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1.区熔单晶硅炉
2.直拉法单晶硅生产用石英坩埚
3.一种新结构的晶体硅太阳能电池
4.低缺陷浓度的硅
5.一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器
6.直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
7.基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法
8.一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法
9.绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法
10.一种生产硅铁、硅钙和单晶硅的原料的加工方法
11.低缺陷密度、自间隙原子为主的硅
12.光电动势元件
13.对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
14.提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法
15.一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽
16.一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法
17.单晶外部基极和发射极异质结构双极晶体管及相关方法
18.基板处理方法和基板处理系统
19.一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽
20.一种生长方柱体单晶棒的生产方法及控制装置
21.单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机
22.低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
23.一种悬臂梁结构、制作方法及应用
24.多孔二氧化锡多层纳米薄膜及其合成方法
25.动态存贮器器件及其制造方法
26.绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
27.高正压二极管
28.多功能太阳能荧光灯
29.横向效应硅－－兰宝石力敏元件
30.气动量仪
31.汽车蓄电池太阳能充电器
32.半导体基体材料的制作方法
33.血液循环动力学信息检测装置
34.非浓硼掺杂硅对称梁式加速度敏感元件
35.半导体器件场氧化层的形成方法
36.在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法
37.不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
38.用多晶硅原料制备熔硅的方法
39.制造半导体器件的方法
40.一种微细加工的热式流量传感器及其制造方法
41.超导传热介质及其制备方法与超导传热装置
42.具有倾斜PN结的双极型SOI器件及制造这种器件的方法
43.薄膜晶体管及其制造方法和使用该薄膜晶体管的电路和液晶显示装置
44.热伏电源式固态开关
45.提拉单晶硅的装置
46.低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
47.生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
48.缺陷密度低,空位占优势的硅
49.理想的氧沉淀硅晶片及氧外扩散较小的方法
50.半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
51.光电转换元件及发电装置
52.具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
53.发光的铁钝化多孔硅的水热制备方法
54.腐蚀半导体工件的方法和制备半导体工件的方法
55.热处理SOI衬底的方法和设备及利用其制备SOI衬底的方法
56.光电元件以及由其组成的组件
57.用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
58.基本无生长缺陷的外延硅片
59.供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配
60.用于晶体生长装置的电阻加热器及其使用方法
61.具有降低金属含量的硅晶体的制备方法和设备
62.用于晶体生长装置的电阻加热器
63.硅--金属双层结构薄膜热电堆
64.家用聚光型太阳能充电器
65.硅--金属双层结构薄膜热电堆
66.粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
67.在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂
68.带式切割锯
69.一种移动电话充电装置
70.其中带有弹出反射镜的集成光电子装置及形成与操作方法
71.微机械热电堆红外探测器的制造方法
72.一种器件转移方法
73.用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法
74.一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构及其制备方法
75.热堆式红外线传感器及其制造方法
76.用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
77.双自由度硅微振动陀螺仪
78.微电子压电结构
79.半导体结构
80.光学器件、模具和制作模具的方法
81.生物活性靶体及用于药物筛选和蛋白质结构研究的方法
82.一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法
83.直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
84.一种C**单分子层膜的制备方法
85.多晶硅的评价方法
86.电光装置的制造方法
87.太阳能草坪灯
88.硅微振动陀螺仪
89.一种半导体压力传感器
90.具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
91.用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
92.半导体装置及其制造方法
93.在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法
94.用于双栅极逻辑器件的中间制品及其制造方法
95.制造硅传感器的方法以及硅传感器
96.具有太阳能供电功能的包
97.便携式多功能太阳能供电器
98.太阳能光电照明标牌
