2、我们只提供专利技术资料的检索服务，不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备，暂时也不提供市场方面的信息服务。
3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
4、交付方式：款到发货，即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式
1. 中等纯度冶金硅及其制备方法
2. 高纯度冶金硅及其制备方法
3. 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法
4. 一种超纯冶金硅的制备方法
5. 局部形成自对准金属硅化物的方法
6. 局部形成自对准金属硅化物的方法
7. 形成金属硅化物的方法
8. 形成金属硅化物的方法
9. 一种高温耐磨耐蚀Ni-Mo-Si金属硅化物合金材料
10. 金属硅酸盐、纤维素产品及其工艺
11. 碱金属硅酸盐胶泥复合板体及其制作方法
12. 高温耐磨耐腐蚀Cr-Ni-Si金属硅化物合金材料
13. 具有金属硅化物隔离的存储阵列
14. 可用于灯泡的耐高热铝碱土金属硅酸盐玻璃
15. 用于灯泡的碱土金属硅铝酸盐玻璃
16. 嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法
17. 自行对准金属硅化物的制造方法
18. 金属硅化物的制造方法
19. 碱金属硅酸盐-多异氰酸酯复合材料
20. 利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法
21. 以水溶性碱金属硅酸盐化合物为基的改良的多组份混合物及其用途
22. 微孔和中孔晶状金属硅酸盐的制备方法,由该方法得到的产物及其应用
23. 非晶质碱金属硅酸盐复合物
24. 碱土金属硅铝酸盐微晶玻璃的增强
25. 固相碱金属硅酸盐复合泡沫材料
26. 半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物
27. 碱金属硅酸盐的制备方法
28. 使用金属硅酸盐催化剂制备线性增量的多亚烷基多胺的方法
29. 金属硅通氧去钙生产工艺
30. 金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法
31. 无定型碱金属硅酸盐组合物
32. 生产金属硅的方法及该法所用的还原剂
33. 从金属硅中除去硼的方法和装置
34. 制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法
35. 具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法
36. 制备晶状碱金属硅酸盐颗粒和粒状高密度洗涤剂的方法
37. 具有高熔点金属硅化物膜的半导体装置制造方法
38. 提纯碱金属硅酸盐溶液的方法
39. 具有结晶碱土金属硅氮化物/氧化物与硅界面的半导体结构
40. 金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器
41. 形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法
42. 金属硅化物溅镀靶
43. 半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法
44. 适用于自动对准金属硅化物工艺的二极管
45. 集成抗反射层与金属硅化物块的方法
46. 在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
47. 具有自行对准金属硅化物组成单位的罩幕式只读存储器的制造方法
48. 半导体器件中金属硅化物接触的制造方法
49. 金属硅化物的形成方法
50. 金属硅酸盐-氧化硅基多形态荧光体和发光装置
51. 一种金属硅材料的制备方法
52. 使用氧化铝作为有机金属硅络合物的捕获物质
53. 金属硅化物的形成方法
54. 形成热稳定金属硅化物的方法
55. 一种具有金属硅化物纳米结构的材料及其制作方法
56. 自对准金属硅化物的制造方法
57. 具有双重全金属硅化物栅极的半导体元件及其制造方法
58. 在金属硅化物形成后用于选择性除去金属或金属合金的组合物及方法
59. 金属硅磷铝分子筛的制备方法
60. 特别用于金属硅/二氧化硅的真空纯化炉及纯化方法
61. 包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法
62. 金属硅定向凝固简易装置
63. 金属硅化双层结构及其形成方法
64. 金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法
65. 金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件
66. 形成金属硅化物的方法
67. 一种用电阻炉生产金属硅的方法
68. 自我对准金属硅化形成方法
69. 金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法
70. 自动对准金属硅化物制造方法
71. 具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法
72. 具有埋设金属硅化物位线的金属氧氮氧半导体装置
73. 可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法
74. 利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
75. 金属硅化物层设于源、漏区域上及栅极上的半导体器件及其制造方法
76. 具有不同金属硅化物部分的半导体器件的制造方法
77. 在集成电路中含硅导体区域形成改良的金属硅化物部分的方法
78. 微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
79. 从金属硅制备超纯硅的方法和装置
80. 包含金属硅化物栅和沟道注入的晶体管构件及其制造方法
81. 一种生产金属硅的方法
82. 形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法
83. 可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法
84. Ti-Ni-Si三元金属硅化物合金涂层材料
85. 形成自行对准金属硅化物的方法
86. 可改善接面电性特性的自行对准金属硅化物的制造方法
87. 形成自对准金属硅化物的方法
88. 金属硅化物的制造方法
89. 微小线宽金属硅化物及其制作方法
90. 预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法
91. 利用碱土金属硅酸盐催化剂的制造抗坏血酸的方法
92. 用于二氧化硅或金属硅酸盐薄膜的前体
93. 通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
94. 用于掩膜只读存储器单元阵列的自行对准金属硅化物制程
95. 改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法
