1、以下所有专利技术资料集成在一起提供(电子文档，可以打印)。★什么是专利全文,点击这里查看专利说明书样板!
2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
1. 应变沟道鳍片场效应晶体管 2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
2. 光纤应变测量仪及其测量方法
3. 具有保护装置的电阻应变式传感器
4. 一种光纤应变传感系统
5. 晶体管及形成应变沟道元件的方法
6. 应变硅工艺中的浅槽隔离
7. 具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法
8. 具有应变硅层的晶片结构体的制造方法和该方法的中间产物
9. 一种应变Si沟道PMOS器件
10. 具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法
11. 基于桥梁应变的高速动态车辆超载检测方法
12. 心壁应变成像
13. 六维力传感器集成应变计
14. 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
15. 构造变形模拟过程中变形单元的有限应变测量装置
16. 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
17. 具有未重叠双衬里的应变沟道场效应晶体管对的结构和方法
18. 大应变产生加工方法和孔型轧制装置
19. 一种测定金属冲压板材塑性应变比值的方法
20. 一种缩短无线机车信号应变时间的方法
21. 具混成应变诱导层的应变晶体管及其形成方法
22. 一种基于上下文自适应变长解码的方法
23. 沿多个表面具有应变晶格结构的FET沟道
24. 变频率光栅应变花的制作方法
25. 通过外延成长且高介电常数的应变层使MOSFET具有机械性应力的通道
26. 以深碳掺杂区和掺杂施主的凸起源和漏区为特征的应变的NMOS晶体管
27. 应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法
28. 绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
29. -—Hz频段多分量钻孔应变地震仪
30. 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法
31. 利用腔环降光谱法的锥形光纤应变仪
32. 形成差别应变主动区的方法及其应变主动区
33. 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法
34. 高性能应变互补金属氧化物半导体器件
35. 用于振动能量收集的应变能量往复运行装置和方法
36. 带传感器的滚动轴承装置及应变传感器
37. 应变硅电压控制振荡器
38. 一种无触点电阻应变式阀位传送器
39. 覆晶球格阵列封装构造中具有晶体配向()的应变硅晶圆
40. 应变检测装置
41. 具有用于改善载流子迁移率和成像器中蓝光响应的应变硅层的像素
42. 光纤光栅增减敏应变传感器设计方法与制作工艺
43. 使存储器模块的电路元件适应变化工作条件的方法和设备
44. 有阻挡层和应变消除功能的OLED结构
45. 优化玻璃应变的方法
46. 具有应变消除层、减反射层和阻挡层的有机发光的器件/二极管结构
47. 用螺纹线测量金属变形体内流动和应变的方法
48. 应变计型传感器及利用该传感器的应变计型传感器单元
49. 静态多点应变仪的信号切换装置
50. 应变半导体器件
51. 一种具应变感测功能的智慧型车架机构
52. 非晶态合金应变计
53. 一种荷载缓和体系计算的虚拟应变法
54. 管道钢管的应变硬化特性决定方法
55. 制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
56. 应变半导体衬底及其制法
57. 具有超级耐冲击性和在高应变率下改进的耐灾害性破坏性能的膜
58. 土质边坡分布式光纤应变监测方法和系统
59. 高应变点玻璃
60. 具有氧化物间隔层的应变源漏CMOS的集成方法
61. 用于CMOS的应变晶体管集成
62. 在MOSFET结构中形成应变Si-沟道的方法
63. 应变沟道晶体管及其制造方法
64. 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
65. 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
66. 包括用于纤维增强结构中应变测量的温度补偿系统的装置
67. 制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构
68. 应变式多分量力传感器
69. 基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器
70. 应变CMOS的集成制作方法
71. 多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法
72. 电流载荷作用下金属薄膜若干临界应变值测试方法
73. 柔性基板上金属薄膜若干临界应变值测试方法
74. 采用新硬掩模的应变源漏制作方法
75. 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
76. 用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构
77. 使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构
78. 应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
79. 制作应变硅晶体管的方法
80. 用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺
81. 自适应变导程螺旋传动机构
82. 应变半导体器件及其制造方法
83. 制造的应变传感器
84. 分布式长标距光纤布拉格光栅应变传感器及其制造方法
85. 分别应变的N沟道和P沟道晶体管
86. 在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变Si/SiGe的方法
87. 在先进CMOS技术中应变Ge的集成
88. 通过利用多个窄部分布局增强应变器件性能
89. 使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
90. 用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
91. 使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构
92. 制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
93. 具有四个应变计的变形感应轴承
94. 制造应变半导体层的方法、制造半导体器件的方法和适用于这种方法的半导体衬底
95. 一种用于海洋平台的应变测量装置
96. 应变降低的可卷曲显示设备
97. 低温液氦环境中FBG应变传感器应变-波长定标装置
