专利样刊
   您现在的位置:网站首页>> 专利查询>> 电子材料>> 查看专利技术
肖特基二极管系列专利技术
本套专利资料售价:200元    编号:3005
 1、本页为专利名称列表,如果需要全文、更多列表、最新专利请联系我们。
2、以下所有专利技术资料集成在一起打包提供。什么是专利全文,点击这里查看!
3、我们只提供技术资料的检索服务,不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备,暂时也不提供市场方面的信息服务。
4、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
5、交付方式:款到以电子邮件方式发送资料。
6、我站提供的专利技术全文资料仅供用于对行业技术先进性的了解、科学研究或实验。根据中国《专利法》第六十三条第四款:专为科学研究和实验而使用有关专利的,不视为侵犯专利权。用户若因此之外一切行为造成法律冲突或纠纷,本网概不负责!

1、CN00120878.0 新型金属半导体接触制作肖特基二极管
2、CN00258256.2 纳米硅肖特基二极管
3、CN01801189.6 制造肖特基变容二极管的方法
4、CN02107331.7 低顺向电压降肖特基屏蔽二极管及其制造方法
5、CN01821927.6 肖特基二极管
6、CN02112324.1 高频肖特基二极管
7、CN02127231.X 肖特基势垒二极管及其制造方法
8、CN02127232.8 肖特基势垒二极管的制造方法
9、CN02127233.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
10、CN02137322.1 一种ZnO肖特基二极管
11、CN02141456.4 肖特基势垒二极管及其制造方法
12、CN02141455.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
13、CN02141457.2 肖特基势垒二极管及其制造方法
14、CN02147950.X 集成型肖特基势垒二极管及其制造方法
15、CN02152936.1 肖特基势垒二极管及其制造方法
16、CN02157828.1 高频肖特基二极管的电化学制作方法
17、CN02260517.7 ZnO肖特基二极管
18、CN02265178.0 一种肖特基二极管
19、CN02810570.2 双掩模沟槽肖特基二极管
20、CN02813193.2 碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法
21、CN03110075.9 结势垒控制肖特基二极管终端及方法
22、CN03116008.5 一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法
23、CN03152820.1 肖特基势垒二极管的制造方法
24、CN03229806.4 一种肖特基二极管的原型器件
25、CN03818175.4 沟槽肖特基势垒二极管
26、CN96119206.2 有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法
27、CN99126965.9 肖特基二极管、整流器及其制造方法
28、CN200310122345.6 新结构肖特基毫米波混频二极管
29、CN200410084702.9 金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
30、CN200420110479.6 MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
31、CN200510050890.8 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
32、CN200510050892.7 锗硅肖特基二极管及其制作方法
33、CN200510060565.X 一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法
34、CN200510111690.9 一种肖特基二极管
35、CN200510121579.8 具有垂直势垒的肖特基二极管
36、CN200520013604.6 一种锗硅肖特基二极管
37、CN200520013605.0 锗硅肖特基二极管
38、CN200520014504.5 一种多晶锗硅肖特基二极管
39、CN200580013066.3 在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管
40、CN200580027614.8 减小电容和开关损失的肖特基二极管结构及其制造方法
41、CN200610034222.0 一种获取肖特基二极管结参数的方法
42、CN200610059868.4 肖特基二极管及制作方法
43、CN200610059869.9 肖特基二极管及其制造方法
44、CN200710037274.8 一种利用界面氧化层制备NiSi Si肖特基二极管的方法

   上一篇:三极管系列专利技术
   下一篇:整流二极管系列专利技术

版权所有  复制必究