铟锡氧化膜的制造方法：提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10-3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10-3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理。成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。技术资料费280元。 
　 
以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法：其是利用水及适当添加剂，分别溶解铟化合物、锡化合物于水中，而配制出二澄清的溶液，再加入适当添加剂，产生一定比例的金属氢氧化物，经过滤及水洗后，并加入适当添加剂予以解胶，使不同金属氢氧化物的特定成分发生水解、凝缩等反应，接着经干燥和煅烧，制成高品质的纳米级(nano meter、10-9)氧化铟锡粉末。本方法制备的氧化铟锡粉末具有更高的致密度。技术资料费280元。 　

电子行业用导热填隙材料该导热填隙材料含有下列重量比的组分:硅凝胶,消泡剂,白碳黑,色粉,导热粉体,将上述组分混合后搅拌均匀,压片定型。本方法生产的导热填隙材料具有高导热系数,较大的可压缩性,受到压力时可以发生形变使被冷却器件承受较低压力的特点，并且这种柔顺性也使得它可以填满发热器件和散热器间高度不平整的表面,从而降低热阻,加速热量传递。技术资料费280元。

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法：在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n-型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。技术资料费280元。 

掺铟钛酸钡材料制备方法：采用In替代BaTiO3中一部分Ti的掺杂方法，从而提供一种掺铟P型钛酸钡(BaInxTi1－xO3)块材、薄膜，其中Ba∶Ti∶In=1∶（1－x）∶x,x的取值范围为0.005－0.5。当x值偏小时 ，薄膜的介电、铁电和热释电等特性较强；x值增大时，薄膜的导电性较强；掺杂浓度的不同，材料具有不同光学非线性特性。提供的BaInxTi1－xO3是多性能和具有广泛应用的新型薄膜材料，其P型特性在氧化物电子学方面将有重要的应用。技术资料费280元。 
　 
掺铟钛酸锶材料制备方法：采取用In替代 SrTiO3中一部分Ti的掺杂方法,从而提供一种掺铟P型钛酸锶（ SrInxTi1－xO3）块材、薄膜及其制备方法，其中Sr∶Ti∶In=1∶(1－x)∶x,x的取值从0.5％到50％。当x值小时，薄膜具有介电和热释电特性，当x值增加时，其导电性增强，变为具有金属性的氧化物导电薄膜材料。提供的SrInxTi1－xO3不仅在探测器、导电电极等方面有广泛应用，而且在氧化物电子学方面也将会有重要应用。技术资料费280元。 

用于溅射镀膜的氧化铟／氧化锡（ＩＴＯ）靶材制造方法：原料粉末中氧化铟和氧化锡，平均粒径３０～２００nm，纯度９９．９９％；冷等静压力为２００～２８０ＭＰa，保压时间１０分钟；热等静压温度为１１００～１３００℃，保温时间０．５～６小时，气氛压力为１００～１２０ＭＰa；采用专门设计的包套和容器；制造出高密度、高纯度、大尺寸的ＩＴＯ靶材。该方法生产效率高、成本低。技术资料费280元。 

银氧化锡氧化铟电触点用线材生产工艺：它含有Ｓｎ，Ｉｎ，Ｎｉ，Ｚｎ和Ｓｎ，Ａｇ。生产工艺为：将银锭、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ置于熔炼中，熔炼并铸锭、加工粉碎、高温高压氧化、再粉碎、加压成型、高温下挤压成条、带材、热拉拔成线材。本线材产品生产加工特性和再加工性能良好，可用于制造双金属复合铆钉，以在大功率继电器中部分代替对环境有污染的Ａｇｃｄｏ触点。技术资料费280元。

纳米铟锡氧化物粉体的制备方法：采用4N或5N的铟、锡为原料，用无机酸溶解后，用超声波沉淀、微波干燥、煅烧，或冷冻干燥、沸腾回流法煅烧，制取纯度为99.99％以上，平均粒径（5～10nm，比表面积）15m2/g的纳米铟锡氧化物粉体。制备纳米铟锡氧化物粉末过程中无软团聚和硬团聚问题，铟锡氧化物粉末的纯度高，粒度小且分布窄，成分可控，组成均匀，表面活性高，分散性好，无需添加分散剂，污染小，易于实现工业化生产。技术资料费280元。 

