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1. 性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
2. 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
3. 高亮度氮化铟镓铝发光二极管及其制造方法
4. 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法
5. 氮化镓单晶基板及其制造方法
6. 纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
7. 一种硝酸镓的制备方法
8. 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
9. 磷酸镓晶体的助熔剂生长法
10. 添加硅的砷化镓单结晶基板
11. 含镓和铈的无镉银钎料
12. 铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法
13. 用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
14. 6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法
15. 氮化镓基高单色性光源阵列
16. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
17. 铟镓铝氮发光器件
18. 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
19. 制备放射性标记的镓络合物的微波方法
20. 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
21. 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法
22. 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
23. 含镓、铟和铈的无镉银钎料
24. 用萃取-电解法从冶炼铅锌矿尾渣中提取金属镓的技术
25. 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
26. 氮化镓基光子晶体激光二极管
27. 一种氯化镓的制备方法
28. 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
29. 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
30. 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
31. 得到镓-68的方法和其用途以及实施所述方法的装置
32. 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
33. 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
34. 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
35. 氮化镓基发光二极管指示笔
36. 一种砷化镓晶片清洗方法
37. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
38. 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
39. 高亮度氮化镓类发光二极体结构
40. 使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体的方法及装置
41. 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
42. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
43. 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
44. 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
45. 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法
46. 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法
47. 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
48. 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
49. 降低磷化镓单晶尾部位错的方法
50. 大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
51. 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
52. 作为发红光的电致发光材料的铕掺杂的镓-铟氧化物
53. 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
54. 掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
55. 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
56. 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
57. 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
58. 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
59. 稀土镓合金及其制造方法
60. 氮化镓系发光二极管
61. 无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器
62. 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
63. 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
64. 制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
65. 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
66. 掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法
67. 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
68. 硝酸镓的制备方法
69. 掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
70. 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
71. 一种含镓和铈的无镉银钎料
72. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
73. 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法
74. 水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
75. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
76. 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
77. 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
78. 一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
79. 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
80. 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
81. 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
82. 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
83. 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
84. 制备掺钕钆镓石榴石纳米粉的凝胶燃烧合成方法
85. 氮化镓基化合物半导体器件
86. 氮化镓基蓝光发光二极管
87. 氮化镓薄膜材料的制备方法
88. 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
89. 氮化镓类半导体元件及其制造方法
90. 双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用
91. 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
92. 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
93. 氮化镓半导体器件
94. 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
95. 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
96. 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
97. 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
98. 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
99. 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
100. 三甲基镓生产方法及设备
101. 三甲基镓制备和提纯方法
102. 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
103. 氮化镓半导体衬底及其制造方法
104. 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
105. 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
106. 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
107. 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
108. 透可见和中红外的锗镓酸盐玻璃
109. 铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用
110. 基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法
111. 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
112. 含镓和稀土铈的无镉银钎料
113. 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
114. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
115. 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
116. 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
117. 镓抑制生物膜形成
118. 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
119. 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
120. 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
121. 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
122. 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
123. 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
124. 从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
125. 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
126. 镓在治疗炎性关节炎中的用途
127. 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
128. 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
129. 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
130. 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法
131. 在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
132. 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
133. 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
134. 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
135. 提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
136. 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
137. 离子注入砷化镓吸收镜
138. 镓的回收方法
139. 氮化镓基半导体器件
140. 一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
141. 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
142. 磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
143. 一种冷却金属镓靶中频孪生磁控溅射装置
144. 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
145. 硝酸镓的制备方法
146. 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
147. 使用含镓开关材料的液态金属开关
148. 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
149. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
150. 提高铝镓氮材料质量的方法
151. 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
152. 偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法
153. 微台面结构的铟镓砷线列探测器
154. 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
155. 一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
156. 一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
157. 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
158. 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
159. 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
160. 铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
161. 新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
162. 垂直基于氮化镓的发光二极管
163. 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
164. 块状单晶含镓氮化物及其应用
165. 氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
166. 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
167. 氮化镓晶圆
168. 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
169. 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
170. 一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
171. 石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法
172. 一种制备氮化镓单晶衬底的方法
173. 共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器
174. 镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器
175. 氮化镓基发光二极管及其制造方法
176. 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
177. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
178. 氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
179. 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
180. 提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
181. 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
182. 氮化镓系半导体的成长方法
183. 反射式铟镓砷陷阱辐射探测器
184. 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
185. 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
186. 铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
187. 白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法
188. 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
189. 一种铜锰镓锗精密电阻合金
190. 一种镍锰铁镓形状记忆合金材料
191. 氮化镓晶体衬底及其制造方法
192. 立方甲酸铝和甲酸镓及制备方法
193. 一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
194. 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
195. 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
196. 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
197. 掺杂钙钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
198. 掺杂钙锂钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
199. 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
200. 含镓、铟和稀土钕及铈的无镉银钎料
201. 含镓、铟、硅和稀土钕的无镉银钎料
202.单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法