻蚀后的湿法去胶工艺
3. 一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺
4. 一种含硅低介电材料刻蚀工艺
5. 快速精确的纯位相元件离子束刻蚀加工方法
6. 晶片刻蚀机的操作方法
7. 经微波等离子体刻蚀的一维纳米碳储氢材料及其制备方法
8. 刻蚀含铋氧化物膜的方法
9. 绝缘膜刻蚀装置
10. 面向多用户的键合-深刻蚀释放微电子机械加工方法
11. 高深宽比硅深刻蚀方法
12. 多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法
13. 扫描隧道显微镜针尖自动控制刻蚀仪
14. 感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板
15. 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
16. H+离子刻蚀金刚石核制备()高取向金刚石薄膜的方法
17. 全干法深刻蚀硅溶片制造方法
18. 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
19. 用于低K绝缘材料的沟槽刻蚀工艺
20. 一种激光刻蚀制作线路板的方法
21. 带厚度测量系统的旋转刻蚀器
22. 一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺
23. 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法
24. 具有良好可刻蚀性的热塑性成型材料
25. 刻蚀方法及其装置和用该刻蚀方法生产半导体元件的工艺
26. 无刻蚀镀铁工艺镀液长期稳定的条件
27. 无刻蚀镀铁镀液的配制及维护方法
28. 非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
29. 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
30. 一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺
31. 硅的深槽刻蚀技术
32. 处理含镍刻蚀废流体的方法
33. 大理石和花岗石图文刻蚀工艺
34. 精确刻蚀和去除薄膜的新装置和方法
35. 无刻蚀电镀铁修复机器零件的工艺方法
36. 干刻蚀装置
37. 一种无刻蚀镀铁合金工艺
38. 控制电火花刻蚀工序的方法与设备
39. 用于含聚氨酯组合物的刻蚀技术
40. 无刻蚀低温铁锰合金镀电解液
41. 无刻蚀低温铁、镍、锰、钛合金镀电解液
42. 刻蚀方法
43. 用于亚微米金属刻蚀的低压功率Cl/HCl工艺
44. 树脂刻蚀溶液和刻蚀方法
45. 为光刻产生的石英晶体坯片单一分割的刻蚀法
46. 一种复合膜的干刻蚀方法
47. 半导体器件铂膜的刻蚀方法
48. 刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法
49. 半导体器件中层的刻蚀方法
50. 信息记录介质、刻蚀装置以及信息再生装置
51. 硅酸盐的选择性刻蚀
52. Al基金属层的刻蚀方法
53. 反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺
54. 对II－VI半导体有选择的刻蚀
55. 高速变深度刻蚀方法及其装置
56. 碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
57. 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
58. 稀土化合物浆料及金刚石厚膜的表面刻蚀方法
59. 改善光刻胶耐刻蚀性的方法
60. 用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术
61. 镍钛合金薄膜多元化学刻蚀剂
62. 无污染金属刻蚀方法及其装置
63. 汽车玻璃刻蚀膏及其应用
64. 深反应离子刻蚀中可动部件的附加结构保护方法
65. 深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法
66. 电子束写入方法、电子束刻蚀设备及其所用掩模
67. 耐刻蚀性改进的多环类光刻组合物
68. 制造刻蚀电路的方法
69. 刻蚀装置
70. 氯化铁刻蚀或酸洗废液中镍与重金属离子的去除方法
71. 片式电阻刻蚀的激光脉宽可调控制方法
72. 采用各向异性湿法刻蚀的宽展沟槽的方法
73. 用于电子刻蚀和扫描电镜的静电聚焦场发射阵列芯片(AFEA′S)
74. 使用钛硬掩模刻蚀金金属层的方法和装置
75. 纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
76. 在刻蚀铁镍合金平板荫罩中控制三氯化铁刻蚀液的方法
77. 使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
78. 光刻蚀刻制作工艺
79. 等离子体对III－V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
80. 通孔刻蚀方法
81. 通孔刻蚀方法
82. 刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法
83. 具有自掩模层的光掩模及其刻蚀方法
84. 在线预测刻蚀设备维护的方法
85. 一种微电子刻蚀系统中受控部件的异常监测装置及方法
86. 通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法
87. 用于场区隔离刻蚀的方法
88. 一种半导体刻蚀设备的控制方法
89. 湿法刻蚀工艺中的颗粒检测装置
90. 等离子刻蚀方法和装置
91. 一种光控法控制玻璃刻蚀深度的方法
92. 刻蚀设备组件的清洗方法
93. 刻蚀停止层及双镶嵌结构的形成方法
94. 一种硅片表面图形刻蚀方法及其硅片
95. 硅片刻蚀方法
96. 硅片刻蚀方法
97. 掩模刻蚀工艺
98. 用于光掩模刻蚀的终点检测
99. 具有可变工艺气体分布的掩模刻蚀等离子体反应器
100. 半导体刻蚀设备中传输模块实现告警的方法及装置