96. 形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法
97. 金属硅化栅极及其形成方法
98. 一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法
99. 一种离子束应用于金属硅化物工艺缺陷分析的方法
100. 局部金属硅化的取代栅极
101. 实现超大规模集成电路难熔金属硅化物阻挡层的方法
102. 采用直接合成法合成结晶金属硅铝酸盐的方法
103. 使用原子层沉积工艺制造金属硅酸盐层的方法
104. 非水电解质二次电池负极材料和用于此的金属硅粉
105. 改性层状金属硅酸盐材料及其制备方法
106. 具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
107. 金属硅化层的制造方法
108. 可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法
109. 一种碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法和应用
110. 图像传感器中采用化学机械抛光的自对准金属硅化物工艺
111. 用于图像传感器的自对准金属硅化物处理方法
112. 新型功能性过渡金属硅酸盐(FTMS)
113. 以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法
114. 金属硅化物的制造方法
115. 形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法
116. 一种冶炼化学级金属硅的还原剂
117. 超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法
118. 高介电常数金属硅酸盐的原子层沉积
119. 半导体元件及具有金属硅化物的导线的制造方法
120. 金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法
121. 自对准金属硅化物工艺
122. 金属硅酸盐膜的成膜方法及其装置、半导体装置的制造方法
123. 氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
124. 测定金属硅中磷含量的方法
125. 具有金属硅化物层的半导体器件的制造方法
126. 一种金属硅提纯工艺及其生产设备
127. 一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法
128. 集成电路金属硅化物方法
129. 移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
130. 金属硅化物纳米线及其制作方法
131. 解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法
132. 半导体器件中金属硅化物的单向扩散
133. 用于金属硅氮化物、氧化物或氮氧化物的ALD/CVD的Ti、Ta、Hf、Zr及相关金属硅氨化物
134. 一种化学提高金属硅纯度的生产方法
135. 金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法
136. 碱土金属硅酸盐纤维的改性
137. 一种去除金属硅中P、B杂质的新方法
138. 用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极
139. 完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法
140. 用于形成局域金属硅化物的工艺方法
141. 一种金属硅原料提纯制备方法
142. 二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源
143. 一种二价铕激活的碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法
144. 半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构
145. 金属硅粉末及其制造方法、球状二氧化硅粉末与树脂组合物
146. 金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
147. 单一氧化硅层作为掺杂遮蔽层与金属硅化物阻挡层的方法
148. 金属硅酸盐膜的形成方法以及记录介质
149. 金属硅化物阻挡结构的形成方法及半导体器件
150. 一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺
151. 一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺
152. 等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
153. 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用其的LED发光器件
154. 在半导体元件上制造金属硅化物层的方法
155. 半导体金属硅化物的监测结构
156. 使用pH值调节呈溶液形式的碱金属硅酸盐的聚合度的方法
157. 金属硅冶炼炉水冷除尘的方法
158. 一种软化金属硅冶炼炉炉渣的方法
159. 一种使用惰性气体助熔金属硅的方法
160. 一种降低金属硅中氧、碳含量的方法
161. 金属硅冷却槽模具通水降温的方法
162. 弥散气体导入金属硅提纯法
163. 金属硅化物薄膜的制备方法
164. 一种金属硅的物理提纯方法
165. 黑色金属碱土金属硅酸盐混合晶体荧光体和使用它的发光器件
166. 等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素的方法
167. 一种金属硅的冶金级物理提炼方法
168. 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
169. 金属硅化物的制备方法
170. 用于形成自对准金属硅化物接触的方法
171. 一种用于金属硅冶炼的还原剂合成碳及其制造方法
172. 金属硅化物的制备方法
173. 用于改进造纸工艺的含有合成的金属硅酸盐的淀粉的用途
174. 金属硅化物接触层的制造方法
175. 金属硅化物层及半导体器件的制造方法
176. 监控金属硅化物形成质量的结构
177. 微小线宽金属硅化物结构
178. 具有多样的金属硅化物的半导体元件
179. 一种金属硅的提纯设备
180. 改性硅纳米颗粒
181. 高纯度硅及其生产方法
182. 光电级硅的制造方法
183. 硅单晶及其制造方法
184. 硅的结晶方法
185. 硅的制造方法
186. 硅的制造方法
187. 快速生长纳米硅丝的方法
188. 生产硅的方法
189. 使用纳米颗粒结晶无定形硅的方法
190. 太阳能级硅单晶生产工艺方法
191. 提纯硅的方法、用于提纯硅的矿渣和提纯的硅
192. 阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备