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1. 晶体管脉宽调速装置保护器 2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
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2. 汽车发电机晶体管式电压调节器
3. 全晶体管式感应加热用高频电源装置
4. 联栅晶体管
5. 晶体管、厚膜集成电路混合式电子调节器
6. 可调音量的晶体管无触点电喇叭
7. 双晶片光电晶体管索引输入装置
8. 晶体管机动车电喇叭
9.
10. 具有两个晶体管和两个变压器的电子镇流器
11. 带有公共基区的晶体管
12. 经开关晶体管测量电流的电路装置
13. 包含功率晶体管过电流保护电路的负载驱动装置
14. 半导体器件和晶体管
15. 半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法
16. 晶体管、半导体电路及其制造方法
17. 晶体管及其制造方法
18. 基极接地晶体管放大器
19. 带阻功率晶体管模块
20. 晶体管电动油泵
21. 晶体管电动水泵
22. 并联式双晶体管高压电击棒
23. 线控晶体管双向收发装置
24. 具有超浅端区的晶体管及其制造方法
25. 射频功率晶体管的镇流监控
26. 具有垂直MOS晶体管的只读存储单元装置的制造方法
27. 用N边多边形单元布线的MOS单元、多单元晶体管及IC芯片
28. 利用一个伪静态四晶体管存储单元的高速缓冲存储器
29. 低压晶体管闪速电可擦可编程只读存储器单元
30. 采用偏置和端接的PNP晶体管链的静电放电保护电路
31. 有最佳静电放电保护的输入/输出晶体管
32. 射频功率晶体管的布局
33. 晶体管及其制造方法
34. 监视器的晶体管保护电路
35. 具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极的制造方法及其结构
36. 一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法
37. 具有隔离晶体管的EEPROM单元及其制造与操作方法
38. 大功率晶体管快速短路保护电路
39. 共栅极结构的晶体管
40. 可焊式晶体管夹子和夹子与散热器的组合装置
41. 绝缘栅型大功率晶体管短路保护器
42. 晶体管综合参数测试仪
43. 汽车晶体管式调节器
44. 一种高频感应加热装置用晶体管复合模块
45. 一种制作在半导体管芯上的功率晶体管
46. 桥式晶体管的驱动电路
47. 带灯丝预热的单个晶体管镇流器
48. 带有编程的晶体管阵列的喷墨打印头识别电路
49. 制造CMOS晶体管的方法
50. 用改进的小型区抑制短沟道的MOS晶体管及其制造方法
51. 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管
52. 开环晶体管恒流放大器
53. 制造半导体器件的晶体管的方法
54. 半导体器件的晶体管结构
55. 沟槽型DMOS晶体管及其制造方法
56. 采用sic开关晶体管的车辆用交流发电机
57. 半导体器件中的晶体管及其制造方法
58. 制造半导体器件中晶体管的方法
59. 制造LDD结构的MOS晶体管的方法
60. 晶体管在低占空因数情况下工作的移位寄存器
61. 包含列初始化晶体管的数据线驱动器
62. L波段硅脉冲功率晶体管
63. C波段硅功率晶体管
64. 晶体管超音频电源发生器
65. 晶体管高频感应加热设备
66. 一种晶体管切筋凹模
67. 耐压过千伏的超高β晶体管组件
68. 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
69. 功率放大器中输出晶体管的保护电路
70. 一种包括热保护开关晶体管的装置
71. 节能旁路晶体管逻辑电路和使用该电路的全加器
72. 热平衡射频功率晶体管的均匀镇流电阻
73. 晶体管和非易失半导体存储器
74. 制造沟槽栅DMOS晶体管的方法
75. 有降低漏电流的晶体管的半导体器件及其制造方法
76. 功率晶体管
77. 具有P*多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
78. 功率晶体管模块的组装结构
79. 制造双扩散MOS晶体管的方法
80. 周期性启动开关晶体管的控制电路
81. 一种对电场敏感的晶体管触发器
82. 晶体管的制造方法
83. 高效率甲类开环晶体管恒流放大器
84. 稳定偏流式高效甲类开环晶体管恒流放大器
85. 具有非易失性双晶体管存储单元的半导体存储器
86. 制造纵向MOS晶体管的方法
87. 纵向晶体管
88. 高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
89. 不平衡/平衡变换超保真开环晶体管恒流放大器
90. 制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法
91. 超保真开环晶体管恒流放大器
92. 具有两对晶体管和一对负载元件的静态存储单元
93. 具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器
94. 晶体管与竖直腔面发射激光器的集成化
95. 带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
96. 晶体管及其制造方法
97. 晶体管和半导体电路的制造方法
98. 具有金属-绝缘膜-半导体三层结构的晶体管的制造方法
99. 具有小宽/长比的闭合晶体管
100. 一种晶体管过载保护电路
101. 具有直通状态抑制功能的晶体管桥式逆变器
102. 模拟式晶体管弧焊机
103. 甚低频晶体管电子管地波广播设备
104. 微波晶体管金属化布线加固结构
105. 高速功率开关晶体管
106. 非易失PMOS二晶体管存储单元和阵列
107. 结合薄膜和体硅晶体管的合并逻辑和存储器及其制造方法
