硅晶体管/锗晶体管/半导体晶体管/高压晶体管/多栅极晶体管/晶体管逆变器专利技术3

1. 用于高频晶体管工作点调整的电路布置和放大器电路
2. 性能改善的双扩散金属氧化物半导体的晶体管结构
3. 电源单元,晶体管驱动方法及记录媒质
4. 三族氮化物晶体管及其制造方法
5. 具有硅-锗(Si*-Ge*)门极MOS晶体管的集成CMOS电路的半导体装置及其生产方法
6. 在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构
7. 制造晶体管的方法
8. 发光闸流晶体管矩阵阵列
9. 摩托车无触点晶体管高能高压发生器
10. 表面贴装式晶体管组合器件
11. 电流控制的金属氧化物半导体晶体管放大电路
12. 喷墨打印头晶片的驱动晶体管结构及其制造方法
13. 用于闸流晶体管的栅极驱动器
14. 晶体管
15. 具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法
16. 低阻值晶体管元件的制作方法
17. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
18. 一种防止MOS晶体管发生栅极贫化现象的方法
19. 液晶显示器的晶体管阵列电路
20. 使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管及其制造方法
21. 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
22. 绝缘双极性栅晶体管装置及制法、控制其切换速率的方法
23. 单晶体管非易失性存储器元件的制法
24. 用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器/读出放大器
25. 垂直金属-氧化物-半导体晶体管
26. 垂直金属-氧化物-半导体晶体管及其制造方法
27. 全晶体管点火设备
28. 以离子注入形成抗穿通区的晶体管及其制造方法
29. 可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法
30. 晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
31. 彩色液晶像素驱动晶体管的制造方法
32. 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验方法
33. 数码阵列晶体管焊接电源
34. 将重置晶体管电压源与其他电路电压源分离的主动像素感测器
35. 形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法
36. 一种制造具有超短槽长的自动记录的非光刻晶体管的方法
37. 一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管
38. 非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法
39. 通过离子注入制造高电压MOS晶体管的方法
40. 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
41. 具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法
42. 电性程序化的金属氧化半导体晶体管源极/漏极串联电阻
43. 一种新颖的IGBT绝缘栅极晶体管变流器模块
44. 具沟槽晶体管的存储单元
45. 高分子结构体及具有它的功能元件、和晶体管及显示装置
46. 设有阻挡/间隔层的III族氮化物基高电子迁移率晶体管
47. 新型动态随机存取存储器存取晶体管
48. 带有超薄垂直体晶体管的快速存储器
49. 全自动对准工艺制备晶体管的方法
50. 具有改进的驱动电流特性的晶体管及其制作方法
51. 工艺移植的晶体管级集成电路优化方法
52. 晶体管、集成电路装置及半导体器件的制作方法
53. 具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
54. 制造具有不同厚度的栅极绝缘层的晶体管的方法
55. 用于改善晶体管性能的复合间隔区内衬
56. 用于使N-沟道与P-沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法
57. 最小化非平面性效应的晶体管金属栅结构及制作方法
58. 具有内嵌的沟槽肖特基整流器的沟槽DMOS晶体管
59. 自对准紧凑双极型结式晶体管布局及其制造方法
60. 形成晶体管器件的方法
61. 利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器
62. 测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法
63. 提高截止频率的硅锗晶体管
64. 晶体管的减少噪声技术和使用插话式激励的小型装置
65. 外围晶体管的金属化触点形成方法
66. 集成晶体管/存储器结构的矩阵可寻址阵列
67. 使用非晶硅晶体管的有源矩阵有机发光二极管
68. 具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读/存储器胞元的半导体装置
69. 具有斩波输入晶体管对的运算放大器
70. 绝缘栅铝镓氮化物/氮化钾高电子迁移率晶体管(HEMT)
71. 用于差分晶体管对的ESD保护装置
72. 基于硅的金属绝缘体半导体晶体管及其制造方法
73. 双极型结式晶体管及其制造方法
74. 具有提升的非本征基极的双极晶体管及其形成方法
75. 晶体管的工作点设定方法和电路信号成分值变更方法以及有源矩阵型液晶显示装置
76. 具铅直MOS晶体管之DRAM胞元排列及其制造方法
77. 单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合
78. 具有纵向超薄体晶体管的折叠位线动态随机存取存储器
79. 具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器
80. 含有具有负反馈晶体管的分布式放大器
81. 在使用中可编程的具有超薄垂直体晶体管的逻辑阵列
82. 开关晶体管能量损耗减少方法和横向薄膜硅上绝缘体器件
83. 晶体管逆变器
84. 晶体管恒压充电电源
85. 利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器
86. 用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器
87. 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
88. 压电陶瓷晶体管
89. 功率晶体管组件与散热板的组装用具
90. IGBT绝缘栅极晶体管逆变器模块
91. 均流环结构晶体管
92. 半导体器件中晶体管的形成方法
93. 具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
94. 一种功率型多晶硅发射极晶体管
95. 双载子晶体管及其制造方法
96. 晶体管形成方法
97. 制作金氧半导体晶体管的方法
98. 用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
99. 无需击穿电压为电源电压两倍的晶体管的半导体升压电路
100. 超薄绝缘体基外延硅MOS晶体管的阈值电压调节方法
101. 纯P型晶体管的电压电平移位器