富铟渣制备海绵铟的方法：通过下述技术方案予以实现：将含铟量为4％～14％富铟渣，用稀硫酸进行浸出得到含铟浸出渣和硫酸锌液体，含铟浸出渣用浓硫酸浸出，得到含铟液体，再用锌粉置换硫酸铟液体，得到海绵铟，海绵铟中铟的含量为50％到95％。采用本技术，金属铟的总回收率高，环境污染小。技术资料费280元。 　 

氧化铟薄膜材料制备方法：材料包括衬底，特别是衬底上覆有单层或多层氧化铟球形孔构成的薄膜，氧化铟球形孔的直径为100～5000nm，薄膜的厚度为50nm～100μm；方法包括用旋涂法或垂直提拉法将胶体球附于衬底表面而形成模板，特别是先将氢氧化铟溶胶渗入衬底上的胶体球间，再将渗有氢氧化铟溶胶的模板于50～110℃下加热，然后将浸在二氯甲烷中的模板置于超声波中1～3分钟，最后，将模板置于370～500℃下退火，制得氧化铟薄膜材料。它制得的氧化铟薄膜材料是由呈六方紧密排列的、单层或多层的、孔间相互连通的、孔骨架致密的、孔径和厚度均为纳米或微米级的有序球形孔构成，制备的工艺简单、成本低，无污染，适于工业化生产。技术资料费280元。 

砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法：将一定配比的镓或铟和砷的氯化物混合后，在苯、甲苯或其它非水有机溶剂中，按反应计量比加入还原剂，在密闭和１２０～３５０℃温度条件下反应，固液分离，依次用有机溶剂、稀盐酸、蒸馏水洗涤，真空干燥，即得产物ＩｎＡｓ或ＧａＡｓ。原材料易得、价廉，避免了使用剧毒气体ＡｓＨ3，设备简单，操作简便、安全，产率高，易于工业化生产。技术资料费280元。 

氧化铟锡膜用浸蚀液：提供一种ITO膜用浸蚀液，该浸蚀液含有浸蚀氧化铟锡的有机酸以及吸附于氧化铟锡膜表面、具有使表面电位为负电位的性质且分子内部不含有苯环的阴离子型表面活性剂。该浸蚀液使得对ITO膜进行快速浸蚀成为可能，并且能够在不增加水质负荷的情况下进行废水处理。技术资料费280元。 　 

铟、锡氧化物复合粉末的制备方法：其特征在于将金属铟和金属锡(按重量百分比称量)分别溶解乳化后，充分混合后，让其共沉淀，洗涤，过滤，再烘干，灼烧，最后淬火磨碎，即成产品。具有通过溶液中的各种化学反应能够直接得到化学成分均一的复合粉料；容易制备粒径分布窄且流动性好的超细颗料；采用普通的化工设备，反应过程简单，成本低，便于推广到工业化生产。技术资料费280元。

高密度铟锡氧化物靶材制造方法：用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法，其特征为：具有较高的密度，相对密度大于98％；成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料，用化学共沉淀法制造ITO粉，然后将ITO粉经热压成型，得到的压块经加工研磨后，制成ITO靶材。这种靶材可以用来制造透明导电薄膜。技术资料费280元。 

高纯度铟化合物的制造方法及应用：铟锭用水淬法制成铟粒，经酸解和提纯制得氢氧化铟，氢氧化铟氧化锻烧得纯度为99.99％—99.999％氧化铟，由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成无汞碱锰电池的代汞剂，高纯度铟盐可应用于镀铟集流体铜钉生产中的，它们应用于电池工业，从而保证了其在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。技术资料费280元。 　 

铟锡氧化物薄膜溶胶一凝胶制备方法：是一种用化学溶液在玻璃、陶瓷、聚合物等基底上制备透明导电薄膜的方法。属于材料表面化学镀膜技术。采用铟醇盐和锡醇盐为原料，用一元醇作为溶剂混合均匀。加入稳定剂调整反应活性，加入水使之产生水解反应。得到的混合液在４０～８０℃陈化４～８小时后即成为可用于镀膜的溶胶。将经过清洁处理的基片浸入溶胶，再以１～２０ｃｍ／ｍｉｎ的速度平稳提拉出液面，得到透明导电的铟锡氧化物薄膜产品。技术资料费280元。

