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1. 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
2. 快速热退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶设备
3. 消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片
4. 热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片
5. 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
6. 晶片处理装置、晶片处理方法和绝缘体上硅晶片制造方法
7. 用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法
8. 氧沉积成核中心的分布受控的硅晶片的制备方法
9. 理想的氧沉淀硅晶片及氧外扩散较小的工艺
10. 硅晶片的腐蚀方法
11. 硅晶片研磨之后的清洗工艺
12. 利用不溶阳极进行硅晶片的铜金属化
13. 无氧淀析的切氏硅晶片
14. 制备理想析氧硅晶片的工艺
15. 一种具有内部吸杂的外延硅晶片及其制备方法
16. 测量硅晶片的波度的方法与系统
17. 埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法
18. 硅晶片处理装置
19. 测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法
20. 有本征吸气的外延硅晶片的制造方法
21. 抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
22. 硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法
23. 制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法
24. 具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉机
25. 低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片
26. 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置
27. 硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
28. 硅单晶的制造方法和硅晶片
29. 一种包括碳化硅晶片的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
30. 具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法
31. 硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
32. 硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法
33. 具有贯穿晶片的通路的硅晶片
34. 用于减小硅晶片之间吸引力的方法
35. 一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法
36. 硅晶片及其制造方法
37. 硅晶片及其制造方法
38. 一种含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷组合物
39. 一种含碳化硅晶片以及片状氧化铝嵌入颗粒的碳化硅陶瓷
40. 一种含碳化硅晶片以及棒状氧化铝嵌入颗粒的碳化硅陶瓷
41. 一种嵌入物包括碳化硅晶片的多成份碳化硅陶瓷
42. 棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
43. 片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
44. 一种含碳化硅晶片的碳化硅陶瓷组合物制造方法
45. 消除硅晶片加工后表面残留应力的热处理装置
46. 光学平台及其制造方法、光学组件、硅晶片基板及晶片
47. 硅晶片及其制造方法
48. 旋转式硅晶片清洗装置
49. 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
50. 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
51. 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
52. 外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
53. 硅晶片应用的助焊和填缝材料,和用其制造的层状电子组件
54. 硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片
55. 低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备
56. 硅晶片以及用于制造硅晶片的方法
57. 硅晶片的制造方法
58. 硅晶片的制造方法
59. 用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
60. 硅晶片激光加工方法和激光束加工装置
61. 硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
62. 加工硅晶片的方法
63. 加工硅晶片的方法
64. 快速热退火以及由其制造的硅晶片
65. 碳化硅晶片的制备方法
66. 硅晶片及硅晶片的热处理方法
67. 半导体硅晶片水基研磨液
68. 薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池
69. 利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
70. 高电阻硅晶片的制造方法以及外延晶片及SOI晶片的制造方法
71. 绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
72. IGBT用硅晶片及其制备方法
73. 一定缺陷特性的半导体硅晶片的制法以及具有该特性的半导体硅晶片
74. 高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
75. 消除半导体硅晶片表面应力的方法
76. 硅晶片的洗涤方法
77. 硅晶片制造方法
78. 硅晶片表面缺陷的评价方法
79. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
80. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
81. 外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法
82. 一种碱性硅晶片抛光液
83. 用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法
84. 从硅晶片制造复杂刀片几何体和增强刀片几何体的方法
85. 100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
86. 减少硅晶片中的金属杂质的方法
87. 硅晶片研磨装置及其保持组件、硅晶片平整度校正方法
88. 硅晶片基板固定台和硅晶片基板温度测量方法
89. 使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
90. 掺氮硅晶片及其制造方法
91. 太阳能硅晶片清洗剂
92. 一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法
93. 低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
94. 研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法
95. 硅晶片
96. 低微管100mm碳化硅晶片
97. 硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片
98. 一种用于硅晶片的精抛液
99. 一种用于硅晶片的研磨液
100. 太阳能硅晶片双束激光双线划槽方法与装置
101. 浮法硅晶片的制作工艺和设备
102. 减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计
103. 具有本征吸杂的砷和磷掺杂的硅晶片衬底
104. 单晶硅晶片的制造方法
105. 单晶硅晶片的制造方法
106. 一种改进型硅晶片磨削进给结构
107. 切硅晶片用数控切割机的从动轮结构
108. 对硅晶片制造工艺中产生的使用后浆料进行再循环的设备
109. 存在于硅晶片中的原子空位的定量评价装置和方法
110. 一种用于硅晶片抛光的抛光组合物
111. 用来生产太阳能电池的使硅晶片织构化的方法
112. 硅晶片的受控边缘电阻率
113. 硅晶片的受控边缘厚度
114. 用于形成硅晶片的方法和设备
115. 绝缘体上硅晶片的制造方法
116. 具有<110>晶体取向的经外延涂布的硅晶片及其制造方法
117. 硅晶片的评价方法
118. 太阳能硅晶片双束激光双线划槽机
119. 一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置
120. 改进型硅晶片磨削进给结构
121. 一种改良的切硅晶片用数控切割机的从动轮结构
122. 硅半导体晶片及其制造方法
123. 硅半导体晶片及其制造方法
124. 硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法
125. 新颖的碳化硅仿真晶片
126. 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
127. 防止在晶片的边缘上形成黑硅的方法和装置
128. 硅酸镧镓晶片及其制备方法
129. 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法
130. 在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
131. 用于制造p-掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
132. 用于制造p-掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
133. 在硅凹陷中后续外延生长应变硅MOS晶片管的方法和结构
134. 用于制造硅半导体晶片的方法及装置
135. 硅单晶片贴带装置
136. 硅绝缘体晶片及其制造方法
137. 绝缘膜上硅（SOI）晶片上接触区的制造方法
138. 使用硅-硅直接晶片键合、在具有不同晶向的混合衬底上的CMOS
139. 一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法
140. 具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
141. 用单晶片低压CVD淀积氧化硅和氮氧化物的方法
142. 电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺
143. 检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法
144. 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
145. 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
146. 硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法
147. 具有硅-锗层的半导体晶片及其制备方法
148. 用于非硅基器件的晶片级密封
149. 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
150. 具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
151. 硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法
152. 由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片
153. 硅微麦克风的振膜晶片及其制造方法
154. 绝缘层覆硅(SOI)晶片及其制造方法
155. 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
156. 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
157. IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法
158. 用以制备电容式硅微麦克风的晶片的无切割制造方法
159. 多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
160. 硅半导体晶片及其制造方法
161. 一种改善晶片氧化硅层生长的装置及方法
162. 利用硅通孔接点的CMOS图像传感器晶片层级封装及其制造方法
163. 晶片的硅层的探伤装置及探伤方法
164. 一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法
165. 硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法
166. 用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理
167. 在晶片上的硅化物形成
168. 单晶硅半导体晶片及其制造方法
169. 传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件
170. 传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件
171. 传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件
172. 多晶硅晶体切割形成太阳能晶片的装置