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1. 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
2. 氮化镓基光子晶体激光二极管
3. 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
4. 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
5. 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
6. 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
7. 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
8. 氮化镓基发光二极管指示笔
9. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
10. 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
11. 高亮度氮化镓类发光二极体结构
12. 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
13. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
14. 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
15. 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
16. 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
17. 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
18. 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
19. 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
20. 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
21. 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
22. 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
23. 氮化镓系发光二极管
24. 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
25. 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
26. 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
27. 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
28. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
29. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
30. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
31. 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
32. 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
33. 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
34. 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
35. 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
36. 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
37. 氮化镓基化合物半导体器件
38. 氮化镓基蓝光发光二极管
39. 氮化镓薄膜材料的制备方法
40. 氮化镓类半导体元件及其制造方法
41. 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
42. 氮化镓半导体器件
43. 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
44. 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
45. 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
46. 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
47. 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
48. 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
49. 氮化镓半导体衬底及其制造方法
50. 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
51. 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
52. 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
53. 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
54. 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
55. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
56. 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
57. 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
58. 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
59. 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
60. 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
61. 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
62. 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
63. 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
64. 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
65. 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
66. 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
67. 氮化镓基半导体器件
68. 一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
69. 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
70. 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
71. 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
72. 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
73. 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
74. 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
75. 垂直基于氮化镓的发光二极管
76. 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
77. 氮化镓晶圆
78. 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
79. 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
80. 一种制备氮化镓单晶衬底的方法
81. 氮化镓基发光二极管及其制造方法
82. 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
83. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
84. 氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
85. 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
86. 氮化镓系半导体的成长方法
87. 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
88. 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
89. 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
90. 氮化镓晶体衬底及其制造方法
91. 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
92. 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
93. 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
94. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
95. 用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
96. 超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
97. 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
98. 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
99. 生长氮化镓晶体的方法
100. 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
101. 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
102. 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
103. 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
104. 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
105. 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
106. 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
107. 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
108. 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
109. 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
110. 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
111. 氮化镓基发光二极管及其制造方法
112. 氮化镓系发光二极管及其制造方法
113. 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
114. 氮化镓基蓝光激光器的制作方法
115. 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
116. 氮化镓基化合物半导体发光器件
117. 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
118. 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
119. 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
120. 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
121. 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
122. 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
123. 氮化镓薄膜外延生长结构及方法
124. 适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
125. 氮化镓基化合物半导体发光器件
126. 氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法
127. 一种增强型氮化镓HEMT器件结构
128. 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
129. HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
130. 氮化镓半导体发光元件
131. 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
132. 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
133. 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
134. 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
135. 氮化镓系化合物半导体发光元件
136. 一种p型氮化镓的表面处理方法
137. 氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺
138. 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
139. 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
140. 以CVD及HVPE成长氮化镓的方法
141. 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
142. 制作氮化镓系基板的方法
143. 一种氮化镓外延层转移方法
144. 一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统
145. 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
146. 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
147. 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
148. 基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
149. 利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
150. 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
151. 制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法
152. 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
153. 单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法
154. 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
155. 一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法
156. 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯
157. 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
158. 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
159. 一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
160. 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法
161. 制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片
162. 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
163. 生长大表面积氮化镓晶体
164. 氮化镓基场效应管及其制备方法
165. 运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法
166. 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
167. 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
168. 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
169. 采用自剥离用于生产氮化镓单晶衬底的方法
170. 在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法
171. 氮化镓系化合物半导体发光元件
172. 硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法
173. Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法
174. 氮化镓外延片的快速检测方法
175. 镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法
176. 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
177. 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
178. 氮化镓基发光二极管
179. 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法
180. 氮化镓晶圆
181. 一种氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法
182. 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
183. 一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法
184. 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
185. 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
186. 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
187. 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
188. 一种氮化镓基大管芯发光二极管
189. 具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
190. 氮化镓系发光二极管结构
191. 氮化镓系发光二极管的构造
192. 氮化镓系发光二极管
193. 氮化镓基发光二极管芯片
194. 用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
195. 基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
196. 一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置