电触点保护剂：为解决以往继电器、交流接触器等电器部件中的触点易氧化及电蚀的问题，采用在触点间灌注由硅油、变压器油组成的混合剂，使触点隔绝空气，防止氧化，并由于该混合剂的难电离性，使电弧的产生得到抑制，起到灭弧的作用，延长触点的使用寿命。技术资料费280元。

用于电力电器设备的绝缘保护剂制造方法：由Ｃ＃－［１６］－Ｃ＃－［２５］的高沸点烷烃、Ｃ＃－［８］－Ｃ＃－［１３］的烷烃、四氯乙烯、甲基硅油、异丙醇和稳定剂组成的绝缘保护剂及其制造方法，本绝缘保护剂能在电力电器设备表面形成一层保护膜，达到防漏电、防湿、驱潮、防腐蚀的作用，实施保护时不会产生凝露现象和冰晶效应，且不含消耗臭氧层物质（ＯＤＳ），使用安全，是一种保护效果良好的环保型产品。技术资料费280元。

用于电子元器件焊接及表面封装的通用无铅焊料：涉及一种低熔点锡锌无铅焊料合金及其焊膏，由Zn,Bi,Nd和Sn组成;低熔点锡锌无铅焊料合金制成的焊膏,在焊料颗粒表面覆有0.1～10μm的Sn或Sn合金;具有降低合金的成本和熔炼要求,简化了熔炼工艺,提高了抗氧化性,提高了该合金焊膏的保存稳定性,焊料熔炼工艺简单等优点。技术资料费280元。

用于电子产品表面贴装用的高黏附力无铅焊锡膏：该无铅焊锡膏含有一种与焊剂混合的Sn-Ag-Cu-Bi-Ni基无铅焊锡粉。该焊剂基本上由树脂(例如改性松香树脂、失水苹果酸树脂)、触变剂(改性氢化蓖麻油、脂肪酸甘油酯)、溶剂(十一醇、2-甲基-己二醇)、活性剂(丁二酸、四丁基氢溴酸胺)组成。所述的焊剂还可以含有由苯并噻唑、苯并三氮唑、苯并咪唑等的一种或一种以上成分组成的铜缓蚀剂。本无铅焊锡膏有明显的黏附力增大的效果，而其焊接性、印刷脱模性没有改变。技术资料费280元。 

电子工业用焊膏：由合金焊粉与焊剂组成。焊剂包括树脂、溶剂、流变调节剂、活化剂、稳定剂。为了提高焊膏的润湿性，活化剂选用含氟羧酸或含氟羧酸酯类有机化合物，为了提高焊膏的保存稳定性，稳定剂选用杯芳烃化合物。此外，焊剂中还可以加入含氟表面活性剂，以进一步提高焊膏的保存稳定性。技术资料费280元。

低熔点稀土氧化物增强复合无铅钎料焊膏：涉及到电子封装钎焊材料技术，特别涉及到适用于钎焊电子元件以及需要高可靠性封装无铅钎料焊膏制备方法。特征是以钎剂作为载体，利用其粘度使得添加物稀土氧化物在搅拌作用下能够均匀分布。先将钎剂与稀土氧化物增强颗粒进行混合搅拌。然后再将无铅金属粉末加入到该钎剂中，利用机械混合的方法搅拌均匀，最后得到复合钎料焊膏。效果和益处是该工艺简单易行，复合钎料具有优异的力学性能，导电性能，组织稳定性，可靠性好。具有广泛的应用前景，可用于电子产品的封装，可以用于光学等需要高性能领域的封装。技术资料费280元。

颗粒增强的SnCu基复合钎料膏制备方法：钎料膏包括颗粒状SnCu基复合钎料和市售钎剂，其中颗粒状SnCu基复合钎料由市售颗粒状SnCu钎料和在颗粒状SnCu基复合钎料中体积百分比为1-5％市售颗粒状增强体组成，颗粒状增强体为尺寸在0.5-5μm之间的Ag或尺寸在1-10μm之间的Cu。其制备方法包括以下步骤：将尺寸在0.5-5μm之间的Ag或尺寸在1-10μm之间的Cu的颗粒状增强体和市售钎剂混合5-10min，混合均匀；再加入颗粒尺寸在20-46μm之间的市售颗粒状SnCu钎料混合10-20min。与传统SnCu钎料膏相比，钎焊性能有所改善，剪切强度和蠕变抗力大大提高，制备简单，成本低廉，适于抗蠕变性能好、尺寸稳定性要求高的电子产品的无铅化生产。技术资料费280元。

