氮化硅/氮化硅膜/氮化硅透波材料/纳米氮化硅粉体/氮化硅烧结体专利技术2

1. 晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法
2. 化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 
3. 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备 
4. 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备 
5. 包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法 
6. 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法 
7. 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法 
8. 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统 
9. 利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线 
10. 一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法 
11. 一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链的制备方法 
12. 一种氮化硅铁的微波合成方法 
13. 氮化硅锰铁合金 
14. 利用流化床技术常压连续合成氮化硅粉末的方法 
15. 用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 
16. 一种β-氮化硅粉体材料的一步反应低温制备方法 
17. 一种中空式环状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法 
18. 一种层状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法 
19. 采用纳米碳管模板法制备氮化硅纳米丝的方法 
20. 氮化硅膜的制造方法 
21. 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 
22. 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法 
23. 具有高导热性的氮化硅烧结体及氮化硅结构部件 
24. 氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件
25. 一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料及其制备方法  
26. 氮化硅耐磨部件及其制造方法 
27. 氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 
28. 氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法 
29. 氮化硅结合SiC耐火材料及其制造方法 
30. 形成含氘化氮化硅的材料的方法 
31. 高纯氮化硅超细粉磨技术 
32. 反应烧结氮化硅粉技术 
33. 新型半石墨化碳氮化硅砖及其制造方法 
34. 氮化硅只读存储单元的位的读取方法 
35. 氮化硅膜形成方法及装置 
36. 制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法 
37. 形成高质量低温氮化硅层的方法和设备 
38. 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 
39. 氮化硅的热化学气相沉积 
40. 具有氮化硅-氧化硅介电层的非挥发性记忆元件 
41. 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法 
42. 应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法 
43. 一种氮化硅纳米材料的制备方法 
44. 一种氮化硅/氮化钛纳米复合材料的制备方法 
45. 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 
46. 每单元二位与非门氮化硅陷获存储器 
47. 氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法 
48. 采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅 
49. 交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁 
50. 氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法 
51. 含有氮化硅的耐久性硬质涂层 
52. 用于制备氮化硅间隔物结构的方法 
53. 一种氮化硅非水基流延浆料及其制备方法 
54. 制备氮化硅叠层的方法 
55. 一种去除硅片背面氮化硅的方法 
56. 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法 
57. 立方氮化硅材料的冲击波合成方法及合成装置 
58. 流化床直接制取氮化硅的装置及其方法 
59. 具有控制应力的氮化硅膜 
60. 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法 
61. 制备氮化硅膜的方法 
62. 逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法 
63. 无氧溶胶-凝胶反应制备多孔碳氮化硅的方法 
64. 用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 
65. 用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法 
66. 基于碳化硅与氮化硅粘合剂的烧结耐火砖 
67. 在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法 
68. 具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 
69. 原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 
70. 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法 
71. 一种改性纳米氮化硅粉体及其制备方法和用途 
72. 氮化硅基复合材料燃烧合成方法 
73. 通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法 
74. 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 
75. 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法 
76. 去除硅片背面氮化硅膜的方法 
77. 氮化硅涂层钢领及其制备方法 
78. 形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法 
79. 用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶 
80. 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法 
81. 平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 
82. 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物 
83. 自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法 
84. 掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置 
85. 氮化硅纳米材料的低温固相反应制备 
86. 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法 
87. 氮化硅膜的干刻蚀方法 
88. 一种适合氮化硅晶须生长的方法 
89. 多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法 
90. 一种氮化硅纳米粉末合成方法 
91. 氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法 
92. 用于抛光氮化硅的组合物及方法 
93. 去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法 
94. 氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法 
95. 用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法 
96. 制备氮化硅的方法 
97. 氮化硅间隙填充层及其形成方法 
98. 氮化锆-氮化硅复合粉体的制备方法 
99. 氮化硅只读存储器及其字线的制造方法 
100. 氮化硅湿法腐蚀方法 
101. 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法 
102. 低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置 
103. 根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法 
104. 自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法 
105. 可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法 
106. 氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法 
107. 一种采用氮化硅(SiN)和掺磷氧化硅(PSG)复合薄 
108. 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法 
109. 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置 
110. 纳米氮化硅/环氧基硅烷/氰酸酯树脂复合材料及其制备方法 
111. 纳米氮化硅/双马来酰亚胺树脂/氰酸酯树脂复合材料及其制备方法 
112. 通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法 
113. 一种生产氮化硅系合金的新方法 
114. 一种导电氮化钛/氮化硅纳米复合材料的制备方法 
115. 用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 
116. 一种可降低漏电流的氮化硅制作方法 
117. 利用原位氮等离子体处理及非原位紫外光固化来增加氮化硅拉伸应力的方法 
118. 氮化硅酸盐类荧光材料和具有这类荧光材料的光源 
119. 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法 
120. 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法 
121. 提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法 
122. 一种氮化硅锰合金的生产方法 
123. 一种钛酸铝-氮化硅复合材料及其反应合成制备方法 
124. 一种氮化烧结钛酸铝-氮化硅复合材料及其制备方法 
125. 一种生产塞隆/氮化硅复相结合碳化硅制品的方法 
126. 一种反应烧结钛酸铝-氮化硅复合材料及其制备方法 
127. 高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法 
128. 带熄火保护功能的氮化硅点火器 
129. 氮化硅纳米梳及其制备方法 
130. 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备 
131. 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法 
132. 氮化硅薄膜及MIM电容的形成方法 
133. 低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法 
134. 用于半导体器件的多层氮化硅沉积 
135. 去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 
136. 高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法 
137. 等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法 
138. 氮化硅体及其制造方法 
139. 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备 
140. 高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法 
141. 一种炼钢用氮化硅锰合金及其制备方法 
142. 交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁 
143. 氮化硅高温热表面点火器 
144. 流化床直接制取氮化硅的装置 
145. 氮化硅加热式热水器 
146. 一种氮化硅电热元件 
147. 平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 
148. 用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片 
149. 一种带熄火保护功能的氮化硅点火器 
150. 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂装置 
151. 低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的装置 
152. 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置 
153. 氮化硅即热式电热水器
154. 一种含氮化硅铁的Al2O3-SiC-C体系无水炮泥
155. G3级氮化硅球加工工艺
156. 高α-Si3N4相氮化硅制备方法

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