99.用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
100.具有太阳能供电功能的帽子
101.半导体装置
102.图案化导电聚合物膜的制备方法
103.以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法
104.溶胶凝胶光诱导制作列阵波导光栅的方法
105.紫外写入制作列阵波导光栅的方法
106.太阳能发电机组
107.液体喷射头的制造方法
108.具有应变的多层结构及具有应变层的场效应晶体管的制法
109.钟表游丝及其制造方法
110.含晶体结构的碳氮薄膜的制备方法
111.含纳米金颗粒的类金刚石碳薄膜的制备方法
112.致动器及其制造方法
113.形成PN接面的方法及单次可编程只读存储器的结构与制程
114.一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺
115.通过外延形成半导体器件的方法
116.通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
117.制备ZrO*/全氟聚醚复合润滑薄膜的方法
118.一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
119.一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
120.半导体器件及其制造方法
121.硅碳石对顶砧高压容器
122.一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法
123.自组装润滑膜的制备方法
124.一种半导体晶体管的制造方法及其产品
125.聚合物先驱体热解制备类金钢石纳米复合薄膜的方法
126.带有电设备的硅基光设备的CMOS兼容集成
127.图案化二氧化钛微结构的制备方法
128.掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
129.双栅结栅场效应晶体管
130.一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法
131.用于制造磁记录介质衬底的方法
132.硅晶圆及其制造方法
133.ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法
134.制造磁记录介质衬底的方法
135.Fe*O*/Si纳米多孔阵列复合材料的制备方法
136.用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法
137.准双栅场效应晶体管
138.一种在硅基底上生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法
139.梁、具有梁的喷墨记录头及其制造方法
140.基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
141.硅绝缘体基片的制造方法
142.微结构键合工艺检测方法及检测结构
143.一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法
144.抛光用组合物及使用该组合物的抛光方法
145.加速度计
146.半导体压力传感器及其制造方法
147.硅锗/硅三维集成电路有源层
148.太阳能玻璃地砖
149.铁磁性碳纳米管的合成方法
150.绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法
151.高速三维集成电路有源层结构及制作方法
152.一类氧离子导体电解质薄膜构造的脉冲磁控溅射制备方法
153.一种微条气体室探测器基板的制造方法
154.含二氧化硅纳米颗粒的类金刚石碳复合薄膜的制备方法
155.光电元件的制造方法
156.微机电热电制冷器及其制造方法
157.具有嵌入式电容的半导体元件基材
158.薄膜材料微裂纹预制方法及其专用装置
159.单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法
160.绝缘硅基板上单片集成铅直装置制造方法
161.SOI晶片及其制造方法
162.制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
163.低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法
164.超导热管的生产方法
165.金属硅化物纳米线及其制作方法
166.具有纳米厚度的复合润滑薄膜的制备方法
167.多功能集成传感器芯片的制作方法
168.基于二氧化硅薄膜的悬臂梁式点样针尖的集成制造方法
169.角速度传感器及其制造方法
170.太阳光发电用模块及使用其的太阳光发电系统
171.一种*B丰度测试装置
172.纳米结构微机械生化传感器
173.具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法
174.直拉法拉晶设备
175.半导体基材及其制造方法
176.丘克拉斯基提拉器
177.集成无源器件
178.一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法
179.显示设备的显示像素区外的外围边框上的空间节省
180.背极式硅基微型驻极体电容话筒
181.具有较高灵敏度和带宽的差分式微机械陀螺
182.薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底及其制备方法
183.一种二氧化锡/锡同轴纳米电缆及其制备方法和应用
184.对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法
185.晶粒大小可控的多晶Fe*O*薄膜材料及其制备方法
186.一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法
187.多晶Fe*O*薄膜材料的制备方法及其应用
188.可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置
189.一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法
190.一种用于金属和陶瓷微型零件成形的微注射成形用模具
191.生产具有纳米多层的光学应用的元件的方法以及按照该方法生产的元件
192.用于离子迁移率谱仪的微机电表面离化源
193.安全气囊用点火具
194.一种制备交联聚合物薄膜的化学方法
195.一种新型热释电红外探测器及其使用的复合薄膜探测元
196.数字影音信号线延长放大器
197.在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法
198.“一”字形结构三维微型实心、空心硅针和硅刀
199.制造纳米线器件的方法
200.缺陷密度低，空位占优势的硅