102. 有机晶体管有源矩阵有机发光显示装置及制造方法
103. P沟道场效应晶体管剂量仪
104. 一种电容器和一种晶体管及其制造方法
105. 形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
106. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
107. 静电放电防护电路与相关的金属氧化半导体晶体管结构
108. 改善深次微米晶体管的电阻及漏电现象的半导体组件制造工艺
109. 金氧半导体晶体管的制造方法
110. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
111. 用应变的Si/SiGe层的迁移率增强的晶体管
112. 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法
113. 两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
114. 用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
115. 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件
116. 双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法
117. 铁电存储器晶体管的制造方法
118. 用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻工艺的方法
119. 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
120. 显示器的多晶体管画素最佳化方法
121. 制造晶体管的方法和快闪存储器单元的制造方法
122. 降低高功率晶体管导通电阻的方法
123. 两晶体管的静态随机存取存储单元的操作方法
124. 高性能双极结型光栅晶体管及其制造方法
125. 压电陶瓷晶体管
126. 有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法
127. 具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
128. 假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法
129. 金属-氧化物-半导体晶体管的自对准硅化物的制备方法
130. 利用双接面晶体管的静电放电防护电路
131. MOS晶体管及其制造方法
132. 无晶体管结击穿效应的电位转换电路
133. 制作浅结MOS晶体管的方法
134. 低栅极空乏现象的MOS晶体管的制作方法
135. 具内部偏馈射频功率晶体管
136. 垂直绝缘栅晶体管及其制作方法
137. N和P沟道晶体管的利用正主体偏压的自适应阈电压控制
138. 沟槽DMOS晶体管结构的制造方法
139. 可实现大的自对准接触(SAC)开口余量的槽晶体管(TR)栅及其形成方法
140. 浮动栅晶体管
141. 双栅高压P型金属氧化物半导体晶体管
142. 双栅高压N型金属氧化物半导体晶体管
143. 晶体管组合
144. MOS晶体管及其制造方法
145. 具有双极横向功率晶体管的半导体部件
146. 具有多个驱动晶体管的有源矩阵像素单元及该像素的驱动方法
147. 形成高介电值栅极绝缘层的方法及包括该绝缘层的晶体管
148. 大功率MOS晶体管的制造方法
149. 一种双极型晶体管及应用它的半导体装置
150. 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
151. 形成CMOS晶体管的方法
152. 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法
153. 利用MOS晶体管的电压转换器
154. 一种制作具有延伸闸极晶体管的方法
155. 晶体管的制造方法
156. 具有热防护功能的晶体管结构
157. 静电放电保护装置的晶体管制造方法
158. 使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列
159. 无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法
160. 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
161. 具对称性选择晶体管的快闪存储器
162. 整合型晶体管及其制造方法
163. 具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构及其制造方法
164. 共用位/源极线高密度一晶体管/一电阻型R-RAM阵列及其操作方法
165. 借助晶体管从光电二极管读取信号的半导体器件
166. 抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
167. 具有凸起的非本征基极的自对准NPN晶体管
168. 晶体管结构制造方法
169. 具沟槽晶体管氮化物只读存储器存储单元的制造方法
170. 具有改进沟槽结构的沟槽DMOS晶体管
171. 高性能垂直PNP晶体管及其制法
172. 具有多域垂直配向模式的晶体管液晶显示器
173. 具有局部性多域垂直配向模式薄膜晶体管液晶显示器
174. 肖特基势垒晶体管及其制造方法
175. 用于高电压输入的上拉晶体管的栅极控制电路
176. 一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法
177. 多指状晶体管
178. 具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元及其制造方法
179. 单一型态晶体管扫描驱动电路
180. 一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法
181. 侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法
182. 具有位于有源单元阵列外的屏蔽电极的晶体管排列
183. 隧道偏压金属氧化物半导体晶体管
184. 高性能自旋阀晶体管
185. 使用背侧捕获的可缩放纳米晶体管和存储器
186. 集成N型和P型金属栅晶体管
187. 源极区下面具有隐埋P型层的晶体管及其制造方法
188. 源极及/或漏极区域中充填区域的晶体管
189. 双晶体管或非器件
190. 利用抑制三阶跨导改进RF晶体管放大器的线性度
191. 具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
192. 包含电容器及较佳平面式晶体管的集成电路装置及制造方法
193. 具有RF旁路/输出匹配网络的封装RF功率晶体管
194. 使用纳米线晶体管的集成显示器
195. 单个晶体管DRAM单元结构及结构及其形成方法
196. 高密度氮化物只读存储器鳍形场效晶体管
197.包含金属硅化物栅和沟道注入的晶体管构件及其制造方法
198.一种用于降低集成电路中晶体管内电流密度的布局
199.由损耗的氮化物隔离器限定的浮动栅极晶体管中的超小型薄窗口
200.利用超薄氧扩散阻挡层防止晶体管中的横向氧化的联合方法和装置

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