108. 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
109. 低压晶体管的偏置
110. 带有静电放电保护结构的减少了电容的晶体管及其制造方法
111. 改进晶体管模型以及采用该模型的电路模型的方法和装置
112. 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
113. 晶体管的制造方法
114. 晶体管阵列
115. 铁电晶体管及其制造方法
116. 铁电晶体管、其在存储单元系统内的应用及其制法
117. 生产晶体管的方法
118. 制作具有垂直的MOS晶体管的集成电路的方法
119. 晶体管蓄电池充电器
120. 潜艇主推进电机晶体管励磁装置
121. 晶体管广播机
122. 音像器材交流电源晶体管滤波器
123. 一种晶体管无环路负反馈功率放大器
124. 利用晶体管阈值电压控制的压控振荡器
125. 纳米孔道中的晶体管及其集成电路
126. 降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置
127. 晶体管“共集——共基”、“共集——共基——共集”放大电路
128. 驱动晶体管
129. 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
130. 无窄沟道效应的晶体管及其形成方法
131. 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
132. 金属氧化物半导体晶体管对装置
133. 带有竖直晶体管和掩埋字线的半导体器件
134. 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
135. 功率增大为2倍的复合晶体管构成的超保真开环恒流功放
136. 硅锗射频功率晶体管发射极分配方法和系统
137. 带凹槽栅极的晶体管
138. 高频功率晶体管器件
139. 超导晶体管配置和相关方法
140. 功率晶体管的补偿电路和方法
141. 绝缘栅晶体管
142. 水平晶体管的保护电路及具有该电路的显示器
143. 通过两个功率晶体管的交织结构来改善放大器电路内的散热
144. 一种制造具有选择晶体管的嵌入式DRAM单元阵列的方法
145. 消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺
146. 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
147. 铁电体晶体管及存储单元
148. 铁电晶体管
149. 封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
150. 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
151. 用于控制一个电感负载的功率晶体管的过压保护电路
152. 一种晶体管装置
153. 具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图
154. 集电极朝上的射频功率晶体管及其制造方法
155. 改进的射频功率晶体管
156. 静电控制的隧道晶体管
157. 具有分别含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器
158. 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置
159. 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
160. 半导体器件中的列晶体管
161. 垂直MOS晶体管
162. 适用于非易失性存储器的隧道晶体管
163. 垂直型金属氧化物半导体晶体管
164. 具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器
165. 探测倒相器的功率晶体管的过热装置和探测方法
166. 采用两个晶体管的双向开关的控制系统
167. 具有可独立调节参数的晶体管的结构与工艺集成
168. 具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作
169. 晶体管引线热浸锡用助焊剂
170. 在衬底中制造具有抬高的漏的晶体管的方法
171. 高电子迁移率晶体管及其制作方法
172. 减少存储节点和晶体管之间相互影响的存储单元布局
173. 晶体管最优化方法、集成电路布局设计方法及其相应装置
174. 用于垂直晶体管的可控制的槽顶部隔离层的形成
175. 联栅晶体管
176. 钙钛矿结构氧化物复合膜晶体管
177. 钛酸钡晶体管
178. 钛酸锶晶体管
179. 大信道宽度的磁性随机存取内存排列选择晶体管
180. 晶体管功放电路的附加电路
181. 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
182. 利用特定晶体管取向的CMOS制造方法
183. 内含沟道型肖特基整流器的沟道型DMOS晶体管
184. 晶体管的光能对电能转换驱动电路
185. 具有平坦式区块选择晶体管的非挥发性存储器阵列结构
186. MOS晶体管栅角的增强氧化方法
187. 对存储单元的铁电晶体管读和存入状态的方法及存储矩阵
188. 双扩散型金属氧化物半导体晶体管的制造方法
189. 具有轻掺杂源结构的凹槽DMOS晶体管
190. 具有与晶体管作用区重叠的接地母线的喷墨打印头
191. 用于减少寄生电容的晶体管
192. 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化
193. 具有锑注入的高频晶体管器件及其制造方法
194. 用于CMOS过程的双金属栅极晶体管
195. 用于共极晶体管的负反馈增益控制
196. 载流子提取晶体管
197. 测量晶体管控制的负载的电流消耗的电路ZH装置和方法
198.在衬底上成形晶体管的方法和含聚亚苯基聚酰亚胺的衬底