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1. 次氟酸酯、氟代过氧化物和/或氟代三氧化物在碳氟化合物刻蚀等离子体中作为氧化剂的应用
2. 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
3. 磁性材料的干法刻蚀方法
4. 双大马士革结构中刻蚀阻挡层的旋涂法制备
5. 光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法
6. 一种无肼刻蚀液
7. 基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法
8. 用于选择性各向异性刻蚀应用的不饱和氧化碳氟化合物
9. 采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化
10. 刻蚀方法
11. 避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
12. 减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
13. 导电无电镀沉积刻蚀停止层、衬垫层及通孔插塞在互连结构中的使用
14. 电化学深刻蚀方法及其装置
15. 一种可以减小栅特征尺寸的两步削减刻蚀工艺
16. 一种利用二氧化硫混合气体消除有机物的等离子刻蚀方法
17. 一种形成双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法
18. 利用电子束诱导化学刻蚀修复掩模
19. 一种氧化锌材料的化学刻蚀方法
20. 一种金属配线的多步干法刻蚀方法
21. 用于形成嵌入式电阻器的刻蚀溶液
22. 辐射刻蚀设备用的吸嘴
23. 以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法
24. 微电子机械系统器件成型的刻蚀终止控制
25. 化学放大刻蚀剂材料和使用它的图案化方法
26. 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
27. 玻璃衬底上全干法深刻蚀硅微机械加工方法
28. 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
29. 用于旋转刻蚀平面化电子部件的平面化层及其使用方法
30. 用于在干刻蚀期间防止晶片边缘损坏的装置
31. 等离子体刻蚀有机抗反射涂层的方法
32. 采用一维触发面的刻蚀技术以及在存储介质上产生数字全息图的方法
33. 刻蚀剂烟排出装置
34. 碳化硅的等离子体刻蚀
35. 光刻蚀法中使用的含噻吩的光酸生成剂
36. 湿法刻蚀方法
37. 刻蚀方法及在这种刻蚀中使用的框架部件、掩模及预制的基板部件
38. 制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备
39. 通过交替层间电介质实现的无刻蚀阻止层的双镶嵌互连
40. 将氨用于刻蚀有机低K电介质
41. 半导体薄膜表面刻蚀设备
42. 深刻蚀平面电磁线圈及制作方法
43. 一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法
44. 锆钛酸铅铁电薄膜的湿法刻蚀方法
45. 经微波等离子体刻蚀的富勒烯储氢材料及其制备方法
46. 经微波等离子体刻蚀及储氢金属或储氢合金修饰的富勒烯储氢材料
47. 一种消除栅刻蚀横向凹槽的方法
48. 一种避免使用中间层刻蚀阻挡层的双大马士革结构的实现方法
49. 与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法
50. 多层膜材料的干法刻蚀方法
51. 应用纳米压印和反应离子刻蚀技术制备纳米悬臂结构的方法
52. 使用灰度级光刻蚀法的粘合方法
53. 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
54. 一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法
55. 一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
56. 用于刻蚀工艺的前馈和反馈晶片到晶片控制方法
57. 纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅
58. 对光滑表面进行微米结构光刻蚀的方法及装置
59. 能随视角变换图案的深度刻蚀玻璃的生产方法
60. 探测方法、探测器和电极还原/等离子体刻蚀处理机构
61. 可控型微生物刻蚀装置
62. 用于去除氧化物膜的刻蚀液及其制备方法，以及制造半导体器件的方法
63. 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
64. -纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
65. 一种硅湿法刻蚀工艺
66. 反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法
67. 纳米压印用紫外光固化阳离子型刻蚀胶
68. 基于湿法刻蚀MEMS压印模板制造工艺
69. 射频器件产品的通孔刻蚀方法
70. 用于微米接触孔的刻蚀方法
71. 用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法
72. 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法
73. 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
74. 等离子体刻蚀机台在预防维护工艺后的监控方法
75. 一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺
76. 一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及结构
77. 刻蚀停止结构及制造方法，以及半导体器件及制造方法
78. 一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液
79. 厚铝的高精度干法刻蚀方法
80. 一种等离子刻蚀用内聚焦环
81. 一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法
82. 一种金属电容的刻蚀方法
83. 可控制栅极结构长度的刻蚀工艺
84. 通孔活性离子刻蚀方法
85. 具有半-刻蚀键合焊盘和切割电镀线的BGA封装及其制造方法
