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1. 确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模
2. 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
3. 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
4. PS版和光刻胶用的合成树脂及制备方法
5. 光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用
6. 含有光刻胶组合物的多层元件及其在显微光刻中的应用
7. 光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺
8. 化学增强型光刻胶组合物
9. 高分辨率映像装置用光刻胶
10. 磺酸盐和光刻胶组合物
11. 光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺
12. 用于微型平板印刷术的多环含氟聚合物及光刻胶
13. 聚合物中的保护基,光刻胶及微细光刻的方法
14. 聚合物掺混物及其在用于微细光刻的光刻胶组合物中的应用
15. 负性光刻胶树脂涂布液及其制备方法
16. 光刻胶掩模及其制作方法
17. 光刻胶沉积设备以及使用该设备形成光刻胶薄膜的方法
18. 短波成像用溶剂和光刻胶组合物
19. 光刻胶脱膜组成物及使用该组成物的模型形成方法
20. 用于深紫外光刻术的光刻胶组合物
21. 衬底处理和光刻胶曝光方法
22. 光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法
23. 含有含多个酸不稳定部分的侧基团的聚合物的光刻胶组合物
24. 微刻用光刻胶组合物中的溶解抑制剂
25. 适于光刻胶组合物的聚合物
26. 用于光刻胶的感光树脂组合物
27. 集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺
28. 化学放大型光刻胶组合物
29. 负作用水性光刻胶组合物
30. 光刻胶组合物
31. 光刻胶组合物
32. 适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用
33. 光刻胶组合物及用它形成薄膜图案的方法以及用它制备薄膜晶体管阵列板的方法
34. 提供改良的双层光刻胶图案的方法
35. 深紫外负性光刻胶及其成膜树脂
36. 深紫外正性光刻胶及其成膜树脂
37. 含有树脂掺合物的光刻胶组合物
38. 正型光刻胶组合物及形成光刻胶图案的方法
39. 化学放大型正光刻胶组合物，(甲基)丙烯酸酯衍生物及其制备方法
40. 双层光刻胶干法显影的方法和装置
41. 含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶
42. 从光刻胶和/或剥离液中回收有机化合物的方法
43. 光刻胶成膜树脂制备中的聚合物选择水解方法
44. 使用光刻胶层来形成多重导线连接的方法
45. 涂布膜的加热装置和光刻胶的处理装置
46. 光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物
47. 光刻胶用抗反射组合物
48. 改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法
49. 光刻胶保护膜用组合物、光刻胶保护膜及光刻胶图形形成方法
50. 光刻胶的去除
51. 利用具有碳层的传输掩模构图晶片上的光刻胶的方法
52. 光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法
53. 涂料组合物、抗反射膜、光刻胶及采用该光刻胶的图形形成方法
54. 用于涂敷光刻胶的装置和方法
55. 软烘焙基板上的光刻胶的装置和方法
56. 使用T型光刻胶图案来形成缩小导线图形的方法
57. 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法
58. 化学放大型光刻胶组合物
59. 使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法
60. 利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法
61. 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
62. 化学放大型正型光刻胶组合物
63. 控制光刻胶组合物溶解速率差的方法
64. 用于光刻胶的感光树脂组合物
65. 用于光刻胶的感光树脂组合物
66. 用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备
67. 氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用
68. 等离子室系统及使用该系统灰化光刻胶图案的方法
69. 具有改善抗蚀性能的氟化光刻胶材料
70. 用于深UV的光刻胶组合物及其成像方法
71. 用于涂覆光刻胶图案的组合物
72. 含硅偶联剂的193nm光刻胶及其成膜树脂
73. 光刻胶稀释剂的制造方法
74. 含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
75. 利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法
76. 光刻胶聚合物组合物
77. 增强光刻胶黏性的无定形碳层
78. 包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法
79. 用于有机硅化物玻璃的一氧化二氮去除光刻胶的方法
80. 改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法
81. 在光刻胶去除过程中最小化阻障材料损失的方法
82. 与外涂的光刻胶一起使用的涂层组合物
83. 微光刻技术用光刻胶组合物中的溶解抑制剂
84. 正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法
85. 193nm远紫外光刻胶及其制备方法
86. 193nm远紫外光刻胶及其制备方法
87. 用于改进临界尺寸计算中使用的光刻胶模型的校准的方法、程序产品以及设备
88. 包括金刚形烃衍生物的光刻胶组合物
89. 用于从衬底去除光刻胶的方法和设备
90. 光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法
91. 光刻胶单体及其聚合物以及包含该光刻胶聚合物的光刻胶组合物
92. 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
93. 光刻胶组合物,薄膜图案形成方法、TFT阵列面板制造方法
94. 用于深紫外的光刻胶组合物及其工艺
95. 光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法
96. 用于光刻胶的阻挡涂敷组合物及使用该组合物形成光刻胶图形的方法
97. 去除光刻胶的方法以及再生光刻胶的方法
98. 光刻胶组合物和使用方法
99. 利用处理的光刻胶来制造半导体器件的方法
100. 用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物
101. 光刻胶液制备方法及使用该光刻胶液的光刻胶膜
102. 具有多环内脂结构单元的聚合物在深紫外光刻胶中的应用
