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1. 非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法
2. 玻璃刻蚀字画图案反光牌
3. 能随视角变换图案的深度刻蚀玻璃的生产方法
4. 刻蚀低介电常数膜的方法
5. 基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法
6. 微纳结构压印复制用紫外光固化自由基型刻蚀胶
7. 一种MIM电容材料刻蚀方法
8. 印花转印刻蚀
9. 去除刻蚀残留物的方法
10. 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
11. 水刻蚀的实现方法及渲染装置
12. 氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法
13. 一种在COB-DRAM制造中提高SAC刻蚀制程容许度的方法
14. 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室
15. 用于减少电噪音的刻蚀电容器叠层
16. 尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法
17. 光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
18. 一种铝及铝铜复合散热器化学刻蚀的局部电镀、化学镀工艺
19. 光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
20. 二维纳米结构深刻蚀方法
21. 刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法
22. 可去除刻蚀后残留聚合物的半导体器件制造方法
23. 高深宽比自对准接触刻蚀中减低接触电阻的方法
24. 形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂
25. 金属刻蚀缺陷侦测装置及其侦测方法
26. 多晶硅刻蚀腔体
27. 等离子体刻蚀系统
28. 用于半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物
29. 一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法
30. 刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法
31. 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法
32. 光栅离子束刻蚀的光学在线检测装置及检测方法
33. 用于利用基于SF的化学物质刻蚀掺杂硅的方法和系统
34. 一种选择性刻蚀硅纳米线的方法
35. 深刻蚀三角槽形石英透射偏振分束光栅
36. 具有刻蚀深度在线检测机构的衍射光学元件扫描刻蚀装置
37. 带有热斑激光刻蚀环的硅太阳能电池及其制备方法
38. 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备
39. 利用沉积刻蚀序列的间隙填充处理
40. 一种检验刻蚀液是否有效的方法
41. 焊垫刻蚀的方法
42. 减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法
43. 电路板刻蚀废液中铜的回收方法
44. 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液
45. 一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法
46. 修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法
47. 一种可提高同一晶圆上栅极凹槽均匀性的刻蚀方法
48. 刻蚀监测方法
49. 通孔刻蚀方法及通孔掩膜
50. 刻蚀后残留聚合物的去除方法及刻蚀结构的形成方法
51. 一种干法清洗等离子刻蚀设备反应腔的方法
52. 以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法
53. 一种金属引线的刻蚀方法
54. 多晶硅的刻蚀方法
55. 用于加工具有激光刻蚀的沟槽触点的基件，尤其是太阳能电池的方法和装置
56. 硅膜的干刻蚀方法
57. 氮化硅膜的干刻蚀方法
58. 一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法
59. 刻蚀工艺条件的检验及优化方法
60. 刻蚀方法
61. 一种二阶段背式刻蚀的方法
62. 栅极刻蚀方法、栅极刻蚀终点检测方法与系统
63. 确定沟槽刻蚀时间的方法和浅沟槽隔离的制造方法
64. 通孔刻蚀方法及通孔区内钝化层去除方法
65. 用选择性喷涂刻蚀来清洁沉积室零件的方法和设备
66. 等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法
67. 一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法
68. 一种提高刻蚀深度精确度的方法
69. 刻蚀装置
70. 高深宽比玻璃刻蚀工艺
71. 用于刻蚀工艺的线尺寸控制的方法和系统
72. 用于相对于硅选择性刻蚀介电材料的方法和系统
73. 形成CMOS图像传感器、栅极侧墙及改善刻蚀不均匀的方法
74. 高深宽比氧化硅刻蚀工艺
75. 等离子体溅镀中的刻蚀及侧壁选择性
76. 用于有机发光二极管的表面浮雕输出耦合器的软刻蚀模塑
77. 各向异性刻蚀方法
78. 一种高压电源开关接触孔侧壁垂直刻蚀方法
79. 一种双控温氢氟酸气相刻蚀装置
80. 用于在刻蚀室中使用先进图案膜进行刻蚀的方法
81. 氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
82. 硅浅槽刻蚀工艺
83. 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