86. 用于刻蚀高k介电材料的方法和系统
87. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
88. 气流分布均匀的刻蚀装置
89. 促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘
90. 去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置及清洗方法
91. 一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
92. 一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
93. 一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法
94. 一种消除刻蚀工艺过程中残余气体的控制方法
95. 一种半导体刻蚀设备中控制分子泵的方法
96. 等离子体刻蚀装置
97. 下抽气式刻蚀装置
98. 等离子体刻蚀装置排气环
99. 一种半导体刻蚀前去除颗粒的工艺
100. 一种减少干法清洗工艺对刻蚀均匀性影响的方法
101. 一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
102. 一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
103. 一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺
104. 一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
105. 一种栅刻蚀工艺
106. 一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗粒的等离子体清洗方法
107. 一种减小等离子损伤的刻蚀工艺
108. 一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
109. 一种半导体刻蚀装置
110. 避免微沟道现象的栅刻蚀工艺
111. 一种刻蚀设备的射频起辉控制方法
112. 等离子体刻蚀装置
113. 微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法
114. 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法
115. 等离子体刻蚀低K有机硅酸盐材料的方法
116. 一种检测刻蚀机气路柜漏率的方法
117. 一种半导体刻蚀设备的腔室清洗方法
118. 一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
119. 一种测量刻蚀机反应腔室漏率的方法
120. 一种晶片刻蚀设备的气路控制方法
121. 一种控制半导体刻蚀设备的方法
122. 一种晶片刻蚀设备的取片传输方法
123. 一种气体温度可控的等离子体刻蚀装置
124. 一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
125. 一种半导体刻蚀设备的故障检测方法
126. 等离子体刻蚀装置
127. 一种晶片刻蚀工艺中的故障检测方法
128. 一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法
129. 一种在晶片刻蚀设备中彻底释放晶片静电的方法
130. 一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
131. 一种硅栅刻蚀的方法
132. 一种栅刻蚀的方法
133. 一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
134. 一种在晶片刻蚀工艺中控制关键尺寸偏差的方法
135. 一种减小等离子损伤的刻蚀工艺
136. 铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法
137. 一种nm沟槽刻蚀和nm沟槽刻蚀混合生产的方法
138. 使用时分多路复用工序和RF偏压调制的高外观SOI结构的无切口刻蚀
139. 一种对镍、铁刻蚀废液中有价金属回收利用的方法
140. 改变膜的刻蚀选择性的方法
141. 在感应耦合等离子体刻蚀中保护刻蚀结构的方法
142. 一种玻璃的数字化刻蚀方法
143. 一种用于玻璃刻蚀制作的新型掩膜及其在玻璃刻蚀中的应用
144. 一种刻蚀方法
145. 一种半导体金属电容的结构及其刻蚀方法
146. 用于刻蚀掩模的系统和方法
147. 一种刻蚀液的脱泡装置
148. 一种刻蚀液浓度的监控方法
149. 于高尔夫球杆头表面刻蚀纹路的制造方法及其纹路结构
150. 用于各种刻蚀和光刻集成方案的无定型碳的使用技术
151. 选择性刻蚀方法
152. 硬盘驱动器中的刻蚀的介质膜
153. 一种控制关键尺寸及其偏差的铝刻蚀工艺方法
154. 沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法
155. 单晶片刻蚀方法
156. 刻蚀机集群控制器与工艺模块控制器通讯系统及方法
157. 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法
158. 高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备
159. 一种在挠性印制电路板聚酰亚胺基材上开窗口的方法及其刻蚀液
160. 刻蚀含-碳层的方法和制造半导体器件的方法
161. 刻蚀机集群控制器
162. 一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法
163. 深沟道器件的刻蚀方法
164. 使导体露出的刻蚀方法
165. 调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法
166. 多频等离子体刻蚀反应器
167. 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
168. 单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法
169. 薄膜刻蚀方法
170. 一种减小准分子激光直写刻蚀横向影响区的方法
171. 基板刻蚀监测方法
172. 一种刻蚀制作玻璃微反应器的方法
173. 一种用于平板显示器中制备ITO透明电极的刻蚀液
174. 硅粉表面刻蚀装置
175. 楔形结构的等离子体刻蚀