103. 光刻胶液供给装置及用于得到它的改造套件
104. 浸液曝光用正型光刻胶组成物及光刻胶图案的形成方法
105. 包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物
106. 制备化学放大正性光刻胶用树脂的方法
107. 用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜的材料、以及使用该保护膜的光刻胶图案形成方法
108. 用于去除光刻胶的组合物
109. 用于去除光刻胶的组合物
110. 化学增强型光刻胶组合物
111. 光刻胶涂覆设备及光刻胶涂覆方法
112. 用于去除光刻胶的组合物及利用该组合物形成图案的方法
113. 采用负性光刻胶组合物形成电镀产品的方法以及在该方法中使用的光敏组合物
114. 半导体结构及使用其形成光刻胶图形和半导体图形的方法
115. 光刻胶涂覆装置及其方法
116. 适用于产酸物的树脂和含有该树脂的化学放大正性光刻胶组合物
117. 脱除衬底上光刻胶的方法
118. 光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案形成方法
119. 光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案的形成方法
120. 化学放大正性光刻胶组合物
121. 用于光刻胶的抗反射组合物
122. 用叠层光刻胶牺牲层制备MEMS悬空结构的方法
123. 用来与外涂的光刻胶一起使用的涂料组合物
124. 光刻胶再生方法及其系统
125. 缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法
126. 形成光刻胶图案的方法
127. 包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法
128. 光刻胶液清洗过滤器气泡的方法
129. 消除光刻胶中气泡的方法及凸点制作方法
130. 用于光刻胶去除的组合物和方法
131. 感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和元件制造方法
132. 光刻胶残留物的清洗方法
133. 一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液
134. 光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
135. 光刻胶和刻蚀残留物的低压去除
136. 光刻胶组合物和使用其制备滤色片基片的方法
137. 防止静电聚集的光刻胶涂布机承载盘
138. 移除光刻胶的方法
139. 用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
140. 超支化聚硅氧烷基光刻胶
141. 光刻胶涂布系统
142. 感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和器件制造方法
143. 感光化合物、感光组合物、光刻胶图案形成方法和器件制造方法
144. 化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法
145. 光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法
146. 用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
147. 形成光刻胶层压基板、电镀绝缘基板、电路板金属层表面处理及制造多层陶瓷电容器的方法
148. 改善光刻胶粘附性和重新使用一致性的氢处理方法
149. 聚合物光刻胶超声时效的装置和方法
150. 光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法
151. 光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法
152. 低蚀刻性光刻胶清洗剂
153. 厚膜光刻胶清洗剂
154. 光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法
155. 光刻胶残留物清洗剂
156. 光刻胶剥离液
157. 用于去除光刻胶的稀释剂组合物
158. 酚聚合物以及包含该酚聚合物的光刻胶
159. 移除晶圆后侧聚合物和移除晶圆前侧光刻胶的工艺
160. 用于凹球面器件旋涂光刻胶的辅助装置
161. 对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法
162. 光刻胶的去除方法和制造镶嵌结构的方法
163. 一种光刻胶清洗剂
164. 一种光刻胶清洗剂
165. 一种酚醛清漆树脂、其制备方法以及含有该树脂的光刻胶组合物
166. 基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近修正模型校准方法
167. 光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法
168. 控制光刻胶分配的装置和方法
169. 光刻胶的去除方法
170. 凹球面光学器件旋涂光刻胶的方法
171. 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
172. 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用中性显影液
173. 大幅面光刻胶玻璃板曝光后自动喷淋显影装置及方法
174. 用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物
175. 一种厚膜光刻胶的清洗剂
176. 去除边缘光刻胶装置
177. 一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法
178. 感光性树脂组合物及使用该组合物的光刻胶膜
179. 基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法
180. 涂底的方法及光刻胶的涂布方法
181. 光刻胶供应装置
182. 一种光刻胶的去除方法
183. 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法
184. 无限选择性的光刻胶掩膜蚀刻
185. 包含酚醛清漆树脂共混物的光刻胶
186. 一种修正光刻胶图形的方法
187. 用于去除彩色滤光片制程中不良基板上彩色光刻胶及保护层的剥离液
188. 光刻胶掩模方法
189. 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
190. 光刻胶掩模图形的显影方法
191. 用于光刻胶的剥离剂组合物
192. 光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法
193. 降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法
194. 含苯并噁嗪结构的共聚物成膜树脂及其深紫外负性化学增幅型光刻胶
195. 负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法
196. 一种厚膜光刻胶清洗剂
197. 不用光刻胶和贵金属活化剂的线路板及其种子层制作方法
198. 光刻胶剥除室和在基片上蚀刻光刻胶的方法
199. 超支化聚酯微光学光刻胶的连续生产装置
200. 去除玻璃基板边缘光刻胶的装置
201. 高精度光刻胶分配泵
202. 防止光刻胶泄漏的装置和光刻胶输出装置