98. 一种高温应变疲劳试验中固定引伸计的方法
99. 压电材料准静态法横向压电应变常数测量方法和系统
100. 制作应变硅晶体管的方法
101. 制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
102. 改进的应变硅CMOS器件和方法
103. 具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法
104. 一种用于电子织物的应变式柔性呼吸传感器及其应用
105. 具有高压缩线性弹性应变和低杨氏模量的Zr-Cu基多元合金
106. 用于监视施加到哺乳动物的应变和/或负荷的设备和方法
107. 一种具有较大塑性应变的锆基块状纳米晶非晶合金
108. 形成导热性改善的应变硅材料的方法
109. 一种改善钢板的低温韧性和应变时效低温韧性的方法
110. 一种铝塑复合板循环应变下折边服役寿命的测定方法
111. 半导体器件中减少氧化引入缺陷的应变补偿结构
112. 基于应变温度在线测量的混凝土凝固时间测量方法
113. 应变绝缘体上半导体材料及制造方法
114. 通过温热控制轧制引入大的应变的金属线材，及其制造方法和制造装置
115. 具有应变消除装置的模块基本单元
116. 双轴压缩应变下的<>硅中的电子和空穴迁移率的增强
117. 用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法
118. 一种应变可逆修复聚合物及其制备方法
119. 应变式称重传感器
120. 以布料为基底的应变规
121. 多路快速应变测量装置
122. 使用牺牲隔离体的应变沟道FET
123. 一种基于错位相关原理的物体应变测量方法及装置
124. 控制应变半导体层中位错行为的结构和方法
125. 混凝土结构局部监测压敏水泥基应力、应变传感器
126. 生长应变层的方法
127. 利用溶胶-凝胶方法制备耐应变涂料的方法
128. 包括具有不同应变信道区的半导体区的半导体装置以及其制法
129. 应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
130. 计算机应变控制梁柱托换方法
131. 可更换的埋入式光纤应变传感器
132. 具有应变消减结构的电连接器
133. 测量大应变的应变计
134. 应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法
135. 大应变变形比六维并联传感器
136. Cu-Ag合金中双相纤维织构强度的应变控制方法
137. 机敏混凝土结构的应力、应变信号的无线采集方法及装置
138. 一种在基桩高应变动力检测中测量锤击力的方法及仪器
139. 应变绝缘硅
140. 钛合金显微结构细化方法及钛的高温-高应变速率超塑性成形
141. 应变传感器及其制造方法
142. 具有组合式应变减除夹头的导线护罩
143. 包含高应变玻璃/玻璃-陶瓷的绝缘体上半导体结构
144. 数控机械应变细胞加载实验机
145. 半导体应变弛豫材料的制作方法
146. 一种利用单根光纤光栅同时测量温度和应变的方法
147. 应变测量装置及应变测量元件的固定方法
148. 压阻应变集中器
149. 用于球栅阵列连接器的应变消除设备
150. 高浓度渗碳·低应变淬火部件及其制造方法
151. 应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
152. 应变沟道MOS元件
153. 通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅
154. 一种高塑性应变比镀锌钢板及生产方法
155. 应变SOI衬底的制造方法和在其上制造CMOS器件的方法
156. 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
157. 至少一对间隔的应力区之间包括应变超晶格的半导体器件以及相关方法
158. 基于多孔微结构光纤的应变传感器
159. 内弧形顶薄壁应变筒投入式光纤Bragg光栅压力传感器
160. 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
161. 一种采用应变检测的计轴系统及其实施方法
162. 在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅（SSOI）结构
163. 分布式无滑移光纤应变传感器及其制造方法
164. 具有温度响应变色输出的氛围照明系统
165. 带应变传感器的轴承组件
166. 采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法
167. 高应变锤击装置
168. 包括应变超晶格和上覆应力层的半导体器件以及相关方法
169. 源极区和漏极区之间具有BOX层的应变硅MOS器件
170. 绝缘体上应变硅结构的制造方法
171. 获得差厚激光拼焊板平面极限应变的试验装置及方法
172. 一种电阻式应变片自动调阻机
173. 增强MOS器件沟道区应变的方法
174. 高灵敏度自温度补偿光纤光栅应变传感器的设计方法和制作工艺
175. 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
176. 在薄SOI晶体管中嵌入的应变层以及其形成方法
177. 拉应变摩擦磨损试验方法及其试验机
178. 包括至少三个应变仪的变形传感器轴承
179. 带有应变释放件的电连接件适配器
180. 热感应或光感应变色纺织品的染色方法
181. 一种用于电阻应变计盖面的工艺
182. 具有应变元件的精密力传感器
183. 采用Ⅲ族-N源极/漏极区的拉伸应变NMOS晶体管
184. 埋入式无线应力/应变/温度传感器测试平台
185. 真应力-真应变计算模型及测试系统
186. 具有应变响应粘性液体聚合物的多轴向织物
187. 通过倾斜式预非晶化而减少受应变的晶体管中的晶体缺陷的技术
188. 应变仪的制造方法
189. 一种电阻应变式直径测量装置及其使用方法
190. 多功能静态应变仪
191. 孪生阵列Michelson光纤白光干涉应变仪
192. 应变补偿的场效应晶体管及其制造方法
193. 基于应变监测的索结构中索系统的健康监测方法
194. 高温双层管道温度、应力-应变、振动测量方法
195. 应变传感报警系统
196. 具有凹进应变区的多栅极器件
197. 用于确定风能设备的应变的方法和装置
198. 使用掺杂聚合流体的压阻式应变计
199. 增强应变性能的管道焊接
200. 容器应变强化系统及其所生产的奥氏体不锈钢低温容器
201. 高应变点高弹性模量的铝硼钛硅酸盐玻璃
202. 低阻抗应变率传感器
203. 应变沟道半导体结构的制造方法
204. 高阻抗应变传感器
205. 应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构
206. 用于切向压电应变常数d测量中使用的切向加力部件
207. 流星余迹自适应变速率突发调制解调器
208.含前侧应变超晶格层和背侧应力层的半导体器件和方法
209.用于减少应变硅中的缺陷的基于氮的植入
210.采用在线成型工艺制成的光纤光栅自补偿应变传感器
211.一种应变强化金字塔结构夹层板的制备方法