84. 一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置
85. 非晶硅薄膜太阳能电池刻蚀偏差的修正方法
86. 用于以高选择性刻蚀电介质阻挡层的方法
87. 用于去除衬底上的残留物的刻蚀后处理系统
88. 一种等离子刻蚀残留物清洗剂
89. 一种等离子刻蚀残留物清洗液
90. 一种等离子刻蚀残留物清洗液
91. 减少湿法刻蚀颗粒污染的方法
92. 一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法
93. 一种可提高刻蚀性能的光刻方法
94. 一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺
95. 一种改善刻蚀工艺中腔室颗粒状态的方法
96. 利用光学发射光谱特性对刻蚀过程进行监测的方法
97. 对深沟槽内的多晶硅进行干法刻蚀的方法
98. 用于消除来自化学蒸汽刻蚀腔的副产品沉积的原位腔清洁制程
99. 一种废铝刻蚀液的综合利用工艺
100. 光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法
101. 一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法
102. 监测干法刻蚀过程的方法及系统
103. 硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法
104. 一种多晶硅栅极刻蚀的方法
105. 一种废ITO刻蚀液的综合利用工艺
106. 刻蚀停止层、双镶嵌结构及其形成方法
107. 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
108. 能用于形成低K双镶嵌集成电路的有机抗反射底涂层刻蚀工艺
109. 自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法
110. 接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法
111. 避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法
112. 避免刻蚀腔室打开后产生污染物的方法
113. 聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法
114. 一种用于探测刻蚀终点的装置及方法
115. 一种快速优化刻蚀均匀性的方法
116. 等离子体刻蚀的终点监测方法
117. 获得刻蚀工艺试片线宽的方法及刻蚀方法
118. 一种用于探测刻蚀终点的装置及方法
119. 刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法
120. 栅极、浅沟槽隔离区形成方法及硅基材刻蚀表面的平坦化方法
121. 刻蚀方法和双镶嵌结构的形成方法
122. 形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法
123. 形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法
124. 刻蚀牺牲层形成间隙的方法
125. 一种毛细管刻蚀导通的方法
126. 硅片背面单片刻蚀设备
127. 一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法
128. 等离子体刻蚀方法
129. 一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法和装置
130. 等离子体刻蚀电介质层的方法
131. 一种反应离子刻蚀制备太阳电池硅片绒面的方法以及用该方法制造的太阳电池
132. 含碳层的刻蚀方法
133. 连续浮雕结构微光学元件干法刻蚀图形传递误差补偿方法
134. 用于去除刻蚀残留物的组合物
135. 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
136. 一种保护等离子刻蚀设备中的下电极部件的方法及装置
137. 光助电化学刻蚀装置
138. 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀非闭合环形沟槽法
139. 用于干法刻蚀含铪材料的方法和系统
140. 玻璃材料高深宽比微结构二次约束流动刻蚀方法
141. 一种刻蚀钨栅的工艺方法
142. 用于镁合金表面处理的多元络合碱刻蚀液的制备方法
143. 在超高纵横比电介质刻蚀中减少扭曲
144. 采用高频变压器的金属电刻蚀印字机
145. 刻蚀机自动传片机构
146. 用于微米级管道刻蚀的二氧化碳激光汇聚装置
147. 刻蚀机下电极压片装置
148. 反应离子刻蚀机样品台
149. 化学辅助离子束刻蚀系统样品台
150. 激光刻蚀导光板
151. 阴极射线管用平板荫罩刻蚀设备喷淋装置的喷嘴
152. 阴极射线管用平板荫罩刻蚀设备的塑料托辊轮
153. 一种化学刻蚀机
154. 具有双层锥形结构的刻蚀衍射光栅
155. 一种带反馈控制的激光刻蚀机
156. 等离子显示屏显影、剥膜和刻蚀加工一体化装置
157. 用于光盘母盘表面及内部的短脉冲激光精密刻蚀装置
158. 制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的微波等离子体装置
159. 阴极射线管用平板荫罩刻蚀喷管的密封装置
160. 光学元件面形修复的刻蚀装置
161. 刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器
162. 玻璃刻蚀字画图案反光牌
163. 气体导流装置和具有气体导流装置的刻蚀系统
164. 沉积-刻蚀-沉积反应系统
165. 刻蚀机载片盘的旋转机构
166. 刻蚀机的装片装置
167. 半导体刻蚀设备的上部电极
168. 等离子体刻蚀机
169. 半导体刻蚀设备的上部电极
170. 用于刻蚀硅片的辅助工装
171. 一种刻蚀槽
172. 太阳电池等离子刻蚀模具的定位系统
173. 太阳电池等离子刻蚀模具的加压系统
174. 新型太阳电池等离子刻蚀模具
175. 太阳电池等离子刻蚀模具