电接触保护剂：是指应用液态物质，涂布作用于电接触器件表面，而附着形成液态隔离保护层，实现电接触器件与空气（大气）环境的绝缘隔离，最大限度的延长电接触器件的使用寿命，并有利于用电及电力系统安全性的提高。技术资料费280元。

导电膏：是一种非金属导电膏技术方案是采用具有良好导电性能的石墨，碳纤维或石墨纤维材料作为导电载体，加入粘合剂，固化剂和填加剂在一定温度下搅拌均匀组合构成的非金属导电膏。采用的粘合剂可选用树脂类和油脂，类均都可以，固化剂可选用乙二胺、氧化钴、高锰酸钾，填加剂可选用碳沫。由于采用石墨、碳纤维或石墨纤维为导电载体，此材料具有导电好、散热好、耐高温、耐腐蚀、自润滑，非磁性的特点。技术资料费280元。

用于电子部件且粘度长时间稳定的导电糊膏：在含有含金属粉末和溶剂的有机载体的导电糊膏中，上述的溶剂里，含有占此溶剂总量的2-乙基-1，3-己二醇。技术资料费280元。 

单组分并且能够室温固化的柔弹性环氧导电银胶：在常温下，将环氧当量在200-250范围内的双酚A环氧树脂，环氧当量在120-150范围内的多环氧基团环氧树脂，固化剂，乙醇充分混合均匀后，加入平均尺寸为1-10微米的片状银粉，进一步充分混合。在25摄氏度的室温环境下，24小时内可以固化成为粘结强度高，室温即可固化，柔弹性优良的产物。技术资料费280元。

新型弹性导电合金制备方法：合金由Cu、Ni、Sn和稀土Y按适当配比组成，其制备方法包括熔炼母合金，喷射沉积坯料，轧制变形和时效等步骤。本合金除具有高的强度、硬度、弹性、可焊性、可镀性等优点外，还具有优良的抗热应力松弛性能、好的导电稳定性及优良的工艺性能，可以用在电子工业中替代铍青铜用于制造各精密仪器、仪表的弹性元件，因而具有广阔的研究和市场应用前景。技术资料费280元。

导电粉末具有相对值68体积％或更高的填充密度的导电粉末，优选铜粉和银粉，以大体上球形的铜粉的量为基准，大体上球形和镀银的铜粉的部分表面涂布了银，暴露铜和银的合金的一部分的表面，以大体上球形的镀银的铜粉的量为基准，大体上球形镀银的铜粉的表面用脂肪族酸涂布。技术资料费280元。

用于电磁线静电涂装工艺的绝缘粉末涂料：其主要特点是由树脂、固化剂和辅料按一定配比经相关工艺制成，形成的产品在电磁线静电涂装中，不会产生废气、废水、废渣，一次涂装数量多，生产效率高，电磁线的材质不管是铜质的还是铝质的均可，涂层厚度容易控制，涂装质量稳定，具有显著的经济效益和社会效益。技术资料费280元。

膜电极三合一组件将催化剂与质子导体聚合物制成的粉末，直接热压到质子交换膜上，形成三合一组件；其中质子导体聚合物选自Ｎａｆｉｏｎ，Ｆlｅｍｉｏｎ溶液，催化剂与质子导体聚合物的质量比为５～０．５，制成粉料粒径小于３０μｍ；热压合成的温度在１３０～１９０℃，压力５～７ＭＰａ，时间６０～９０秒。可以根据不同需要制成多种用途的三合一组件，且制备方法简便、快速，适于工业化生产。技术资料费280元。

电子胶由基础树脂、固化剂、阻燃剂、填充剂和助剂组成，其中基础树脂采用改性聚丙烯醇复合物，固化剂采用改性聚硫醇脲复合物，阻燃剂采用十溴化合物，填充剂采用活性二氧化硅，助剂主要包括偶联剂、消泡剂、流平剂、锌粉、色料。其生产工艺流程为：1基础树脂合成，2固化剂制备，3电子胶复配。本发明的电子胶，用于电子元件厂、整机厂、计算机房、实验室、医院等，具有无尘、无缝、无菌、防静电、耐冲击等优点；用于电子元器件的生产、装配，具有耐压高、散热好、阻燃性佳、耐温高、不逆变等优点，是一种高性能的化工产品。技术资料费280元。

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