101. 半导体器件及其制造方法以及接触刻蚀停止层
102. 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
103. 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
104. 无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺
105. 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
106. 用于在刻蚀处理中集成计量的方法和装置
107. 用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
108. 实现小尺寸通孔工艺的刻蚀方法
109. 用于刻蚀基板的装置和使用其制造液晶显示器的生产线
110. 硅片刻蚀的方法
111. 刻蚀设备中的硅片升降用顶针
112. 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺
113. 用于光刻蚀法的涂料组合物
114. 射频器件薄介电质电容的刻蚀方法
115. 双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法
116. 多晶硅刻蚀的方法
117. 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
118. 超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法
119. 双极集成电路器件中三层硬质掩膜的刻蚀方法
120. 嵌入式闪存器件中悬浮式刻蚀阻挡层接触孔的刻蚀方法
121. 用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法
122. 刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器
123. 清洗硅片刻蚀腔室的方法
124. 一种半导体刻蚀设备中零件的表面处理方法
125. 半导体硅片刻蚀工艺的控制方法
126. 一种多晶硅刻蚀的方法
127. 通孔刻蚀方法
128. 通孔刻蚀方法
129. 硅化钨硅片刻蚀的方法
130. 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
131. 干法刻蚀方法
132. 刻蚀导电复合层的方法
133. 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
134. 一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法
135. 防眩玻璃制品刻蚀液配方及蚀刻工艺
136. 一种等离子刻蚀设备的维护方法
137. 一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法
138. 一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法
139. 一种等离子刻蚀设备的刻蚀终点检测装置与方法
140. 硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法
141. 硅片刻蚀设备
142. 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
143. 基于微观层流控制的各向同性材料高深宽比结构刻蚀方法
144. 一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法
145. 一种等离子刻蚀工艺过程中的工艺灵敏度的分析方法
146. 一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法
147. 一种多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法
148. 一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法
149. 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
150. 用于刻蚀BST薄膜的腐蚀液及制备方法
151. 微波陶瓷元器件制作的激光微调刻蚀方法
152. 贴片缝隙刻蚀实现的多阻带超宽带天线
153. 基于分裂环谐振器和贴片刻蚀缝隙的多阻带超宽带天线
154. 用于低k刻蚀后的无损灰化工艺和系统
155. 高精度激光刻蚀系统的接口控制卡
156. 用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺
157. 半导体晶片激光刻蚀开沟方法
158. 一种动态刻蚀金属层形成金属线的方法
159. 使用干式刻蚀工艺以有效率地图案化凸块下金属化层的技术
160. 电化学-激光掩模聚焦微刻蚀加工方法及装置
161. 感应耦合等离子体深层刻蚀机
162. 电子回旋共振等离子体刻蚀机
163. 大容量圆筒形平板型干法刻蚀机
164. 触持阴极离子束刻蚀机
165. 一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件
166. 利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法
167. 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
168. 高密度矩形深刻蚀石英光栅
169. 激光直接刻蚀制作软边光阑的方法
170. 在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法
171. 磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法
172. 高密度矩形深刻蚀石英透射光栅
173. 提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
174. 制造有高介电常数栅极电介质半导体器件的选择刻蚀工艺
175. 晶片边缘刻蚀设备及方法